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[发明专利]微电子接触件结构-CN200380109300.3无效
发明人：加里·W·格鲁贝;加埃唐·L·马蒂厄;亚历克·马德森 -专利权人：佛姆费克托公司
申请日： 2003-12-18 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： G01R1/067 文献下载
摘要：本发明涉及一种沿着一中心纵轴(101)设置的伸长的、柱状的微机械结构(100)；所述结构由叠层结构层(102，104，106)制成，其中每一个层由一种结构材料构成。所述层界定一在所述结构近端的大体刚性的基座部分(108)、一从所述基座部分沿所述中心轴延伸的弹性中间部分(110)和一在所述结构远端从所述弹性部分延伸的触尖(112)。接触件结构的弹性部分由界定在所述层中的弹性臂构成。所述弹性臂的相对端可相对彼此绕所述中心轴成成角度地偏移。因此，当所述接触件结构在一轴向上受到压缩时，所述触尖将绕所述中心轴旋转，而所述基座保持固定，从而对所述触尖提供了有利的擦拭作用。
微电子接触结构

[发明专利]接触孔的刻蚀方法及接触孔刻蚀结构-CN202010401268.1在审
发明人：刘俊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成主要成分为二氧化硅的层间膜；采用光刻工艺定义出多晶硅栅上接触孔和有源区上接触孔的形成区域；采用二氧化硅对多晶硅高刻蚀选择比的刻蚀工艺对所述层间膜进行第一次刻蚀直至多晶硅栅的顶面露出停止本发明还公开接触孔刻蚀结构。本发明加大对多晶硅的刻蚀量，使接触孔与多晶硅的接触面积增大，从而显著降低接触孔与多晶硅栅的接触电阻，保证器件的多晶硅栅的电阻及整个电路的性能。
接触刻蚀方法结构

[发明专利]接触孔制作方法和接触孔连接结构-CN202111252524.6在审
发明人：林筱竹;刘大伟 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔制作方法，包括：按设计工艺形成多晶硅、有源区和高阻连接层；多晶硅、有源区和高阻连接层上形成接触孔，所述接触孔竖直方向剖面底部宽度小于接触孔顶底部宽度；接触孔底部宽度为设计宽度。本发明还提供了一种接触孔连接结构。本发明通过改变接触孔和高阻连接层的结构，在不改变工艺的前提下，能在多晶硅和有源区接触孔对准的同时能避免高阻连接层的接触孔发生偏移，使接触孔对准高阻连接层，满足设计要求，提高器件的性能。
接触制作方法连接结构

[发明专利]一种接触孔接触电阻测试结构-CN202210395915.1在审
发明人：张婷;杨作东;彭翔;唐小亮;王奇伟 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种接触孔接触电阻测试结构，所述结构包括第一测试结构和第二测试结构，第一测试结构包括形成于半导体衬底中且阵列排列的第一有源区，第一有源区的两端分别设有第一接触孔，每行中的第一有源区通过第一接触孔相连形成行链条，行链条间通过所述第一接触孔相连形成串联的第一链条结构；第二测试结构包括形成于半导体衬底中且阵列排列的第二有源区，第二有源区的两端分别设有第二接触孔，每列中的第二有源区通过第二接触孔相连形成列链条，列链条间通过第二接触孔相连形成串联的第二链条结构利用本发明的测试结构可以直接从电阻值判断靠近浅沟道隔离区的接触孔与有源区SiGe是否接触良好，同时监测两个方向的接触孔相对有源区的漂移情况。
一种接触电阻测试结构

[发明专利]接触孔的形成方法及接触孔结构-CN202211327486.0在审
发明人：张宏敏 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种接触孔的形成方法，包括：设置沟槽于衬底，沟槽填充有绝缘层；形成介质层于衬底上；形成具有开口的光阻层于介质层上；部份刻蚀对应沟槽的位置的介质层，及部份刻蚀沟槽的绝缘层，形成聚合物，并使开口贯穿介质层及部份绝缘层并延伸至沟槽的第一位置；执行聚合物清洗工序，以清除聚合物；部份刻蚀经过聚合物清洗工序的绝缘层，使开口贯穿部份绝缘层并延伸至沟槽的第二位置而形成接触孔；去除光阻层。透过聚合物清洗工序清除堆积在沟槽底部的聚合物，可改善接触孔的刻蚀速率。
接触形成方法结构

