专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果12712946个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种拓扑绝缘波长转换器件-CN202110496373.2在审
  • 李国强 - 李国强
  • 2021-05-07 - 2021-08-24 - B81B7/04
  • 本发明涉及波长转换领域,具体提供了一种拓扑绝缘波长转换器件,包括拓扑绝缘和贵金属微纳结构,贵金属微纳结构周期性地置于拓扑绝缘的表面;应用时,应用可见光波段激光垂直或倾斜照射拓扑绝缘的表面。在入射光照射下,贵金属微纳结构产生局域表面等离激元共振,在拓扑绝缘表面形成强电场,增强了拓扑绝缘的四波混频效应,从而实现高效率的波长转换。
  • 一种拓扑绝缘体波长转换器件
  • [发明专利]具有背侧支撑层的绝缘上半导体-CN201080031818.X有效
  • S.B.莫林;P.A.尼加德;M.A.斯图伯 - IO半导体公司
  • 2010-07-14 - 2012-05-30 - H01L21/78
  • 本发明实施例为绝缘上半导体(SOI)结构提供了有效支撑。本发明实施例还可为SOI结构提供改进的散热性能,同时保持SOI结构所伴随的有益的电器件特性。在一个实施例中,公开了一种集成电路。集成电路包括:来自绝缘上硅晶圆的绝缘上硅芯片。所述绝缘上硅芯片具有有源层、绝缘层、基板以及加强层。所述基板由挖掉的基板区域和支撑区域组成,所述支撑区域与所述绝缘层接触。所述支撑区和所述加强层域被配置成共同作用,以便在从所述绝缘上硅晶圆切片出所述绝缘上硅芯片时为所述绝缘上硅芯片提供所需的大部分稳定力。
  • 具有支撑绝缘体上半导体
  • [实用新型]一种改进结构的插头-CN96212320.X无效
  • 张永昌 - 张永昌
  • 1996-06-12 - 1998-01-28 - H01R13/62
  • 本实用新型涉及改进结构的插头,本改进结构的插头具有内导件、外导件和绝缘,在该绝缘中央具有穿孔,该绝缘外围包覆有所述外导件,内导件从绝缘后端压入绝缘的穿孔内并由塞封闭固定,内导件后端的焊接片伸出于绝缘后端,本实用新型特征是在内导件前端的D型管状上开设一条沿轴向的长开口,使D型管状具有可扩张性,便于制造与插接。
  • 一种改进结构插头
  • [实用新型]一种干式变压器线圈结构-CN202120720596.8有效
  • 许凯旋;梁庆宁;周登灵;宋丹菊;方文杰;李万欢;谭敬育 - 海鸿电气有限公司
  • 2021-04-09 - 2021-11-09 - H01F27/32
  • 本实用新型公开了一种干式变压器线圈结构,包括线圈导体和覆盖线圈导体的绝缘部;绝缘部包括位于线圈导体的内侧的内绝缘和位于线圈导体的外侧的外绝缘;内绝缘与线圈导体之间设有多个撑条,内绝缘、线圈导体和两个相邻的撑条形成第一散热通道;上绝缘、下绝缘、线圈导体和外绝缘形成第二散热通道;第二散热通道的至少一端设有散热孔。通过设置内绝缘和外绝缘,加强线圈内外侧的绝缘性能,减小线圈导体的绝缘距离,降低变压器线圈的生产制造成本;通过设置第一散热通道和第二散热通道,保证了线圈导体的散热性能,也有效地减小线圈导体的裸露面积,提高干式变压器线圈结构的安全性。
  • 一种变压器线圈结构
  • [实用新型]侧立式USB3.0连接器的组装结构-CN201120429249.6有效
  • 李重志 - 蔡添庆
  • 2011-11-03 - 2012-06-20 - H01R13/40
  • 侧立式USB3.0连接器的组装结构,包括有:中空筒状的外壳,前端形成插口;第一绝缘与第一信号端子注模成型在一起,第一绝缘的前端设有舌片,第一信号端子的接触部收容在舌片上;第二绝缘上设有端子孔,第二信号端子对应第二绝缘的端子孔插入安装;所述第二绝缘与第一绝缘扣合为一,第二信号端子的接触部延伸定位在舌片上;第二绝缘与第一绝缘一起插入外壳内中孔中,舌片定位在插口内且为侧立插接使用;后盖封盖于外壳的后端。本实用新型的第一绝缘与第二绝缘组合在一起后再与外壳组合,结构简单,优化了组合结构,组装更方便,且端子与绝缘的连接牢固,确保对插使用。
  • 立式usb3连接器组装结构
  • [发明专利]一种小型半导体电嘴结构及加工方法-CN201811378569.6有效
  • 张宁;张玉娟;章雅玲;任拓;高淑娟 - 陕西航空电气有限责任公司
  • 2018-11-19 - 2021-01-01 - F02C7/266
