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[发明专利]一种增产作物茎秆叶面重金属阻控富硒肥及其施用方法-CN201911073935.1在审
发明人：刘俐 -专利权人：刘俐
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C05G1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种增产作物茎秆叶面重金属阻控富硒肥及其施用方法。该阻控富硒肥中包含有Se肥，Se肥为硒化物、硒化物的水合物、硫硒化物、硫硒化物的水合物中的一种或几种的水溶液；硒化物为硒化钾、硒化钠中的一种或两种，硫硒化物为硫硒化钾、硫硒化钠中的一种或两种。在施用时稀释所述富硒阻控肥为喷施液，使喷施液中硒和硫的总浓度为0.1mg/L~10mg/L。富硒阻控肥在阻止有毒有害重金属进入可食用部分的同时，通过生物体内的生理代谢作用，将硒转化成有机硒化合物，并富集于可食用部分，得到富硒营养作物。
一种增产作物叶面重金属阻控富硒肥及其施用方法

[发明专利]一种内嵌二维金属硒化物的石墨烯基硒正极材料及其制备方法、锂硒电池-CN202210586520.X在审
发明人：姜鹏;王庆伟;鞠署元;巩超 -专利权人：山东海科创新研究院有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯基硒复合材料，所述复合材料包括金属硒化物/石墨烯复合材料以及复合在金属硒化物/石墨烯复合材料上的硒。本发明通过极性二维金属硒化物对多硒化物的化学吸附作用，将放电中间产物多硒化物有效固定在正极的导电区域中，抑制穿梭效应的产生，提升活性物质的利用率。而且将具有催化调节因子的二维金属硒化物引入硒正极材料，从而得到了具化学吸附和催化作用的硒正极材料，能够提供电催化效应来调节聚硒化物的氧化还原反应，进一步抑制锂硒电池充放电过程中聚硒化物在硒正极与锂负极之间的穿梭效应，两者协同作用，明显抑制多硒化物的穿梭效应，提升电池的循环性能。
一种二维金属硒化物石墨烯基硒正极材料及其制备方法电池

[发明专利]一种基于硒氧化铋/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法和应用-CN202210863080.8在审
发明人：韩理想;张之洋;高伟;霍能杰;李京波 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明属于红外‑可见光探测技术领域，公开了一种基于硒氧化铋/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法和应用。所述光电探测器包括硒氧化铋/硒化铟异质结和金属电极，该硒氧化铋/硒化铟异质结位于两侧金属电极之间；所述光电探测器是将二维硒化铟纳米片转移至二维硒氧化铋纳米片上，形成二维硒氧化铋/硒化铟异质结，在不重合的二维硒化铟纳米片和二维硒氧化铋纳米片上制作金属电极得到本发明的基于硒氧化铋/硒化铟异质结的光电探测器具有高开关比、宽光谱探测、自驱动等特点，在高性能自驱动光电探测器应用中显示出良好的潜力。
一种基于氧化硒化铟异质结光电探测器及其制备方法应用

[发明专利]一种提高纺织品抗静电性能的复合纺织助剂及其制备方法-CN201810144790.9在审
发明人：周华 -专利权人：周华
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： D06M11/45 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高纺织品抗静电性能的复合纺织助剂及其制备方法，本发明的复合纺织助剂中含有氧化锆纳米粉末、氧化钇纳米粉末、硫化锆层状纳米材料、二硒化铌层状纳米材料、二硫化钛层状纳米材料、黑磷烯层状纳米材料、硫化钨层状纳米材料，通过利用上述材料的物理特性，在各组分的协同作用下，增加该复合纺织助剂的抗静电性能和导热性能。
层状纳米材料复合纺织制备抗静电性能纺织品氧化钇纳米氧化锆纳米导热性能二硫化钛二硒化铌物理特性硫化钨硫化黑磷生产

[发明专利]一种提高锻造效率的水基纳米二硫化钨等温模锻润滑剂及其制备方法-CN201610530999.X在审
发明人：梁大伟;梁华杰;赵春梅 -专利权人：合肥市春华起重机械有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C10M173/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高锻造效率的水基纳米二硫化钨等温模锻润滑剂，由下列重量份的原料制成：聚α烯烃PAO67.4‑7.6、硅烷偶联剂kh5600.2‑0.25、纳米二硫化钨7.6‑8、纳米碳球0.8‑1、纳米膨润土0.8‑1、Span‑801‑1.2、丙烯酸丁酯0.4‑0.5、丙烯酸甲酯0.6‑0.8、过硫酸铵0.1‑0.2、微米CaF20.7‑0.9、羟甲基脲0.4‑0.5、吗啉0.5‑0.7、亚硒酸钠0.1‑本发明润滑液通过综合使用微米CaF₂、羟甲基脲、吗啉、亚硒酸钠，提高了与铝合金的附着力，成膜速度快，提高了润滑效果，提高了锻造效率，对金属有保护作用。
一种提高锻造效率纳米硫化等温润滑剂及其制备方法