[发明专利]接触孔的制作方法以及接触孔结构-CN202211578805.5在审
发明人：孟晋辉;丁甲;张继伟 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H10B53/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触孔的制作方法以及接触孔结构。提供一基底，所述基底包括存储单元和和覆盖所述存储单元的绝缘层，所述存储单元包括第一电极板和第二电极板，所述第二电极板远离所述第一电极板的一侧连通有初始通孔；在所述绝缘层形成沟槽，所述沟槽的底部与所述第一电极板接触；通过湿法刻蚀进一步在所述第一电极板内与所述初始通孔相对应的位置形成接触孔。本发明采用两步刻蚀的方法，既增加了接触孔和第一电极板的接触面积，又保护了中间材料层不受损耗，解决了因为刻蚀负载效应造成的第一电极板和第二电极板短路的问题。
接触制作方法以及结构

[实用新型]电磁接触器可动接触子改良结构-CN201220387326.0有效
发明人：梁明煜;刘琴;林鹏东;黄文俊 -专利权人：厦门士林电机有限公司
申请日： 2012-08-07 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01H50/54 文献下载
摘要：本实用新型公开一种电磁接触器可动接触子改良结构，包括基座、跳脱连杆、若干固定接触子及若干可动接触子；基座采用绝缘材料制成；跳脱连杆为可上下活动连杆并安装于基座上；固定接触子对称设于基座两侧；可动接触子呈杆状且平行设置于跳脱连杆的顶端；跳动连杆顶端设有若干定位槽，所述可动接触子卡合于定位槽内，以固定可动接触子，提高可动接触子与笃定接触子接触的稳定性。
电磁接触器接触改良结构

[实用新型]电磁接触器铁芯接触点导引结构-CN201220387447.5有效
发明人：郭敏祥;林鹏东;刘琴;黄文俊 -专利权人：厦门士林电机有限公司
申请日： 2012-08-07 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01H50/14 文献下载
摘要：本实用新型公开一种电磁接触器铁芯接触点导引结构，该电磁接触器内部具有方形孔结构的绕线座上，该绕线座中央的方形孔在电磁接触器组立时，提供了可动铁芯与固定铁芯装配的容置空间，同时，亦形成可动铁芯在受到固定铁芯磁力吸引后滑动的结构空间；借方形孔壁断差结构设计，使得可动铁芯在做动前（通电前）即被导正在适当的位置上，在受磁（通电后）做动时，因方形壁面断差所形成的定位导引效果，使得可动铁芯得以准确地与固定铁芯磁力线平面相贴合及碰撞，达到导通电源与电磁音避免之目的
电磁接触器接触导引结构

[实用新型]交流接触器N极接触板结构-CN201721027673.1有效
发明人：刘振翔;首英;肖体锋 -专利权人：浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01H50/54 文献下载
摘要：一种交流接触器N极接触板结构，所述交流接触器的N极接触板与基座的安装槽相配合，所述N极接触板包括竖向的连接片，所述连接片上设有弹性部，所述弹性部沿连接片的宽度方向凸出于连接片的第一侧面，并且，所述N极接触板的连接片的宽度与安装槽相对应部分的宽度相当，使得N极接触板依靠弹性部的弹性形变固定在安装槽内。本实用新型提供一种交流接触器N极接触板结构，通过设有弹性部，实现N极接触板弹性固定在基座的安装槽内，结构简单，便于安装，降低安装难度，提高安装效率和可靠性，有效避免安装时基座破损，保障产品的质量。
交流接触器接触板结

