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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种聚二氧乙烯噻吩复合膜的制备方法及应用-CN201510875842.6有效
发明人：任帅斌;耿继亚;陈占飞;徐方成 -专利权人：厦门大学
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：一种聚二氧乙烯噻吩复合膜的制备方法及应用，涉及电化学传感器。聚二氧乙烯噻吩复合膜的制备方法：(1)分别配制二氧乙烯噻吩EDOT溶液和BSA溶液；(2)将步骤(1)配制的二氧乙烯噻吩EDOT溶液与步骤(1)配制的BSA溶液混合，得混合液；(3)以Pt电极为工作电极及对电极，Ag/AgCl为辅助电极，使用CHI621B电化学工作站，在步骤(2)的混合液中进行电化学扫描，得到聚二氧乙烯噻吩复合膜，即PEDOT(BSA)复合膜。所制备的聚二氧乙烯噻吩复合膜即PEDOT(BSA)复合膜可在制备电极材料中应用，所述电极材料包括但不限于铂丝电极、碳纸电极、Au电极等。
一种二氧乙烯噻吩复合制备方法应用

[发明专利]一种制造聚噻吩基氧化石墨烯还原复合材料的方法-CN201310235014.7无效
发明人：徐建华;杨文耀;李金龙;张辉;杨亚杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造聚噻吩基氧化石墨烯还原复合材料的方法，包括：将氧化石墨烯片分散在第一溶剂中；加入噻吩单体；加入氧化剂溶液，并冰浴反应；加入还原剂溶液，充分搅拌之后水浴反应；去除杂质离子，然后过滤并干燥滤出物，获得所述聚噻吩基氧化石墨烯还原复合材料。本发明的实施例的方法中，利用氧化石墨烯（GO）的优良的分散性，将氧化石墨烯良好分散于溶液中，形成空间夹层结构，再将噻吩单体(EDOT)分散吸附于氧化石墨烯片上，聚合形成聚噻吩-氧化石墨烯（PEDOT-GO）复合材料，再将GO还原，形成聚噻吩-石墨烯（PEDOT-GN）复合材料，制备过程简单，制得的复合材料综合性能优异。
一种制造噻吩氧化石墨还原复合材料方法

[发明专利]光活化杀虫剂氨基甲酸多联噻吩酯-CN02149736.2有效
发明人：徐汉虹;胡林 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2002-12-25 - 公布日： 2003-06-25 - 主分类号： A01N47/18 文献下载
摘要：本发明涉及一类新型光活化杀虫剂氨基甲酸多联噻吩酯。氨基甲酸多联噻吩酯既含有光活化杀虫剂噻吩类化合物的活性基团，又含有氨基甲酸酯类杀虫剂的活性基团。氨基甲酸多联噻吩酯既保留了氨基甲酸酯类杀虫剂高效的优点，又具备噻吩类光活化杀虫剂低残留的优点，有利于提高药效，延缓抗药性产生。
活化杀虫剂氨基甲酸噻吩

[发明专利]电解电容器及其制造方法-CN201880035166.3在审
发明人：福井齐 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01G9/028 文献下载
摘要：上述固体电解质层包含导电性高分子，上述导电性高分子包含自掺杂型的聚(3，4‑乙烯二氧噻吩)类。
导电性高分子固体电解质层阳极体乙烯二氧噻吩电解电容器电介质层衍生物层自掺杂

[发明专利]改进的鞋类-CN93101606.1无效
发明人：约翰·亚瑟·达尔顿 -专利权人：创新鞋业有限公司
申请日： 1993-02-17 - 公布日： 1993-10-13 - 主分类号： A43B1/14 文献下载
摘要：本发明涉及的鞋类制品其鞋底至少以部分本征导电聚合物(ICP)制作；其中ICP是以碘配制的聚苯胺、聚二苯胺、聚吡咯、polythioprene、聚噻吩、polythicnylcncvinylene、并噻吩
改进鞋类

