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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]二维质子交换MgO:PPLN脊波导的制备方法-CN201310371386.2无效
发明人：常建华;杨镇博;顾久驭;王亚炜;尹杰 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： G02B6/134 文献下载
摘要：本发明公开了一种PPLN光波导制备方法，尤其是二维质子交换MgO:PPLN脊波导的制备方法。所述制备方法抛光晶体端表面，切割晶体形成脊波导，对脊波导和衬底镀金属保护膜后清洗掉脊波导表面的金属保护膜后，对脊波导进行二维质子交换、退火处理进而形成MgO:PPLN脊波导。
二维质子交换 mgo ppln 波导制备方法

[发明专利]电光器件-CN202180025893.3在审
发明人：长瀬健司;田家裕;宫田晋吾 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明提供一种电光器件，其具备：基板；光波导，由在所述基板上以脊状形成的电光材料膜构成；缓冲层，覆盖所述光波导而设置；以及上部电极，经由所述缓冲层设置于所述光波导上，所述缓冲层在所述光波导上的所述上部电极侧具有凹陷
电光器件

[发明专利]一种侧向耦合平面波导光栅外腔激光器-CN201310268233.5无效
发明人：孙宁宁;谭满清 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01S5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种外腔激光器，其包括一个平面光波导芯片，该芯片包括一个管芯和一个波导，波导具有一个芯层，该芯层呈脊形，在所述波导的芯层两侧具有一个侧向耦合光栅。所述管芯包括有源区、前腔面和后腔面，所述后腔面用于反射所述有源区激发的光波，所述前腔面用于传输该光波到所述波导中，所述波导的芯层耦合到该管芯的前腔面。本发明的侧向耦合平面波导光栅外腔激光器，采用无源多级侧向耦合平面波导光栅作为激光器外腔，可以简化工艺难度，降低成本。
一种侧向耦合平面波导光栅激光器

[发明专利]基于铬掩膜的铌酸锂薄膜亚微米线宽脊型光波导制备方法-CN202210453489.2有效
发明人：谢树果;田雨墨;杨燕 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铬掩膜的铌酸锂薄膜亚微米线宽脊型光波导制备方法，包括以下步骤：获取待加工的铌酸锂薄膜样品；使用电子束蒸发镀膜系统在所述铌酸锂薄膜样品表面沉积铝膜，在铝膜表面旋涂光刻胶，用电子束曝光光刻机将掩膜图案刻在样品上；将样品放置于显影液中进行显影，用电子束蒸发镀膜系统在样品表面沉积铬膜；将样品放入剥离液中，去除光刻胶，留下铬掩膜图形；利用电感耦合等离子体对样品进行刻蚀，得到铌酸锂薄膜亚微米线宽脊型光波导。该方法可以制备获得亚微米级线宽的脊型光波导，且光波导的侧壁垂直度高，基于此工艺加工的铌酸锂光波导器件体积小，易集成，具有良好的光约束条件。
基于铬掩膜铌酸锂薄膜微米线宽脊型光波导制备方法

[发明专利]光波导元件和使用其的光调制器-CN201610698462.4有效
发明人：岩塚信治;佐佐木权治;白井智士 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：光波导元件和使用其的光调制器。本发明提供一种即使减小脊宽也可以抑制TM基模的传播损耗的脊型光波导元件。其具备基板(1)和由形成于基板(1)上的铌酸锂膜构成的波导层(2)。波导层(2)具有：具有规定的厚度的平板部(4)和从平板部(4)突出的脊部(3)。平板部(4)的厚度小于在脊部(3)中传播的光的波长的0.4倍。
平板部基模光波导元件传播损耗光调制器波导层平板模基板脊部脊型光波导有效折射率铌酸锂膜波长脊宽减小传播

[发明专利]光电器件-CN202010241143.7在审
发明人：长瀬健司;田家裕;宫田晋吾 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明提供一种光电器件，其具备：基板；光波导，由在所述基板上以脊状形成的光电材料膜构成；缓冲层，覆盖所述光波导而设置；以及上部电极，经由所述缓冲层设置于所述光波导上，所述缓冲层在所述光波导上的所述上部电极侧具有凹陷
光电器件