[实用新型]一种接触装置和自动充电接触结构-CN202120717436.8有效
发明人：徐海亮 -专利权人：蓝思智能机器人（长沙）有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01R13/629 文献下载
摘要：本申请公开了一种接触装置和自动充电接触结构，接触装置包括导向组件、弹性件和至少一组接触组件，接触组件包括两个相对分布的电极接触板，至少一个电极接触板与导向组件滑动配合，弹性件与可滑动的电极接触板连接，弹性件的弹性回复力控制与弹性件连接的电极接触板靠近另一电极接触板应用本申请提供的接触装置，电极在伸入至两个电极接触板之间后，弹性件将电极接触板压紧在电极的侧部，电极与电极接触板保持稳定连接。
一种接触装置自动充电结构

[实用新型]接触器绝缘结构及接触器-CN202222783592.1有效
发明人：冉勇;施钰 -专利权人：德力西电气有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01H50/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种接触器绝缘结构及接触器，属于接触器技术领域。接触器绝缘结构包括壳体组件、触头支持和隔弧板。壳体组件包括沿接触器的高度方向连接的主壳体和分体式的辅助壳体，壳体组件具有滑移腔，主壳体设有用于安装主触头的主腔，辅助壳体设有用于安装辅触头的辅腔，主腔和辅腔均与滑移腔连通。隔弧板位于主腔与滑移腔之间，且与壳体组件连接，可以减小主腔内的电弧进入辅腔的可能，也可以减小辅腔内的电弧进入主腔的可能，因此可以实现主腔与辅腔之间的电气隔离，减小主腔与辅腔的相互影响，提高接触器的使用安全性
接触器绝缘结构

[发明专利]具有硅指状接触器的接触结构-CN03804177.4无效
发明人：罗伯特·爱德华·阿尔达斯;西奥多·A·库利 -专利权人：株式会社爱德万测试
申请日： 2003-02-19 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：一种用于与接触目标进行电连接的接触结构。这一接触结构由一个安装有多个接触器的接触衬底形成。每一个所述接触器由一个具有倾斜的端的硅基底、一个形成在所述硅基底上并且具有一个支持端和一个接触端的硅杆、以及一个形成在硅杆的顶表面上的导电层形成。接触端明显从硅基底伸出。把接触器安装在接触衬底上，以使可以通过一种粘合剂，把硅基底和支持端连接于接触衬底的表面，从而沿一个预先确定的对角线方向定向所述硅杆。
具有硅指状接触器接触结构

[发明专利]形成接触结构的方法和使用接触结构制造的半导体器件-CN200910259030.3有效
发明人：朴瑛琳;安亨根;吴圭焕;安东浩;李琎一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L21/8229 文献下载
摘要：本发明提供了形成接触结构的方法以及使用该接触结构制造的半导体器件。接触结构的形成可以包括在衬底上形成第一成型图案，形成绝缘层以至少覆盖第一成型图案的侧壁，形成第二成型图案以覆盖绝缘层的侧壁并且与第一成型图案隔开，移除第一和第二成型图案之间的绝缘层的部分以形成孔，以及在第一和第二成型图案之间形成绝缘图案，以及在孔中形成接触图案。
形成接触结构方法使用制造半导体器件

[发明专利]用于检测接触结构的不正确机械接触的接触布置和方法-CN201410481863.5在审
发明人： W.霍恩;M.维斯纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：用于检测接触结构的不正确机械接触的接触布置和方法。提供了接触布置，其包括接触结构和感测结构。感测结构可被布置在接触结构附近。感测结构可被布置成使得接触结构的正确机械接触将不影响感测结构且接触结构的不正确机械接触将影响感测结构。
用于检测接触结构不正确机械布置方法

[发明专利]降低接触孔接触电阻的结构及其制造方法-CN202310631053.2在审
发明人：施江;李刚;张亮 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种降低接触孔接触电阻的结构，包括衬底，衬底上形成有栅极结构以及位于栅极结构两侧的源、漏区，在衬底上形成有覆盖栅极结构的层间介质层结构，在层间介质层结构上形成与源、漏区连通的接触孔；接触孔的底部形成有NiSi层，NiSi层上形成有TiSi层；接触孔的侧壁形成有依次堆叠的Ti层、第二氮化钛层、第三氮化钛层；接触孔中形成有导电金属层。本发明在接触孔底部形成NiSi层、TiSi层双层结构降低接触电阻，提升器件性能。
降低接触电阻结构及其制造方法