[发明专利]一种导电聚3,4-乙撑二氧噻吩复合膜的制备方法-CN201310561809.7有效
发明人：李建雄;张美娟;刘安华 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电聚3,4‑乙撑二氧噻吩复合膜的制备方法。本发明所述方法为在聚合物基材表面制作氧化剂膜后浸入3,4‑乙撑二氧噻吩溶液，使3,4‑乙撑二氧噻吩单体在聚合物基材表面氧化聚合，生成导电聚3,4‑乙撑二氧噻吩复合膜。本发明的优点有3,4‑乙撑二氧噻吩在聚合物基材表面液相沉降聚合，所需设备简单，工艺调控方便，原料利用率高。易于采用连续加工工艺制作大面积、高品质导电聚3,4‑乙撑二氧噻吩复合膜。
一种导电二氧噻吩复合制备方法

[发明专利]一种氧化石墨烯/聚噻吩衍生物复合材料、其制备方法及应用-CN201110105712.6有效
发明人：周明杰;吴凤;王要兵 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2011-04-26 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于电化学材料领域，其公开了一种氧化石墨烯/聚噻吩衍生物复合材料、其制备方法和应用；该复合材料的制备方法包括步骤：制备氧化石墨；制备氧化石墨烯溶液，制备氧化石墨烯和噻吩衍生物单体的混合溶液；制备氧化石墨烯/聚噻吩衍生物复合材料。本发明提供制得氧化石墨烯/聚噻吩衍生物复合材料，具有放电性能好、循环寿命和热稳定性能高等优点。
一种氧化石墨噻吩衍生物复合材料制备方法应用

[发明专利]一种有机场效应晶体管、制备方法及应用-CN202310781543.0在审
发明人：沈筠皓;李雯;钱浩文;王宇;赵赳;仪明东 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：有机场效应晶体管，包括栅极层；位于栅极层表面的栅绝缘层；位于栅绝缘层表面的功能层；功能层为聚苯乙烯和聚[2,6′]‑4,8‑二(5‑乙基己基噻吩)苯并[1,2‑b；3,3‑b]二噻吩]{3‑氟‑2[(2‑乙基己基)羰基]噻吩[3,4‑b]噻吩二基}的共混膜；位于功能层表面的有机半导体层；位于有机半导体层表面的源电极和漏电极。本发明提供的有机场效应晶体管能够同时实现存储器和光电突触晶体管功能，在构建类脑计算系统中中具有巨大的应用潜力。
一种有机场效应晶体管制备方法应用

[发明专利]二噻吩苯并三唑基聚合物材料及其光伏应用-CN201010231541.7无效
发明人：邹应萍;潘春跃;张振华;刘波;杨苗;丁娉;曾望东 -专利权人：中南大学
申请日： 2010-07-20 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：一系列二噻吩苯并三唑聚合物材料，本发明通过将二噻吩苯并三唑单元通过碳-碳单键或碳-碳双键与另一个芳香环、芳香杂环或者它们的衍生物相连接，得到聚二噻吩苯并三唑类衍生物材料。
噻吩三唑基聚合物材料及其应用

[发明专利]低聚噻吩－亚芳基衍生物和使用其的有机薄膜晶体管-CN200510113849.0无效
发明人：郑银贞;金昌柱;李相润;李芳璘;韩国珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-10-19 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： C07D333/18 文献下载
摘要：本发明披露一种低聚噻吩－亚芳基衍生物，其中具有n型半导体特征的亚芳基被引入至具有p型半导体特征的低聚噻吩中，从而同时表现出p型和n型半导体特征。本发明进一步披露使用该低聚噻吩－亚芳基衍生物制成的有机薄膜晶体管。
噻吩亚芳基衍生物使用有机薄膜晶体管

[发明专利]一种双聚噻吩材料体系及其应用-CN202310559927.8在审
发明人：叶龙;高梦圆;吴俊江;齐清春 -专利权人：天津大学;松山湖材料实验室
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种双聚噻吩材料体系及其应用，属于太阳能电池领域，包括任意两种结构不同的聚噻吩材料；本发明还公开了该双聚噻吩材料体系在光伏电池中的应用。本发明不仅能够避免材料相容性差异过大以及能级不匹配带来的问题，优化有机光伏活性层材料的薄膜形貌，进而有效提升光伏器件性能和热稳定性；还能简化第三组分的筛选过程，无需复杂的合成过程，仅需将两种低成本聚噻吩材料共混，大大降低生产成本，具备经济且环境友好的优点；另外，本发明提出的双聚噻吩材料体系可直接作为钙钛矿太阳能电池与量子点太阳能电池的界面层材料，加速电荷的传输与有效收集，大大提升光伏器件性能。
一种噻吩材料体系及其应用