  • 本发明提出一种小型半导体电嘴结构及加工方法,电嘴结构由壳体、绝缘、中心电极和衬套组成;壳体采用分段结构焊接而成,上壳体采用4J34铁镍钴合金,下壳体采用GH3044高温合金,绝缘为管状台阶结构,采用GLC‑58高铝瓷,绝缘小径端外侧面及端面有半导体釉;中心电极插入绝缘内,绝缘装于壳体内部,衬套装于绝缘和壳体之间,在钎焊部位通过陶瓷金属化钎焊将中心电极、绝缘和壳体三者焊接为一。DDA0001871372160000011.JPG" imgContent="drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="no" />的小型半导体电嘴,产品结构紧凑,用一个绝缘实现了电嘴半导体特性、密封和绝缘功能;焊接工艺采用陶瓷‑金属封接技术,将中心电极、绝缘和壳体三者焊接为一,具有高的结合强度、良好的密封性及优良的耐热性能。
  • 一种小型半导体结构加工方法
  • [实用新型]一种简单结构电力电缆-CN202021435028.5有效
  • 沈丽亚 - 常熟市邦知光电科技有限公司
  • 2020-07-20 - 2021-01-26 - H01B7/00
  • 本申请属于线缆技术领域,涉及一种简单结构电力电缆,具三个输电单元、绝缘部件,其特征在于绝缘部件由三个绝缘构成,三个绝缘的一端连在一起,三个绝缘的另一端连在一起,且两者之间形成开口,三个绝缘都为圆环柱体的一部分,第一、二绝缘间有第一腔体,第二、三绝缘间有第二腔体,第三绝缘内部有第三腔体,第三腔体与开口相连通,第一绝缘的内径大于第二绝缘的内径,第二绝缘的内径大于第三绝缘的内径;第一输电单元在第一腔体内本申请具以下主要有益效果:结构更简单更紧凑、产品直径更小、成本更低、重量更轻、施工更快捷、散热效果更优良。
  • 一种简单结构电力电缆
  • [实用新型]插接式绝缘-CN201620387578.1有效
  • 吴国明 - 吴国明
  • 2016-04-30 - 2016-08-31 - H01B17/32
  • 本实用新型公开了一种插接式绝缘子,旨在提供一种运输方便的插接式绝缘子,其技术方案要点是绝缘子本体包括呈分体结构设置的第一绝缘和第二绝缘,第一绝缘与第二绝缘之间卡扣连接有卡接机构,第一绝缘相对于第二绝缘的一端设有套接部,第二绝缘相对于第一绝缘的一端设有插接部,套接部设有用于供插接部插接的套接孔,套接孔底部凸设有用于推动卡接机构的推杆,插接部设有用于安置卡接机构的安装孔。插接部插接于套接孔内后,推杆能通过推动卡接机构令第一绝缘与第二绝缘固定连接,实现了绝缘子本体的分体设计,降低绝缘子本体在运输过程中的结构长度,因此方便绝缘子本体的运输,同时也方便工作人员将其拿到连接塔上
  • 插接绝缘子
  • [实用新型]高密封接线端子板-CN201220374022.0有效
  • 何俊凌 - 上海雄润树脂有限公司
  • 2012-07-31 - 2013-03-13 - H01R13/502
  • 本实用新型公开了一种高密封接线端子板,属于电力技术领域,结构上包括绝缘、接线柱,还包括绝缘胶,绝缘胶注于接线柱与绝缘结合处,绝缘胶为弹性绝缘,其厚度优选为1~2mm,接线柱对称的突出设置于绝缘两侧,且表面包覆有绝缘;本实用新型通过在接线柱与绝缘结合处增加一层弹性绝缘,大大增加了其密封性能,同时可提高其耐温差性能,延长其使用寿命。
  • 密封接线端子
  • [发明专利]多层各向异性拓扑绝缘克尔偏转效应的计算方法-CN202011637255.0在审
  • 曾然;沈飞翔;陈伟强;杨淑娜;李浩珍;胡淼;李齐良 - 杭州电子科技大学
  • 2020-12-31 - 2021-04-20 - G06F30/20
  • 本发明涉及多层各向异性拓扑绝缘克尔偏转效应的计算方法,包括以下步骤:步骤一:建立多层各向异性拓扑绝缘结构模型;步骤二:确定各向异性拓扑绝缘的电磁特性;步骤三:确定边界条件;步骤四:计算多层各向异性拓扑绝缘结构的传输矩阵;步骤五:计算多层各向异性拓扑绝缘结构的反射系数;步骤六:计算所述模型下的反射电磁波的极化偏转率和克尔转角;本发明通过传输矩阵法计算了多层各向异性拓扑绝缘克尔偏转效应,能够准确地分析多层各向异性拓扑绝缘克尔偏转特性;本发明能够准确地反映出各向异性拓扑绝缘表面的磁化方向、层厚度、拓扑磁电极化率、入射角以及各向异性拓扑绝缘层数等影响因素下反射电磁波的克尔偏转效应。
  • 多层各向异性拓扑绝缘体克尔偏转效应计算方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top