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- [发明专利]导电膜-CN201911075522.7有效
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张晟;张世诚;孙超;张海英
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昇印光电（昆山）股份有限公司
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2019-11-06
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2022-10-04
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H01B5/14
- 本发明公开了一种导电膜，其包括N层层叠设置的导电层和导电柱。导电层包括承载体及设置于承载体上的导电线路，其中，N≥2。导电柱至少贯穿一层导电层并电性连接至少两层导电层的导电线路。通过导电柱可使一层导电层的引线引至另一层导电层，也可实现两层及以上导电层之间的电性连接，可使导电膜不受引线区的区域限制，实现窄边框，方便布线；也可以使多层导电层之间实现电性连接，只需在一层导电层设置引线，也可降低各层导电层的电阻，增加屏蔽性能等。
- 导电
- [发明专利]铜互连结构的制备方法-CN201611089586.9在审
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鲍宇
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上海华力微电子有限公司
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2016-11-30
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2017-01-18
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H01L21/768
- 本发明提供的铜互连结构的制备方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有低k介电层及位于所述低k介电层中的铜互连线；在所述铜互连线上形成第一钴金属层；在所述第一钴金属层及所述低k介电层上形成层间介质层；刻蚀所述层间介质层，形成暴露出所述第一钴金属层的通孔及位于所述通孔上、且与所述通孔连通的沟槽；在所述通孔的底壁形成第二钴金属层；在所述通孔及所述沟槽的底壁及侧壁形成阻挡层，并填充金属层。本发明中，能够增强阻挡层与铜互连线的粘合力，从而提高铜互连结构的连接性能，提高电子迁移的能力。
- 互连结构制备方法
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