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[发明专利]金属纳米线的力学性能检测方法、系统及存储介质-CN202310413333.6在审
发明人：刘凯;韦昭召;李会军 -专利权人：五邑大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种金属纳米线的力学性能检测方法、系统及存储介质,该金属纳米线的力学性能检测方法包括：构建第一金属纳米线模型；对第一金属纳米线模型进行结构优化处理，得到第二金属纳米线模型；对第二金属纳米线模型施加弹簧作用力，得到目标金属纳米线模型；获取目标金属纳米线模型的移动坐标；根据移动坐标和弹簧作用力得到目标力学性能参数。通过构建第一金属纳米线模型，再采用弹簧作用力的方式对目标金属纳米线模型进行弯曲形变模拟测试，避免目标金属纳米线模型过早受损，相较于相关技术中通过人工控制实验条件，采用器械对金属纳米线进行拉伸实验的技术方案，能够有效提高金属纳米线的力学性能检测的精确度。
金属纳米力学性能检测方法系统存储介质

[发明专利]降低金属微米线和/或纳米线网络电极电阻的方法及装置-CN201611006783.X有效
发明人：周军;胡彬;李嘉;张奎 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速降低金属微米线和/或纳米线网络电极电阻的方法及装置，该方法首先将金属微米线和/或纳米线沉积在基片表面，然后采用溶剂润湿金属微米线和/或纳米线网络，接着进行烘干处理使溶剂挥发，最后重复润湿和烘干实现金属微米线和/或纳米线网络电极电阻的降低。该装置包括将金属微米线和/或纳米线沉积在基片表面的沉积单元，对金属微米线和/或纳米线网络电极进行润湿处理的润湿单元，使微米线和/或纳米线网络电极表面溶剂挥发的烘干单元，用于在润湿单元和烘干单元间输送基片和金属微米线和/或纳米线网络电极的传送单元。本发明可大幅降低金属微米线和/或纳米线网络电极的电阻，具有快速、高效、低成本、无污染等优点。
降低金属微米纳米网络电极电阻方法装置

[发明专利]一种金属纳米线及其提取方法、透明导电膜-CN202310273134.X有效
发明人：岩波孝幸;大桥贤二;高小放 -专利权人：中化学科学技术研究有限公司;中国化学工程股份有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开一种金属纳米线及其提取方法、透明导电膜，能够在金属纳米线的生成液中尽量提取出期望形状的金属纳米线，来制备性能优异的透明导电膜。该金属纳米线的提取方法包括：向含金属纳米线的液体中通入气泡使金属纳米线上浮；收集上浮到液体的上部的含金属纳米线的气泡。
一种金属纳米及其提取方法透明导电

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201710811002.2有效
发明人：李荣原;陆俊岑;陈冠宏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：所述半导体元件包括基底、半导体纳米线、栅极结构、第一金属纳米线以及第二金属纳米线。半导体纳米线垂直配置于基底上。栅极结构环绕半导体纳米线的中间部分。第一金属纳米线位于半导体纳米线的一侧，且与半导体纳米线的下部部分电连接。第二金属纳米线位于半导体纳米线的另一侧，且与栅极结构电连接。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]一种可拉伸式导电薄膜-CN201910172186.1在审
发明人：曾海军;王细娥;钱娟 -专利权人：无锡众创未来科技应用有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种可拉伸式导电薄膜，包括：基板以及设置于所述基板上的纳米线网络所述；所述纳米线网络包括金属纳米线层、以及多个纳米金属；其中，所述金属纳米线层包括多条交错的金属纳米线，所述所述些金属纳米线间的交叠处设置有连接所述些金属纳米线的纳米金属本发明所提供的导电薄膜，在制备过程中仅需使用少量的金属纳米线，再经过纳米金属的修饰，即可展现出优异的导电性，另当所述基板为软性基板时，本发明导电薄膜则更具可拉伸性。
金属纳米线导电薄膜纳米金属基板纳米线网络可拉伸式导电性可拉伸性软性基板制备过程交叠处修饰交错

