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[发明专利]碳纳米管结构及其制备方法-CN201210135962.9有效
发明人：柳鹏;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管结构，其包括：一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个平行设置的第二碳纳米管；一碳纳米管层设置于该碳纳米管阵列的一侧，该碳纳米管层包括多个第一碳纳米管，该碳纳米管层与所述碳纳米管阵列中多个第二碳纳米管的一端接触；以及多个第三碳纳米管至少缠绕设置于所述碳纳米管层与碳纳米管阵列之间。本发明进一步提供一种上述碳纳米管结构的制备方法。
纳米结构及其制备方法

[发明专利]场发射装置-CN201210135961.4有效
发明人：柳鹏;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明提供一种场发射装置，其包括：一碳纳米管结构以及两个电极分别与该碳纳米管结构电连接，该碳纳米管结构进一步包括：一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个平行设置的第二碳纳米管；一碳纳米管层设置于该碳纳米管阵列的一侧，该碳纳米管层包括多个第一碳纳米管，该碳纳米管层与所述碳纳米管阵列中多个第二碳纳米管的一端接触；以及多个第三碳纳米管至少缠绕设置于所述碳纳米管层与碳纳米管阵列之间；两个电极分别与该碳纳米管结构电连接。
发射装置

[发明专利]碳纳米管阵列的表面修复方法-CN201811298971.3有效
发明人：魏洋;王广;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管阵列的表面修复方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列以及一基底，该碳纳米管阵列位于该基底的表面，该碳纳米管阵列包括多个碳纳米管，其中至少部分碳纳米管在基底12的表面倾斜排列；放置一胶带于所述碳纳米管阵列的表面，所述碳纳米管阵列中的碳纳米管与基底的粘结力大于碳纳米管阵列中的碳纳米管与所述胶带的粘结力；以及剥离所述胶带，使所述碳纳米管阵列中在基底12的表面倾斜排列的至少部分碳纳米管在所述基底和胶带的作用力下被竖直拉起，进而使得碳纳米管中列中的碳纳米管竖直排列并基本垂直于基底的表面。
纳米阵列表面修复方法

[发明专利]碳纳米管结构的制备方法-CN200910250642.6有效
发明人：刘亮;冯辰 -专利权人：北京富纳特创新科技有限公司
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：一种碳纳米管结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一筒状碳纳米管阵列；采用一拉伸工具与该筒状碳纳米管阵列接触，从该筒状碳纳米管阵列中选定一碳纳米管片段；以及沿该筒状碳纳米管阵列的径向方向移动该拉伸工具远离该筒状碳纳米管阵列，拉取该选定的碳纳米管片段，从而形成一碳纳米管结构，该碳纳米管结构一端连接该拉伸工具，另一端连接该筒状碳纳米管阵列，在拉伸过程中，在所述碳纳米管结构与该筒状碳纳米管阵列的连接处，该筒状碳纳米管阵列的切面与该碳纳米管结构成一角度
纳米结构制备方法

[发明专利]碳纳米管结构的制备方法-CN201610586368.X有效
发明人：刘亮;冯辰 -专利权人：北京富纳特创新科技有限公司
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：一种碳纳米管结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一筒状碳纳米管阵列；采用一拉伸工具与该筒状碳纳米管阵列接触，从该筒状碳纳米管阵列中选定一碳纳米管片段；以及沿该筒状碳纳米管阵列的径向方向移动该拉伸工具远离该筒状碳纳米管阵列，拉取该选定的碳纳米管片段，从而形成一碳纳米管结构，该碳纳米管结构一端连接该拉伸工具，另一端连接该筒状碳纳米管阵列，在拉伸过程中，在所述碳纳米管结构与该筒状碳纳米管阵列的连接处，该筒状碳纳米管阵列的切面与该碳纳米管结构成一角度
纳米结构制备方法

[发明专利]碳纳米管膜的制备方法-CN201410269296.7有效
发明人：姜开利;柳鹏;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：一种碳纳米管膜的制备方法，包括以下步骤提供多个碳纳米管阵列间隔排列在同一直线上；将所述多个碳纳米管阵列处理成多个图形化碳纳米管阵列；从多个图形化碳纳米管阵列中拉取一碳纳米管膜，并将该碳纳米管膜搭接在前一图形化碳纳米管阵列上；从最前面的图形化碳纳米管阵列持续拉伸获得一碳纳米管膜碳纳米管膜。本发明还提供了一种碳纳米管结构预制体。
纳米制备方法

[发明专利]碳纳米管膜的制备方法-CN201410269129.2有效
发明人：姜开利;柳鹏;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种碳纳米管膜的制备方法，包括以下步骤提供多个碳纳米管阵列间隔排列在同一直线上；将所述多个碳纳米管阵列处理成多个图形化碳纳米管阵列；从多个图形化碳纳米管阵列中拉取一碳纳米管膜，并将该碳纳米管膜搭接在前一图形化碳纳米管阵列上；从最前面的图形化碳纳米管阵列持续拉伸获得一碳纳米管膜碳纳米管膜。本发明还提供了一种碳纳米管结构预制体。
纳米制备方法

[发明专利]碳纳米管结构的制备方法-CN201410124617.4有效
发明人：魏洋;魏浩明;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管结构的制备方法，包括以下步骤提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构得以从该碳纳米管阵列中连续地拉出；将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构得以从该碳纳米管阵列中连续地拉出；以及从该代替基底上的碳纳米管阵列拉取该碳纳米管结构。
纳米结构制备方法