[发明专利]硒化银/硒硫化银核壳量子点、电光调制器及制备方法-CN201911077618.7有效
发明人：刘桂芝;周尧;蒋小强;何云;吴国平 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明提供一种硒化银/硒硫化银核壳量子点、电光调制器及制备方法，以十八烯‑硒作为硒前驱体，制备硒化银量子点，且在硒化银量子点表面包覆硒硫化银合金壳，以钝化硒化银量子点的表面，减少硒化银量子点的表面缺陷，构建平缓的界面势垒，抑制硒化银量子点的俄歇复合，消除随机方向的局域电场，且硒化银/硒硫化银核壳量子点毒性可忽略，安全可靠；采用全氢聚硅氮烷，在大气氛围及室温下，转化为硒化银/硒硫化银核壳量子点的二氧化硅封装层
硒化银硫化银核壳量子电光调制器制备方法

[发明专利]一种高纯硒化镉多晶材料的气相合成方法-CN201710900796.X有效
发明人：宋梁成;雷作涛;赵丹洋;杨春晖 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：一种高纯硒化镉多晶材料的气相合成方法，它涉及一种硒化镉多晶材料的合成方法。本发明的目的是要解决现有硒化镉合成方法存在反应温度高，耗时长，且生产的硒化镉纯度低的问题。气相合成方法：一、称取单质硒和单质镉；二、气相合成：①、反应区加热；②、冷凝区控温；③、单质硒气化；④、单质镉气化；⑤、气相合成，硒化镉多晶以固态形式沉积，未充分反应的气态单质硒与气态单质镉流至冷凝区并沉积，冷却至室温，得到硒化镉多晶粉体。提高硒化镉多晶粉体纯度，纯度＞99％。本发明主要用于气相合成高纯硒化镉多晶。
气相合成硒化镉多晶材料高纯硒化镉多晶粉体气态单质合成单质硒冷凝区沉积单质多晶气化固态形式反应区称取控温加热耗时冷却生产

[发明专利]一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法-CN201911028902.5在审
发明人：沈凯;麦耀华;张玉;陈增创;黄才彰 -专利权人：暨南大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L31/073 文献下载
摘要：本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法，该硒化锑薄膜太阳电池在生长p型硒化锑吸收层之前插入p型硒化锑种子层，并且采用单一连续热过程生长p型硒化锑种子层以及p型硒化锑吸收层，促进晶粒外延和连续性生长，实现具有择优取向的高质量硒化锑薄膜，从而有效的促进电子的抽取和运输，进而提升硒化锑太阳电池器件的能量转换效率。
一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种硒化砷粒的制备方法-CN201010571418.X有效
发明人：朱世会;朱世明;朱刘 -专利权人：广东先导稀有材料股份有限公司
申请日： 2010-11-25 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：一种硒化砷粒的制备方法，将硒和砷破碎后按摩尔比为3∶2配料并混合均匀后把混合料装入石英管中，对石英管进行抽真空后封口，将封口后的石英管置于马弗炉内，通过阶梯温控的加热方式合成硒化砷，恒温结束后降温至室温即获得硒化砷再将获得的硒化砷置于石英熔料漏斗中加热，并使硒化砷处于熔融状态，让熔融的硒化砷通过漏斗滴入水和甘油的混合液中进行制粒后，用蒸馏水洗涤硒化砷粒并于后烘干后即得硒化砷产品。本发明为制备硒化砷粒提供了一种选择。由本发明方法制备硒化砷粒，设备投资少、工艺流程简单、产品杂质含量低、性能一致性好、质量高。
一种硒化砷粒制备方法

[发明专利]一种汞污染土壤硒化修复剂及其制作方法-CN201811637321.7在审
发明人：何天容;王祖波;姚璁;冉澍;许议元;韩怡新 -专利权人：贵州大学
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： C09K17/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种汞污染土壤硒化修复剂及其制作方法。该硒化修复剂是以硒化物对蒙脱土改性所得的硒化修复剂，所述硒化修复剂是以下述重量份的原料制成，硒化物1‑2份，蒙脱土80‑120份；硒化物为亚硒酸钠或硒酸钠，蒙脱土的粒径为100‑200目。
修复剂硒化汞污染土壤硒化物蒙脱土制作蒙脱土改性修复二次污染社会接受亚硒酸钠硒酸钠重量份粒径