[发明专利]一种亲水性聚噻吩接枝氧化石墨烯超级电容器电极材料及其制备方法-CN201811310103.2有效
发明人：李月琴;周敏雅;夏宗彪;龚强 -专利权人：南京林业大学
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种亲水聚噻吩接枝氧化石墨烯超级电容器电极材料及其制备方法。本发明利用长链烷氧基醇氨基取代的聚噻吩和氧化石墨烯为原料，然后通过酯化的方法进行接枝，制备得到亲水聚噻吩接枝氧化石墨烯的纳米片。本发明的复合电极材料形貌可控，聚噻吩均匀地接枝于氧化石墨烯上，具有比表面积大、导电性能优异、化学性质稳定等优点。本发明中聚噻吩和氧化石墨烯的协同作用能有效地减缓活性物质在充放电过程中的收缩和膨胀的现象，提高了比电容量，降低了电流阻抗，加强了循环稳定性。
一种亲水性噻吩接枝氧化石墨超级电容器电极材料及其制备方法

[发明专利]一种新型聚噻吩分散体系及其制备方法和应用-CN201310185099.2有效
发明人：陈鸣才;张友雄;许凯;于志伟;彭军 -专利权人：中科院广州化学有限公司
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型聚噻吩分散体系及其制备方法和应用，属于化工材料领域。本发明涉所述的新型聚噻吩分散体系，是由0.01～1.00质量份3,4-乙烯二氧噻吩；0.04～14.00质量份主链共轭型聚电解质；0.03～3.30质量份氧化剂；40～400质量份溶剂组成，3,4-乙烯二氧噻吩单体在水溶性主链共轭型聚电解质的水溶液中原位氧化聚合形成蓝黑色油墨状的分散体系通过溶剂的缓慢挥发直接形成致密的薄膜，该膜噻吩分子沿着聚电解质分子链平行排列堆积，形成高度取向的晶态结构，导电率和稳定性明显提高。
一种新型噻吩分散体系及其制备方法应用

[发明专利]聚噻吩/磺酸水性聚氨酯导电材料及其制备方法与应用-CN201710214387.4有效
发明人：何明辉;崔艳艳 -专利权人：广州纽楷美新材料科技有限公司
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C08L75/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚噻吩/磺酸水性聚氨酯导电材料及其制备方法与应用，所述聚噻吩/磺酸水性聚氨酯导电材料的制备方法包括如下步骤：（1）将分子量为15000～20000的聚四氢呋喃与六次甲基二异氰酸酯、二羟甲基丙酸、盐酸羟胺、胺基磺酸盐反应，结束后加水乳化，得到磺酸/水性聚氨酯乳液；（2）将磺酸/水性聚氨酯乳液配置成水溶液，加入单体3,4‐乙撑二氧噻吩，使其在水溶液中聚合，反应结束后除去无机盐得到聚噻吩/磺酸水性聚氨酯导电材料所制备出的聚噻吩/磺酸水性聚氨酯导电材料导电性非常突出，且导电成膜性能好，可用于制备PET表面抗静电图层。
噻吩水性聚氨酯导电材料及其制备方法应用

[发明专利]一种彩膜基板及其制备方法-CN201711275653.0有效
发明人：邵源;闫春秋 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明提供一种彩膜基板及其制备方法，所述方法包括以下步骤：先提供一基板，在所述基板上制备彩膜色阻层，将经过高电阻低粘度处理过的聚3,4‑乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸钠材料涂布于所述彩膜色阻层上，形成聚3,4‑乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸钠膜；然后对涂布有所述聚3,4‑乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸钠材料的所述基板表面进行预设处理，使所述聚3,4‑乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸钠膜膜面结构转变为低电阻状态，进行固化处理；最后图形化所述聚3,4‑乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸钠膜以形成透明电极。
一种彩膜基板及其制备方法

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