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[发明专利]一种主动注入电流触发锁定的本地静电芯片保护电路-CN201610759730.9在审
发明人：李煜文;聂琦;叶菲;陈效军 -专利权人：绍兴嘉恒创能电子科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种静电保护设计，提出一种主动注入电流从而触发箝位开关（CMOS锁定或寄生NPN打开）以提高保护效能的方法。该电路包括触发部分和箝位开关部分。通过RC触发，主动注入电流从而触发CMOS锁定或寄生NPN，从而打开本地箝位开关。箝位开关部分可以是CMOS寄生之可控硅（SCR），也可以是寄生的NPN双极型三极管。
一种主动注入电流触发锁定本地静电芯片保护电路

[发明专利]一种主动注入电流触发锁定的本地静电芯片保护电路-CN202110945976.6在审
发明人：张飞武;李煜文;刘赛君 -专利权人：宁波同舟文化传媒有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种静电保护设计，提出一种主动注入电流从而触发箝位开关（CMOS锁定或寄生NPN打开）以提高保护效能的方法。该电路包括触发部分和箝位开关部分。通过RC触发，主动注入电流从而触发CMOS锁定或寄生NPN，从而打开本地箝位开关。箝位开关部分可以是CMOS寄生之可控硅（SCR），也可以是寄生的NPN双极型三极管。
一种主动注入电流触发锁定本地静电芯片保护电路

[发明专利]具有无源箝位电路的切换模式电源装置-CN200810081989.8有效
发明人：洪亨源;郑智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H02M3/28 文献下载
摘要：一种切换模式电源装置，包括变压器、用于调节提供给变压器的初级线圈的功率的主开关、用于抑制主开关的电压应力的无源箝位电路、和用于在切换模式电源装置的备用模式中禁止无源箝位电路的箝位操作的控制电路。在备用模式中，在无源箝位电路中不消耗功率，因此可以显著地减少备用模式中消耗的功率。
具有无源箝位电路切换模式电源装置

[发明专利]箝位电路以及共模电压产生电路-CN201110223789.3无效
发明人：林进富;黄志豪 -专利权人：奇景光电股份有限公司;承景科技股份有限公司
申请日： 2011-08-05 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：一种箝位电路以及共模电压产生电路。该箝位电路，包含：一控制电路，用以产生一控制讯号；至少一可调式电流源，用以接收该控制讯号，以提供至少一充电电流来对至少一电容进行充电或使该电容进行放电，以产生一箝位电压；以及一比较器，根据该箝位电压以及一参考电压来产生一比较结果
箝位电路以及电压产生

[发明专利]升压转换装置及升压转换电路-CN201110234341.1无效
发明人：赖庆明 -专利权人：旭丽电子(广州)有限公司;光宝科技股份有限公司
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：一种升压转换电路，包含第一电感、第一开关、第二电感、第二开关、第一箝位二极管及第一储能组件。第一电感与第二电感的一端皆接收一电源电力，另一端分别耦接第一及第二开关；第一箝位二极管的阳极耦接第一电感与第一开关的耦接处，其阴极耦接于一负载；第一储能组件耦接在第二电感与第二开关的耦接处与第一箝位二极管的阴极之间当第一开关为非导通且第二开关为导通时，第一电感对第一储能组件释能。当第一开关为导通且第二开关为非导通时，第一储能组件会与第二电感释能并输出至一输出电容与负载。
升压转换装置电路

[发明专利]消弧装置和多级消弧设备-CN201980009331.2有效
发明人： H·舍克维斯特;S·赫内默德;L·埃普雷希特;T·舒特;M·斯图德 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：之间并且构造成响应于超过触发电路(B)的至少一个触发元件两端的阈值电压而输出触发信号；正极侧信号电路(C)和负极侧信号电路(D)，该正极侧信号电路和该负极侧信号电路构造成分别根据从触发电路(B)输入的正电压信号或负电压信号输出正箝位信号或负箝位信号；正极侧过电压箝位电路(E)和负极侧过电压箝位电路(F)，该正极侧过电压箝位电路和该负极侧过电压箝位电路各自包括连接在第一端子(1)和第二端子(2)之间的可控半导体元件(ES，FS)，该过电压箝位电路(E，F)构造成当存在来自对应信号电路(C，D)的箝位信号时控制它们各自的半导体元件(ES，FS)处于导通状态，并构造成当预定时间段内不存在相应箝位信号时控制它们的半导体元件(ES，FS)处于非导通状态。
装置多级设备