[实用新型]一种可拉伸式导电薄膜-CN201920292870.9有效
发明人：曾海军;王细娥;钱娟 -专利权人：无锡众创未来科技应用有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可拉伸式导电薄膜，包括：基板以及设置于所述基板上的纳米线网络；所述纳米线网络包括金属纳米线层、以及多个纳米金属；其中，所述金属纳米线层包括多条交错的金属纳米线，所述金属纳米线间的交叠处设置有连接所述金属纳米线的纳米金属本实用新型所提供的导电薄膜，在制备过程中仅需使用少量的金属纳米线，再经过纳米金属的修饰，即可展现出优异的导电性，另当所述基板为软性基板时，本实用新型导电薄膜则更具可拉伸性。
金属纳米线本实用新型导电薄膜纳米金属基板纳米线网络导电性可拉伸式可拉伸性软性基板制备过程交叠处修饰交错

[发明专利]一种基于激光热力耦合效应的金属纳米线冲击焊接装置及方法-CN202111076712.8在审
发明人：胡耀武;张啸寒;赵哲;黄正;何亚丽;刘健 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： B23K26/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于激光热力耦合效应的金属纳米线冲击焊接装置及方法，包括激光器、金属纳米线及在线监测系统；正向脉冲激光束对所述金属纳米线进行冲击作业；同时反向加热激光束对所述金属纳米线进行加热作业；金属纳米线上部从上到下依次设有约束层、吸收层和保护层，金属纳米线下部设有约束层；在线监测系统用于实时监测金属纳米线的焊接情况。本发明通过等离激元进行金属纳米线节点区域的有效加热，并借助脉冲激光冲击纳米线，缩短相邻纳米线间距，减少虚搭现象，强化加热效果，可在金属纳米线整体不熔化的情况下，实现空间交错纳米线的高可靠性焊接作业，是一种新颖的、可行性高、适用范围广的金属纳米线焊接方法。
一种基于激光热力耦合效应金属纳米冲击焊接装置方法

[发明专利]一种基于T形对和纳米线对的光学传感器-CN201710907474.8有效
发明人：王俊俏;高念;张佳;袁栋栋;吴亚南 -专利权人：郑州大学
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于T形对和纳米线对的光学传感器，包括电介质层、金属纳米结构和基底，金属纳米结构为二聚体结构，金属纳米结构包括设置于基底上的线型金属纳米对和位于线型金属纳米对之间的T型金属纳米对，各所述T型金属纳米线的横边的两端与相应的线型金属纳米线之间的距离与两个T型金属纳米线各自的纵边之间的距离相等，所述线型金属纳米线的长度与T型金属纳米线的横边的长度相等，T型金属纳米线的纵边的宽度和横边的宽度以及线型金属纳米线的宽度相等，T型金属纳米线的高度与线型金属纳米线的高度相等。
一种基于纳米光学传感器

[实用新型]基于T形对和纳米线对的光学传感器-CN201721265139.4有效
发明人：王俊俏;高念;张佳;袁栋栋;吴亚南 -专利权人：郑州大学
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本实用新型涉及基于T形对和纳米线对的光学传感器，包括电介质层、金属纳米结构和基底，金属纳米结构为二聚体结构，金属纳米结构包括设置于基底上的线型金属纳米对和位于线型金属纳米对之间的T型金属纳米对，各所述T型金属纳米线的横边的两端与相应的线型金属纳米线之间的距离与两个T型金属纳米线各自的纵边之间的距离相等，所述线型金属纳米线的长度与T型金属纳米线的横边的长度相等，T型金属纳米线的纵边的宽度和横边的宽度以及线型金属纳米线的宽度相等，T型金属纳米线的高度与线型金属纳米线的高度相等。
基于纳米光学传感器

[发明专利]一种金属纳米颗粒复合的银纳米线及其制备方法和应用-CN201810777673.6在审
发明人：高彦峰 -专利权人：宁波山功新材料科技有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属纳米颗粒复合的银纳米线及其制备方法和应用，所述金属纳米颗粒复合的银纳米线，包括银纳米线、以及附着在银纳米线表面的金属纳米颗粒，至少部分银纳米线之间通过金属纳米颗粒焊接。
银纳米线金属纳米颗粒制备方法和应用复合附着焊接