[发明专利]一种基于亚波长光栅的LNOI模斑转换器和制备方法-CN202011603932.7有效
发明人：周奉杰;钱广;顾晓文;唐杰;孔月婵 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于亚波长光栅的LNOI模斑转换器，包括：顶层锥形波导、底层锥形波导、锥形亚波长光栅、SiO2倒锥形厚脊波导包层、SiN亚波长光栅薄层和光纤固定槽；制备方法涉及的工艺包括：顶层锥形波导和底层锥形波导制备、锥形亚波长光栅制备、SiO2倒锥形厚脊波导制备、SiN亚波长光栅制备、光纤固定槽制备。本发明采用双层锥形波导结合锥形亚波长光栅、SiN亚波长光栅和SiO2倒锥形厚脊波导的结构，通过调节波导芯层以及包层的有效折射率，实现LNOI光波导中小尺寸光模场的放大功能，进而提高LNOI光波导与单模光纤的耦合效率。
一种基于波长光栅 lnoi 转换器制备方法

[发明专利]一种脊形圆波导器件的制作方法-CN200410061051.1无效
发明人：周立兵;罗风光;曹明翠;袁菁 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2004-11-08 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：一种脊形圆波导器件的制作方法，属于光通信平面波导器件领域，其目的是实现波导掩埋深度和波导线宽无关、且偏振不敏感的平面光波导制作。本发明步骤为：对制作波导的基底材料整片进行离子交换，然后进行光刻和等离子体刻蚀，使设计的平面波导器件结构复制到基底材料上并形成脊形结构，再进行第二次离子交换，形成掩埋波导，且波导截面呈圆形。本发明不需要薄膜沉积，成本更低，工艺更简单；波导为同质材料，模场呈圆形轴对称结构，光学传输性能表现为偏振不敏感特性，解决了波导掩埋深度随波导线宽的改变而变化的问题，特别适用于制作阵列波导光栅(AWG)型器件，多模干涉(MMI)型器件等波导线宽不规则的器件。
一种脊形圆波导器件制作方法

[发明专利]一种阵列波导光栅光谱平坦化的方法-CN201510666225.5有效
发明人：叶彤;储涛;付云飞 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列波导光栅光谱平坦化的方法，该方法基于平面光波导技术，对阵列波导光栅的通道带宽有改善作用。该方法包括，在阵列波导光栅的脊形或条形波导(包括输入波导、输出波导和波导阵列)和平板波导连接处(6)，设计制作带孔洞结构(7)的过渡区(预展宽区域)过渡条形波导(或脊型波导)和平板波导，以达到模场预展宽的效果光模场经过波导传输、通过孔洞结构到达平板波导边界时，原有的高斯型模场变换为类似矩形的光模场分布，从而得到平顶的光谱响应。该方法简单易行，适用于大型多路输入多路输出阵列波导光栅，且仅需标准的平面波导制作工艺即可完成。
一种阵列波导光栅光谱平坦方法

[发明专利]基于石墨烯-硫系玻璃平面波导型近中红外光调制器-CN201610264177.1在审
发明人：陆荣国;叶胜威;田朝辉;刘天良;陈德军;张尚剑;刘永 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯‐硫系玻璃平面波导型近中红外光调制器，属于电光调制器技术领域，解决基于1.55～3μm近中红外的光学信号的集成光子器件调制和解调的难题。本发明包括基底层、设置在基底层上的脊形光波导层、第一支柱和第二支柱，在脊形光波导层上设置有第一石墨烯层和第二石墨烯层，第一石墨烯层延伸至第一支柱的上表面，第二石墨烯层延伸至第二支柱的上表面，在脊形光波导层与第一石墨烯层和第二石墨烯层
基于石墨玻璃平面波导型近中红外光调制器

