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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]环氧硅氮烷化合物、包含该化合物的组合物以及使用了其的二氧化硅质膜的形成方法-CN201780072646.2有效
发明人：冈村聪也;中段直孝;B·巴尼科尔;小崎力生;中本奈绪子 -专利权人：睿智弗尤德收购公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C08G77/54 文献下载
摘要：本发明提供一种可缩短二氧化硅质膜成膜工艺的时间的环氧硅氮烷化合物与包含该环氧硅氮烷化合物的组合物。一种环氧硅氮烷化合物、以及包含该环氧硅氮烷化合物的组合物，该环氧硅氮烷化合物是具有特定的结构的环氧硅氮烷化合物，其中O原子相对于O原子与N原子的总数的比率为5％以上且25％以下，且在基于反门控去耦法对前述环氧硅氮烷化合物进行
环氧硅氮烷化合物包含组合以及使用二氧化硅质膜形成方法

[发明专利]氯二硅氮烷-CN202211155402.X在审
发明人： B·K·黄;B·D·瑞肯;M·D·特拉根豪福;X·周 -专利权人：美国陶氏有机硅公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了氯二硅氮烷；由其合成的硅杂原子化合物；含有所述硅杂原子化合物的器件；制备所述氯二硅氮烷、所述硅杂原子化合物和所述器件的方法；以及所述氯二硅氮烷、所述硅杂原子化合物和所述器件的用途。
氯二硅氮烷

[发明专利]氯二硅氮烷-CN201780058710.1有效
发明人： B·K·黄;B·D·瑞肯;M·D·特拉根豪福;X·周 -专利权人：美国陶氏有机硅公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了氯二硅氮烷；由其合成的硅杂原子化合物；含有所述硅杂原子化合物的器件；制备所述氯二硅氮烷、所述硅杂原子化合物和所述器件的方法；以及所述氯二硅氮烷、所述硅杂原子化合物和所述器件的用途。
氯二硅氮烷

[发明专利]制造硅质膜的方法和用于该方法的聚硅氮烷膜处理液-CN201080039326.5有效
发明人：尾崎祐树;林昌伸 -专利权人： AZ电子材料(日本)株式会社
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成硅质膜的方法。根据该方法，在低温下可以由聚硅氮烷化合物形成具有亲水性表面的硅质膜。在该方法中，在基板表面上涂布含有聚硅氮烷化合物和二氧化硅转化反应加速剂的组合物以形成聚硅氮烷膜，然后在其上涂布聚硅氮烷膜处理液以使聚硅氮烷化合物在300℃以下转化为硅质膜。该聚硅氮烷膜处理液含有溶剂、过氧化氢和醇。
制造质膜方法用于聚硅氮烷膜处理

[发明专利]锂二次电池及其制造方法-CN201380043069.6有效
发明人：山口裕之 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01M10/052 文献下载
摘要：本发明提供一种锂二次电池，其使用锂过渡金属复合氧化物作为正极活性物质。在构成该锂二次电池的负极附近存在环状硅氮烷系化合物和/或其反应生成物。另外，所述环状硅氮烷系化合物在构成该环状硅氮烷系化合物的环中含有Si‑N键，且该环状硅氮烷系化合物具有至少一个乙烯基。
二次电池及其制造方法

[发明专利]硅氮烷类化合物、包含其的涂料组合物、具有涂层的透光膜和包括透光膜的显示设备-CN202180044977.1在审
发明人：李根守;禹学龙;千钟贤 -专利权人：可隆工业株式会社;李根守
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C08G77/54 文献下载
摘要：本申请提供一种由式1表示的硅氮烷类化合物、包含所述硅氮烷类化合物的涂料组合物、包括包含所述硅氮烷类化合物的第一涂层的透光膜和包括所述透光膜的显示设备。
硅氮烷类化合物包含涂料组合具有涂层透光包括显示设备

[发明专利]聚硅氮烷组合物、涂覆基材和多层结构体-CN201910247612.3有效
发明人：川上雅人;清森步 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C08L83/16 文献下载
摘要：本发明提供聚硅氮烷组合物、涂覆基材和多层结构体。聚硅氮烷组合物，其包括不含Si‑H结构的有机聚硅氮烷化合物和在分子中具有至少两个硅原子的有机氧基硅烷化合物，该聚硅氮烷组合物不释放危险物质例如氢或者需要反应性溶剂。
聚硅氮烷组合基材多层结构