[发明专利]一种基于平板对称结构的折射率传感器-CN201911420040.0有效
发明人：王俊俏;赵文涵;李冉;郜雅 -专利权人：郑州大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于平板对称结构的折射率传感器，包括基底，基底上设有金属纳米结构，金属纳米结构包括两个沿横向间隔设置的且沿纵向对称设置的金属纳米线单元，各金属纳米线单元均包括沿纵向间隔设置的两个横向金属纳米线和连接于两个横向金属纳米线之间的竖向金属纳米线，各竖向金属纳米线和两个横向金属纳米线之间形成“工”字形结构，各竖向金属纳米线上横向设置有朝向另一个金属纳米线单元靠近并延伸的中间金属纳米线，各条金属纳米线的宽度均相等。
一种基于平板对称结构折射率传感器

[发明专利]一种金属纳米线复合透明导电薄膜、其制备方法及应用-CN201510276448.0有效
发明人：金云霞;肖斐 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本发明属于电子材料技术领域，特别涉及一种金属纳米线复合透明导电薄膜，该复合透明导电薄膜依次包含基底层、金属纳米线薄膜层和多糖层。本发明还涉及上述金属纳米线复合透明导电薄膜的制备方法，包含制备多糖溶液、取金属纳米线溶液在基底层上刮涂成膜以及将多糖溶液涂覆于金属纳米线薄膜层表面等步骤。本发明以多糖类物质与金属纳米线薄膜进行复合，在提高了金属纳米线薄膜层与基底层之间的粘附性的同时，保持了金属纳米线薄膜层的导电性，还有利于提高整个金属纳米线复合透明导电薄膜的稳定性。本发明所提供的金属纳米线复合透明导电薄膜能很好地与光刻工艺兼容，易于制备得到图案化的金属纳米线复合透明导电薄膜。
金属纳米线复合透明导电薄膜制备薄膜层基底层多糖溶液电子材料技术导电性薄膜层表面多糖类物质光刻工艺多糖层图案化粘附性薄膜成膜刮涂涂覆兼容复合应用

[发明专利]金属纳米线网络至导电聚合物中的集成-CN202080071874.X在审
发明人：蔡植豪;金真旭 -专利权人：香港大学
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01B1/12 文献下载
摘要：制造金属纳米线：导电聚合物复合材料。通过在金属纳米线层上留下有机配体残留物的方法形成金属纳米线层。在支撑基底上形成导电聚合物膜。将金属纳米线层与导电聚合物膜集成以形成金属纳米线：导电聚合物复合材料。用包含金属离子源、至少一种酸和溶剂的反应溶液润湿所述金属纳米线：导电聚合物复合材料一段时间，该时间足以从金属纳米线层中去除所述有机配体残留物并且足以由所述金属离子源生长金属纳米粒子以在金属纳米线层中的两根或更多根纳米线彼此接触的接点处产生金属互连纳米粒子生长后，从反应溶液中取出纳米线：导电聚合物复合材料并干燥。
金属纳米网络导电聚合物中的集成

[发明专利]一种二次电池用三明治结构金属复合负极片-CN201810358099.0有效
发明人：马延文;陈剑宇 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明涉及一种二次电池用三明治结构金属复合负极片，包括M金属片和粘附在M金属片上、下表面的金属纳米线层，所述M金属片为锂金属片、钠金属片或镁金属片，所述金属纳米线层由一组粘附在M金属片表面的金属纳米线组成，所述金属纳米线为铜纳米线、镍纳米线或铜镍纳米线。本发明的优点是通过金属纳米线粘附在M金属片上下表面形成的网络结构分散了表面电流，同时使得M金属离子的分布更加均匀。
一种二次电池三明治结构金属复合负极

[发明专利]一种基于表面等离激元与介质模式耦合的复合型光纤-CN201310646127.6无效
发明人：苏亚林;张磊;郭世泽;朱峻茂;马军涛;孟楠;姚新磊;孙武剑;张宇 -专利权人：中国人民解放军总参谋部第五十四研究所
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基于表面等离激元与介质模式耦合的复合型光纤，其包括：金属纳米线、基底层和介质纳米线，金属纳米线和介质纳米线均嵌于基底层中；介质纳米线位于金属纳米线周围与金属纳米线互不接触，且介质纳米线到金属纳米线的最小距离为所传输的光信号波长的0.01-0.1倍；金属纳米线的宽度及高度均为所传输的光信号波长的0.03-0.4倍。本发明利用金属纳米线与介质纳米线的耦合显著地将光场限制在金属纳米线周围的低折射率狭缝区域，实现了对传输光场的亚波长约束，同时能够保持较低的传输损耗。
一种基于表面离激元介质模式耦合复合型光纤

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