[发明专利]光波导器件及其制备方法-CN201810270051.4在审
发明人：刘磊;王志仁;周砚扬;周林杰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种光波导器件及其制备方法，该光波导器件包括：衬底，依次设置于衬底上的脊型波导、光栅，其中，脊型波导包括沿第一方向排列的第一平板部、第二平板部，以及设置于第一平板部和第二平板部之间并与第一平板部和第二平板部连接的凸条本发明实施例通过在脊型波导上形成光栅，使得脊型波导呈现光栅波导特性，通过光栅对光载波引起的慢光效应，提高调制效率。
平板部光栅脊型波导凸条光波导器件衬底制备调制效率方向垂直方向排列光栅波导慢光效应依次设置邻接背对

[发明专利]用于电光调制器的波导电容器-CN201110028768.6有效
发明人：李冰 -专利权人：李冰
申请日： 2008-08-20 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：一种用于电光调制器的波导电容器，包括脊波导，所述脊波导的波导脊上刻蚀有槽型结构，并在其上加载半导体材料，所加载的半导体材料和脊波导之间有绝缘层隔离，所加载半导体材料填充至所刻蚀的槽中，其中所述加载后的波导仍保持脊波导的形状，形成封盖式波导电容；所述绝缘层上直接加载半导体材料；所述脊波导的波导脊上刻蚀有纵向槽或周期性分布的横向槽结构，所述纵向槽使波导脊形成双脊结构，所述横向槽的间隔周期略短于光波长的二分之一。本发明与现有技术相比，脊波导的波导脊上刻蚀有槽型结构，提高了单位波导导模模斑横截面所携带的电容值，同时，波导导模的有效模斑尺寸比现有的波导电容小，对光的限制因子大，有利于提高调制器的效率。
用于电光调制器波导电容器

[发明专利]一种光电神经突触忆阻器-CN202110891073.4在审
发明人：黄安平;姬宇航;高勤;王玫;肖志松 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种光电神经突触忆阻器，其结构由下至上依次包括底电极层、量子点修饰多孔结构层、二维材料层、透明顶电极层、光波导层；其特征在于：所述的光波导层为脊形光波导，具有传导光的作用，其包括有楔形输出端，经所述的光波导层的楔形输出端，可以将光垂直射入二维材料层和量子点修饰多孔结构层中。本发明通过集成光波导与光电神经突触功能结构，得到具有高对准和限域的光电控制特性，对于光电神经突触器件当中，光电协同作用的控制具有优势。
一种光电神经突触忆阻器

[发明专利]外部谐振器型发光装置-CN201580003751.1在审
发明人：近藤顺悟;山口省一郎;吉野隆史;武内幸久 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01S5/14 文献下载
摘要：光栅元件包括：脊型光波导18，其具有射入半导体激光的入射面11a和射出所需波长的出射光的出射面11b，布拉格光栅12，其由形成在脊型光波导18内的凹凸构成，以及出射侧传播部20，其设置在布拉格光栅12和出射面布拉格光栅12处的光波导的宽度W_m和出射面处的光波导的宽度W_out不同。
外部谐振器发光装置

[发明专利]一种小型化的高消光比调制器件及其使用方法-CN202110326033.5在审
发明人：傅力;潘昊;李林松 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种小型化的高消光比调制器件及其使用方法，所述高消光比调制器件包括铌酸锂薄膜调制器和起偏器，所述铌酸锂薄膜调制器包括硅衬底、在所述硅衬底上设置有铌酸锂薄膜脊波导和调制电极，所述起偏器包括铌酸锂衬底，在所述铌酸锂衬底上设置有光波导。在本发明中，通过制作高折射率差的铌酸锂薄膜脊波导，提高了波导对光波的限制能力，可以极大的缩小波导尺寸，进而减小了电极间距和电极长度。脊波导的调制电极分布于波导两侧，调制效率高于质子交换掩埋型波导，提高了调制效率。
一种小型化高消光调制器件及其使用方法

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