[发明专利]基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法-CN201910261491.8有效
发明人：魏钟鸣;王晓亭;李京波;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法，属于二维半导体成像技术领域。该基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法，包括：制备二维硒化亚锗单晶；将所二维硒化亚锗单晶剥离成二维硒化亚锗纳米片并转移到有二氧化硅氧化层的硅片衬底上，得到二维硒化亚锗纳米片薄层；将所述二维硒化亚锗纳米片薄层制备成二维硒化亚锗两端器件，得到基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件；所述二维硒化亚锗两端器件即为所述二维硒化亚锗光电探测器。本发明通过将二维硒化亚锗纳米片制备为二维硒化亚锗两端器件，替代原来的电荷耦合元件，可以实现尺寸小，利于加工和集成的效果。
基于二维硒化亚锗光电探测器成像元件制备方法

[发明专利]一种具有图灵结构的硒化银-二硒化钴复合材料、其制备方法及应用-CN202010277690.0有效
发明人：高敏锐;张晓隆;高飞跃;杨朋朋 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有图灵结构的硒化银‑二硒化钴复合材料的制备方法，包括：将纳米带状二硒化钴、银盐、水与胺类溶剂混合反应，得到具有图灵结构的硒化银‑二硒化钴复合材料。与现有技术相比，本发明实现了对硒化银‑二硒化钴复合材料形貌的调节，且得到的具有图灵结构的硒化银‑二硒化钴复合材料的界面密度比大多数具有界面结构的材料的更大，因此其具有极好的电催化水分解析氧性能，具有较高的法拉第效率
一种具有结构硒化银二硒化钴复合材料制备方法应用

[发明专利]一种硒化镓二维材料单晶块材的生长方法-CN201610491437.9在审
发明人：邱俊 -专利权人：南京安京太赫光电技术有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： C30B11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种硒化镓二维材料单晶块材的生长方法，通过以纯硒粉和纯镓粉为原材料，在高温下进行化学反应得到多晶硒化镓材料。将硒化镓多晶放入三温区炉中通过布里奇曼法生长出硒化镓结晶后，再通过沿硒化镓自然解理层切割获得硒化镓二维材料单晶块材。
一种硒化镓二维材料单晶块材生长方法

[发明专利]一种水合炭/无定形多硒化钼复合材料及其制备方法和应用-CN202010667500.6有效
发明人：罗旭彪;裴俊俊;邵鹏辉;杨利明;石慧;喻恺 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种水合炭/无定形多硒化钼复合材料及其制备方法和应用，属于钯吸附剂技术领域。本发明提供的水合炭/无定形多硒化钼复合材料，包括水合炭和分散于所述水合炭表面的无定形多硒化钼；所述水合炭表面具有含氧官能团；所述无定形多硒化钼中硒和钼的摩尔比为2.3～2.6:1。本发明提供的水合炭/无定形多硒化钼复合材料中，无定形多硒化钼相比于晶态硒化钼具有更多的有效硒位点，对钯离子的去除效果更优；所述水合炭表面具有的含氧官能团为无定形多硒化钼提供了更多生长位点，且水合炭载体的存在使无定形多硒化钼分散性好而不会发生团聚，暴露了更多有效硒位点，进一步提高了水合炭/无定形多硒化钼复合材料对于钯离子的吸附效果。
一种水合无定形多硒化钼复合材料及其制备方法应用

[发明专利]基于硒化银纳米晶的近红外激光器及其制备方法-CN202211287904.8在审
发明人：刘桂芝;罗卫国;马丙乾;蒋小强 -专利权人：无锡麟力科技有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：本发明提供一种基于硒化银纳米晶的近红外激光器及其制备方法，基于硒化银纳米晶的近红外激光器依次包括：基板、分布反馈光栅层及硒化银纳米晶层；硒化银纳米晶层由硒化银纳米晶组成，硒化银纳米晶为正方晶相，直径范围为本发明利用硒化银纳米晶作为激光器的光增益介质，实现了零阈值的带边态光增益；利用量子限域效应，通过调节硒化银纳米晶的尺寸来调节硒化银纳米晶导带底和环境费米能级的相对位置，从而获得带边电子态1Se被电子占据的硒化银纳米晶，近红外发射波长可调，无须添加易被氧化的空穴捕获剂，硒化银纳米晶在大气环境下是稳定的，晶体结构和表面状态也不会被破坏；本发明的硒化银材料为低毒的环保型材料
基于硒化银纳米红外激光器及其制备方法

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