[发明专利]带有电荷泵的三绕组耦合电感双管升压变换器-CN201310569410.3在审
发明人：汤雨;王挺 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本发明涉及带有电荷泵的三绕组耦合电感双管升压变换器，包括直流电源、第一升压电路、第二升压电路、第一电荷泵升压单元、第一箝位回路、第二箝位回路、第一开关电路和负载；直流电源输出的电压分为两路输出，其中一路经第一升压电路初步升压后输入第一电荷泵升压单元，经第一电荷泵升压单元二次升压后经第一开关电路输入至负载的一端；另一路经第二升压电路初步升压后输入至负载另一端，在负载的两端还并联一输出滤波电容；第一箝位回路包括第一箝位电容和第一箝位二极管，第二箝位回路包括第二箝位电容和第二箝位二极管
带有电荷绕组耦合电感双管升压变换器

[发明专利]一种抑制单级桥式PFC变换器桥臂电压尖峰的有源箝位电路-CN201610528368.4在审
发明人：贲洪奇;黄奕毅;王韦琦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H02M1/34 文献下载
摘要：一种抑制单级桥式PFC变换器桥臂电压尖峰的有源箝位电路，为了解决现有的有源箝位电路输入电流过零阶段箝位开关管冲击电流，或现有电压尖峰抑制电路消耗能量大、电路结构复杂的问题。包括现有有源箝位电路、限流电感L_c和二极管D_c；限流电感L_c和二极管D_c并联，串接在现有有源箝位电路和单级桥式PFC
一种抑制单级桥式 pfc 变换器电压尖峰有源箝位电路

[发明专利]电压电平移位电路-CN201110371774.1有效
发明人：李秋平 -专利权人：原景科技股份有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明揭露一种电压电平移位电路，其包含输出级、输入级以及箝位模块。箝位模块中的第一箝位单元用以将第一功率晶体管的栅极的操作电压箝位于高输出电平与第一箝位电压之间。
电压电平移位电路

[发明专利]一种有源箝位电路-CN201110333828.5无效
发明人：周泽坤;代高强;石跃;王慧芳;明鑫;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： G05F1/613 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，公开了一种有源箝位电路，具体包括：一限流电阻、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管和一恒流源，其中，恒流源和第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管的尺寸确定了电路的箝位点稳定值本发明的箝位电路克服了传统齐纳二极管箝位电路的缺陷，电路结构简单，可精确调节箝位点电压的稳定值，版图面积小，无需额外光刻板和工艺流程，成本低，可广泛应用于模拟或数模混合集成电路中。
一种有源箝位电路

[实用新型]一种有源箝位电路-CN201120418844.X有效
发明人：周泽坤;代高强;石跃;王慧芳;明鑫;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： G05F1/613 文献下载
摘要：本实用新型属于集成电路技术领域，公开了一种有源箝位电路，具体包括：一限流电阻、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管和一恒流源，其中，恒流源和第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管的尺寸确定了电路的箝位点稳定值本实用新型的箝位电路克服了传统齐纳二极管箝位电路的缺陷，电路结构简单，可精确调节箝位点电压的稳定值，版图面积小，无需额外光刻板和工艺流程，成本低，可广泛应用于模拟或数模混合集成电路中。
一种有源箝位电路

[发明专利]基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑-CN201610047426.1在审
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本发明提供基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑。半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑中，半桥/单箝位混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/单箝位混联MMC拓扑。该半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，此外可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC
基于不等式约束辅助电容分布式箝位 mmc 拓扑

[发明专利]基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑-CN201610047421.9在审
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本发明提供基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑。半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑中，半桥/单箝位混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/单箝位混联MMC拓扑。该半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，此外可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC
基于不等式约束辅助电容集中式半桥箝位 mmc 拓扑

[发明专利]基于不等式约束的无辅助电容式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑-CN201610047415.3在审
发明人：赵成勇;刘航;许建中 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本发明提供基于不等式约束的无辅助电容式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑。半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑中，半桥/单箝位混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于不等式约束的无辅助电容式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/单箝位混联MMC拓扑。该半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，此外可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC
基于不等式约束辅助电容式半桥箝位 mmc 拓扑

[发明专利]逆变器及其控制方法、以及供电系统-CN202210959214.6在审
发明人：姚远;于心宇;辛凯 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：逆变器包括检测控制单元、第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管和两个中点箝位二极管，当第一开关管和第四开关管关断时，两个中点箝位二极管、第二开关管和第三开关管形成电流路径。其中，检测控制单元，用于检测两个中点箝位二极管的温度；根据两个中点箝位二极管的温度，调节第一开关管和/或第四开关管在一个开关周期内的导通时长，以控制流经两个中点箝位二极管的电流。采用本申请实施例，能够保障两个中点箝位二极管承受的热应力在安全范围内，避免两个中点箝位二极管过热导致器件损坏，保障电路正常运行。
逆变器及其控制方法以及供电系统