专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光子晶体光环行器及其制备方法-CN201010542656.8无效
  • 欧阳征标;王琼 - 深圳大学;欧阳征标
  • 2010-11-12 - 2011-05-04 - G02F1/095
  • 本发明涉及一种光子晶体光环行器,其包括空气背景中的第一介质材料柱,所述第一介质材料柱呈二维四角晶格排布,所述光子晶体光环行器还包括一光子晶体波导,所述光子晶体波导包括相互交叉的横光子晶体波导和纵光子晶体波导,一位于所述横光子晶体波导和纵光子晶体波导交叉连接处的并起导作用的第二介质材料柱,四个相同的均匀设置在第二介质材料柱周围的材料柱、以及至少三个相同的第三介质材料柱,所述第三介质材料柱分别设置在所述三个材料柱的外侧本发明光子晶体光环行器分别能够实现“T”形三端口、“十”字形四端口间的单方向光环行传输,且具有形态简明、结构紧凑的特点,适合作为光子晶体集成路中的抗干扰元件。
  • 光子晶体环行器及其制备方法
  • [发明专利]致伸缩断路光学控制的装置-CN201210316484.1有效
  • 申岩;郭志忠;张国庆;于文斌;陆忠峰;程嵩 - 哈尔滨工业大学
  • 2012-08-31 - 2013-01-09 - G01R19/00
  • 致伸缩断路光学控制的装置,涉及致伸缩效应光学电流互感器领域,它为了解决现有致伸缩的互感器信号的处理复杂和电路结构复杂,易产生误动作或拒动作的问题,它包括致伸缩材料的传感头、传感头球面反射镜、激光探测器和平行反射镜,传感头球面反射镜的底面固定在致伸缩材料的传感头的上端面且与致伸缩材料的传感头连接成为一个整体,激光探测器设置在所述传感头球面反射镜的正上方,平行反射镜设置在传感头球面反射镜的反射与激光探测器的入射之间的路中,平行反射镜与致伸缩材料的传感头轴心的距离L,激光探测器的电信号输出端为致伸缩断路光学控制的装置的断路启动信号的输出端。适用于致伸缩效应光学电流互感器领域。
  • 伸缩断路光学控制装置
  • [发明专利]一种低功耗探测器-CN202111202781.9在审
  • 刘翡琼 - 西安柯莱特信息科技有限公司
  • 2021-10-15 - 2022-04-08 - G01J1/42
  • 本发明涉及探测领域,具体提供了一种低功耗探测器,隔离层置于自旋极化层上,非材料层置于隔离层上,贵金属颗粒的个数为多个,贵金属颗粒置于非材料层上的中部,第一电极和第二电极分别置于非材料层上所述贵金属颗粒的两侧应用时,在自旋极化层中施加电流、热梯度、或者微波,在非材料层内形成电荷流。在待检测光照射下,贵金属颗粒产生局域表面等离激元共振,从而造成电荷流的变化。通过电荷流的变化实现探测。
  • 一种功耗探测器
  • [实用新型]电磁控空间调制器、光源装置、激光垂准仪-CN202121570959.0有效
  • 吴志洋;郭素阳;高迎可;杨正凡;徐胜;刘玲玉 - 中交天和机械设备制造有限公司
  • 2021-07-12 - 2021-12-10 - G02F1/09
  • 本实用新型公开了一种电磁控空间调制器、光源装置、激光垂准仪,电磁控空间调制器包括透镜、导电层、电调制层、调制层,透镜为直三棱柱,导电层涂覆在通区域所处的三棱柱的两个侧面的表面;电调制层由拓扑半金属材料制成,电调制层涂覆在导电层表面,电调制层的边缘还涂覆有电极层,电极层与导电层分别与外部电源连接以形成电调制回路;调制层由磁性半导体材料制成,调制层涂覆在电调制层表面,在外部磁场发生器的作用下,调制层用于对激光光束进行调制本实用新型提供的技术方案利用电场和磁场改变拓扑半金属和磁性半导体材料中的载流子浓度,可以调控场中不同空间位置的透过率,产生可主动调制的结构场,调制速度快。
  • 电磁空间调制器光源装置激光垂准仪
  • [发明专利]分子自旋伏器件及其制备方法-CN202310143475.5在审
  • 孙向南;秦阳;谷现荣;郭立丹 - 国家纳米科学中心
  • 2023-02-09 - 2023-06-09 - H10K30/50
  • 本申请涉及半导体光电子技术领域,提供一种分子自旋伏器件及其制备方法,所述分子自旋伏器件包括依次设置的衬底、铁底电极、界面修饰层、中间层、铁顶电极;其中,中间层包括分别由不同有机材料组成的第一有机材料层与第二有机材料层;第一有机材料层与第二有机材料层堆叠形成不完整异质结构;不完整异质结构为第二有机材料层不完全覆盖第一有机材料层的异质结构。本申请通过将两种不同的有机材料层进行堆叠形成的不完整异质结构作为分子自旋伏器件的中间层,显著增强分子自旋伏器件中自旋‑伏相互作用的驱动力,提升室温下分子自旋伏器件的自旋‑伏性能,进而可以提高自旋信号的调制能力
  • 分子自旋器件及其制备方法

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