[发明专利]黑体辐射源的制备方法-CN201811298948.4有效
发明人：王广;魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G01J5/52 文献下载
摘要：本发明提供一种黑体辐射源的制备方法，包括：提供一黑体辐射腔，一碳纳米管阵列以及一基底，该碳纳米管阵列设置在该基底上；在所述黑体辐射腔的内表面上涂覆一黑漆层；施加一压力于碳纳米管阵列的表面，使所述碳纳米管阵列中的碳纳米管倾倒于所述基底的表面形成一碳纳米管纸，并将该碳纳米管纸放置在黑漆层的表面；以及剥离所述基底，使所述碳纳米管纸中的碳纳米管与所述基底分离并粘结在所述黑漆层上，碳纳米管纸中的碳纳米管在基底和黑漆层的作用力下竖直排列形成所述碳纳米管阵列，进而将所述碳纳米管阵列转移到所述黑漆层上，碳纳米管阵列中的碳纳米管基本垂直于黑漆层的表面。
黑体辐射源制备方法

[发明专利]碳纳米管阵列及用碳纳米管阵列制备碳纳米管结构的方法-CN200910239663.8有效
发明人：姜开利;刘亮;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列表面具有一分割线，该分割线将所述碳纳米管阵列分割成至少一个连续的碳纳米管带状结构。该碳纳米管带状结构的最大长度大于所述碳纳米管阵列的最大宽度，所述碳纳米管阵列的最大宽度为碳纳米管阵列中距离最大的两个点之间的距离。本发明还涉及一种利用所述碳纳米管阵列制备碳纳米管结构的方法。
纳米阵列制备结构方法

[发明专利]碳纳米管阵列-CN201310061543.X有效
发明人：姜开利;刘亮;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列表面具有一分割线，该分割线将所述碳纳米管阵列分割成至少一个连续的碳纳米管带状结构。该碳纳米管带状结构的最大长度大于所述碳纳米管阵列的最大宽度，所述碳纳米管阵列的最大宽度为碳纳米管阵列中距离最大的两个点之间的距离。本发明还涉及一种利用所述碳纳米管阵列制备碳纳米管结构的方法。
纳米阵列

[发明专利]碳纳米管膜的制备方法-CN201410159460.9有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管膜的制备方法，包括以下步骤提供一转移至弹性代替基底表面的碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列靠近该弹性代替基底的表面为第二表面，远离该弹性代替基底的表面为第一表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管膜可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管膜包括多个首尾相连的碳纳米管；沿多个方向同时拉伸该弹性代替基底，从而在保持该碳纳米管阵列的形状不变的条件下增大该碳纳米管阵列的面积；以及从该弹性代替基底上的碳纳米管阵列拉取该碳纳米管膜。
纳米制备方法

[发明专利]碳纳米管阵列的转移方法-CN201811298950.1有效
发明人：王广;魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管阵列的转移方法，包括：提供一碳纳米管阵列、第一基底以及一第二基底，该碳纳米管阵列位于第一基底的表面，所述碳纳米管阵列包括多个碳纳米管垂直于第一基底的表面，该第二基底的表面具有一粘结层；施加一压力于碳纳米管阵列的表面，使所述碳纳米管阵列中的碳纳米管倾倒于第一基底的表面形成一碳纳米管纸；将所述第二基底放置在所述碳纳米管纸的表面；以及剥离该第二基底，使所述碳纳米管纸中的碳纳米管与所述第一基底分离粘结在所述第二基底的粘结层上，进而将所述碳纳米管阵列转移到所述第二基底上，碳纳米管阵列中的碳纳米管基本垂直于第二基底的表面。
纳米阵列转移方法

[发明专利]图案化碳纳米管阵列的制备方法及碳纳米管器件-CN201410274924.0有效
发明人：魏洋;魏浩明;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化碳纳米管阵列的制备方法，包括以下步骤提供一转移至代替基底表面的碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列靠近该代替基底的表面为第二表面，远离该代替基底的表面为第一表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；通过在碳纳米管阵列的该第一表面进行激光刻蚀，将该碳纳米管阵列划分为两部分，分别为保留区域和去除区域；以及通过从该去除区域拉取碳纳米管结构的方式去除该去除区域中的碳纳米管，并保留该保留区域的碳纳米管。本发明还提供一种碳纳米管器件。
图案纳米阵列制备方法器件

[发明专利]碳纳米管膜先驱、碳纳米管膜及其制备方法-CN200910109335.6有效
发明人：冯辰;姜开利;陈卓;翟永超;范守善 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2009-08-14 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： C01B31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管膜的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底；处理所述碳纳米管阵列，在碳纳米管阵列表面形成至少两个相互平行且间隔设置的凹槽，凹槽处碳纳米管阵列中碳纳米管的高度基本上小于等于100微米；采用一拉伸工具选定位于多个凹槽之间的碳纳米管阵列中的多个碳纳米管；采用该拉伸工具沿基本平行与凹槽长度的方向拉抽所述选定的多个碳纳米管，该多个碳纳米管沿远离碳纳米管阵列的方向首尾相连地被拉出形成多个碳纳米膜本发明还包括一种由上述制备方法制备的碳纳米管膜，以及在制备过程中得到的碳纳米管膜先驱。
纳米先驱及其制备方法

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