专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]联碱法氯化铵蒸发工艺与设备-CN92101179.2无效
  • 邓天洲;周成教 - 邓天洲
  • 1992-02-25 - 1993-09-01 - C01C1/16
  • 本发明涉及联碱(联产纯碱和氯化铵)过程中氯化铵生产的一种工艺方法与设备。该工艺改进已知的热法氯化铵方法,提高多效蒸发系统的真空度,采用非金属材质及特殊金属并特别设计制作的脱氨设备和蒸发设备,实现三效顺流蒸发结晶流程,一效析盐,二效闪蒸,三效蒸发直接析铵并将常规的蒸发器和结晶器单元合为一体本发明通过改进氯化铵蒸发过程的工艺操作条件,设备材质和结构,解决了设备腐蚀问题,并通过流程设置的优化,达到蒸发过程的低消耗、高效益,使热法氯化铵得以实现工业化。
  • 联碱法氯化铵蒸发工艺设备
  • [发明专利]NMMO水溶液蒸发浓缩装置及工艺-CN202310507675.4在审
  • 代超;毛宇;张道平;夏云龙;廖蔚峰;叶翔;黄开良;温武深 - 深圳市捷晶科技股份有限公司
  • 2023-05-06 - 2023-08-25 - B01D1/26
  • 本发明公开了一种NMMO水溶液蒸发浓缩装置及工艺,NMMO水溶液蒸发浓缩装置包括蒸发系统、预热系统和闪蒸系统,蒸发系统包括多个依次相连的蒸发器,预热系统连接蒸发系统,用于预热NMMO水溶液后输送至蒸发系统,预热系统包括依次连接的多个预热器,闪蒸系统连接蒸发系统和预热系统,用于将蒸发系统、预热系统和闪蒸系统产生的冷凝水进行多级闪蒸出二次蒸汽后输送到蒸发系统。蒸发器产生的二次蒸汽用作工作后端的蒸发器的热源,预热器的热源来自二次蒸汽、蒸发完成液和冷凝水。经由本工艺及其装置蒸发后的NMMO稀溶液可浓缩至85%,汽水消耗比为0.215,具有很好的节能效益。
  • nmmo水溶液蒸发浓缩装置工艺
  • [发明专利]甲醇、乙醇水溶液的精馏工艺及装置-CN201110275934.2有效
  • 徐建涛;徐翔 - 徐建涛
  • 2011-09-16 - 2012-05-02 - B01D3/00
  • 本发明涉及一种甲醇、乙醇水溶液的精馏工艺及装置,装置部分包括预热器、蒸发塔、蒸馏塔、汽水分离器等,其中蒸发塔由隔板分为独立的上下两部分,上部设有醇冷凝器,下部设有梯度蒸发器,蒸馏塔的下部设有残液梯度蒸发器,中部为初馏区,上部为精馏区,精馏工艺分为稀液蒸发和残液蒸发两部分,稀液和残液的蒸发均采用梯度蒸发。本发明的蒸发分稀液蒸发和残液蒸发两部分,均采用梯度蒸发,提高了进入初馏塔和精馏塔的醇浓度,实现了残液排出的连续化;本工艺实现了能量的重复利用,采用安全的水为介质通过热泵重复利用;利用能量的方式使水介质在负压状态下吸收醇蒸汽的能量
  • 甲醇乙醇水溶液精馏工艺装置
  • [发明专利]一种双效MVR蒸发器及其蒸发工艺-CN201510686034.5在审
  • 朱鹏飞;汤为民 - 江苏七O七天然制药有限公司
  • 2015-10-20 - 2016-01-20 - B01D1/26
  • 本发明公开了一种双效MVR蒸发器及其蒸发工艺,包括醇提液蒸发系统、水提液蒸发系统和蒸汽压缩机,所述醇提液蒸发系统依次与水提液蒸发系统和蒸汽压缩机通过管道相连;所述醇提液蒸发系统包括依次管道连接的一效蒸发器和一效气液分离器;所述水提液系统包括依次管道连接的二效蒸发器和二效气液分离器;所述蒸汽压缩机输出端通过管道与醇提液蒸发系统中的一效蒸发器的壳程相连。本发明提供的蒸发器和蒸发工艺,可以整体保证系统的安全性和稳定性,并具有可实现模块化、自动化生产的优点。
  • 一种mvr蒸发器及其蒸发工艺
  • [发明专利]一种超快恢复器件芯片制造工艺-CN202110680350.7在审
  • 崔文荣 - 江苏晟驰微电子有限公司
  • 2021-06-18 - 2021-09-14 - H01L21/329
  • 本发明公开了一种超快恢复器件芯片制造工艺,包括以下步骤:1)来料处理:配置清洗液,硫酸:双氧水=6:1加热到120℃清洗15分钟,冲水甩干;2)场氧化:使用一定比例的氢氧合成工艺生长氧化层;3)窗口光刻:使用正胶光刻工艺确保细线条;4)硼预扩:用气态硼源预扩形成淀积层5)硼主扩:使用高纯碳化硅管高温推结并生长出较厚正面氧化层;6)背面铂蒸发:使用电子束蒸发台背面蒸发铂金属;7)铂扩散:使用1000℃高温铂扩散30分钟;8)引线孔光刻:使用正胶工艺光刻;9)正面蒸发钛镍银;10)正面金属光刻;11)背面减薄;12)背面蒸发钛镍银。本发明制作工艺简单,用蒸发铂金属与高温扩散来减少基区少子寿命,提高快恢复时间。
  • 一种恢复器件芯片制造工艺

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