专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于算术平均贴近的冲突证据融合方法-CN201910206387.9有效
  • 李军伟;胡振涛;周林;刘先省;金勇 - 河南大学
  • 2019-03-19 - 2022-09-16 - G06K9/62
  • 本发明公开了一种基于算术平均贴近的冲突证据融合方法,包括如下步骤:获取多个传感器测量信息根据实际应用场景选择合适的方法获取证据的BPA,并转换为证据信息,引入模糊理论中算术平均贴近概念度量证据对同一焦元的相互支持程度,利用证据之间的算术平均贴近计算融合证据的权重系数;最后采用Dempster组合规则对修正后的证据进行逐个融合,输出最终目标识别的决策结果。本发明引入模糊数学中的算术平均贴近方法,利用证据中同一焦元的基本概率赋值的算术平均贴近衡量各证据对同一命题的相互支持程度,并对证据进行修正后采用Dempster组合规则对修正后的证据进行逐个融合,具有重要的理论意义和应用价值
  • 基于算术平均贴近冲突证据融合方法
  • [发明专利]磁盘用玻璃基板及磁盘-CN201510752153.6在审
  • 伊藤正文;志田德仁;高野茂喜;大塚晴彦 - 旭硝子株式会社
  • 2015-11-06 - 2016-05-18 - G11B5/73
  • 所述磁盘用玻璃基板具有主表面,其特征在于,通过原子力显微镜在所述主表面上测定的算术平均粗糙Ra为0.15nm以下,基于通过原子力显微镜测定的结果,对预定的区域在使角度方向以每次变化1°的方式从0°变化至180°的同时算出各角度方向上的角度方向算术平均粗糙Ra_deg,在将所述算出的角度方向算术平均粗糙Ra_deg中的最大值设为角度方向算术平均粗糙最大值Ra_deg_max、且将最小值设为角度方向算术平均粗糙最小值
  • 磁盘玻璃
  • [实用新型]制品模具型腔表面粗糙等级对比板-CN200920233058.5无效
  • 姚兴;姚文翰 - 苏州协成模具科技有限公司
  • 2009-07-14 - 2010-06-02 - G01B5/28
  • 一种制品模具型腔表面粗糙等级对比板,其特征在于:该对比板的一侧板面为第一板面,在第一板面上至少划分出A-0级抛光面区、A-1级抛光面区、A-2级抛光面区、A-3级抛光面区以及机加工面区;所述A-0级抛光面区的表面粗糙轮廓算术平均偏差Ra为0.007μm~0.009μm;所述A-1级抛光面区的表面粗糙轮廓算术平均偏差Ra为0.013μm~0.018μm;所述A-2级抛光面区的表面粗糙轮廓算术平均偏差Ra为0.027μm~0.036μm;所述A-3级抛光面区的表面粗糙轮廓算术平均偏差Ra为0.052μm~0.071μm。以本实用新型作为工具,可以方便快捷,精确地检验出模具型腔的表面粗糙
  • 制品模具表面粗糙等级对比
  • [发明专利]发光二极管-CN201910042124.9有效
  • 郭修邑;王德忠 - 隆达电子股份有限公司
  • 2019-01-17 - 2022-04-29 - H01L33/22
  • 第二型半导体层配置于主动层上,第二型半导体层包含第一表面及第二表面,其中第一表面面对主动层,第二表面具有第一算术平均粗糙。图案化电极层配置于第二型半导体层的第二表面上,并暴露出部分第二型半导体层。平坦化层配置于第二型半导体层的露出部分上,平坦化层包含第三表面及第四表面,第三表面接触第二型半导体层的第二表面,第四表面具有第二算术平均粗糙,第二算术平均粗糙小于第一算术平均粗糙
  • 发光二极管

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