[发明专利]硅硼碳氮基复合材料及其制备方法-CN201110417954.9无效
发明人：李亚利;孟凡星 -专利权人：天津大学
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅硼碳氮基复合材料及制备方法。本发明是以聚硼硅氮烷和钨、钛、硼、氮化钛等单质或化合物粉为原料，混合后加热，形成硅硼碳氮基复合材料。典型制备步骤为：将单质或化合物粉加入聚硼硅氮烷液，50～500℃下加热得聚硼硅氮烷与单质或化合物粉的混合物；或将聚硼硅氮烷与单质或化合物粉混合，600～2000℃惰性或活性气氛下加热该混合物制备。本发明技术可将各种单质或化合物与硅硼碳氮复合，大范围调控引入单质或化合物的含量，制备含多种组分的硅硼碳氮基复合材料。本发明技术制备的硅硼碳氮基复合材料具有耐高温、抗氧化、抗高温蠕变等优异性能，可应用于航空航天和高温系统等领域。
硅硼碳氮基复合材料及其制备方法

[发明专利]偶氮苯化合物改性的有机聚硅氮烷光响应涂层及制备方法-CN202010026453.7有效
发明人：李光吉;熊博;隋维伟;李志豪;罗南辉 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：本发明公开了偶氮苯化合物改性的有机聚硅氮烷光响应涂层及制备方法。该制备方法是：在惰性气氛下，将有机聚硅氮烷与丙烯酸酯类偶氮苯化合物均匀混合在醚类溶剂中，再加入催化剂，搅拌均匀，反应得到偶氮苯化合物改性的有机聚硅氮烷。将所制备的偶氮苯化合物改性的有机聚硅氮烷溶于非质子溶剂中，通过涂覆技术，在基材表面涂覆偶氮苯化合物改性的有机聚硅氮烷溶液，涂层固化，即得到所述的光响应性涂层。
偶氮化合物改性有机聚硅氮烷光响应涂层制备方法

[发明专利]透明导电性膜的制造方法、透明导电性膜及电子器件-CN201380020474.6有效
发明人：竹村千代子 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：在本发明的透明导电性膜的制造方法中，首先，在基材上形成含有硅氮烷化合物的化合物层。接着，对化合物层赋予能量而将至少一部分的硅氮烷化合物转换为具有硅氧烷键的化合物来将化合物层进行改性。而且，在改性前的化合物层上、或改性后的化合物层上形成由银或以银为主要成分的合金形成了的金属层。
透明导电性制造方法电子器件

[发明专利]制造烷氧基硅烷化合物的方法-CN202180059315.1在审
发明人：李揆连;白世元 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造烷氧基硅烷化合物的方法，该方法能够更有效地除去在使用硅氮烷类化合物制造烷氧基硅烷化合物时作为副产物产生的氨。所述制造烷氧基硅烷化合物的方法包括：将醇添加到硅氮烷类化合物中，使所述醇与所述硅氮烷类化合物反应以制备包含烷氧基硅烷化合物和氨的第一混合物；在第一混合物中加入pKa为2至6.5的酸，使所述酸与第一混合物反应以制备包含烷氧基硅烷化合物和铵盐的第二混合物；向第二混合物中加入水性溶剂以溶解铵盐；分离并除去所述铵盐。
制造烷氧基硅烷化合物方法

[发明专利]制造烷氧基硅烷化合物的方法-CN202180059565.5在审
发明人：李揆连;白世元 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造烷氧基硅烷化合物的方法，其能够更有效地去除在使用硅氮烷类化合物制造烷氧基硅烷化合物时作为副产物生成的氨。所述制造烷氧基硅烷化合物的方法包括：将醇添加到硅氮烷类化合物中并使所述醇与所述硅氮烷类化合物反应以制备包含烷氧基硅烷化合物和氨的第一混合物；将醇和式2表示的化合物添加到第一混合物中并使所述醇和式2的化合物与第一混合物反应以制备第二混合物，其中生成另外的烷氧基硅烷化合物和铵盐；将水性溶剂添加到第二混合物中以溶解所述铵盐；以及分离并去除所述铵盐。
制造烷氧基硅烷化合物方法

[发明专利]将含硅化合物连接至表面以及合成超价硅化合物的方法-CN200680033595.4有效
发明人：杰弗里·欧文斯 -专利权人：阿力泽有限公司
申请日： 2006-09-15 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： D06M13/513 文献下载
摘要：一种将一种或更多种含硅化合物化学连接至基材的方法，该方法包括：提供一种或更多种选自硅氧烷化合物、硅烷醇化合物、硅醚化合物、硅烷醇盐/酯化合物、卤代硅烷化合物、杂氮硅三环化合物和硅氮烷化合物的含硅化合物；使一种或更多种含硅化合物与基材表面接触，所述基材表面上具有一个或更多个亲核部位；以及使含硅化合物和所述表面暴露在频率为0.3－30GHz的电磁辐照下。
将含硅化合物连接表面以及合成超价硅方法

[发明专利]硅基磷酸酯及其制备方法-CN202210133060.5在审
发明人：王凯;范伟贞;信勇;赵经纬 -专利权人：九江天赐高新材料有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C07F9/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基磷酸酯的制备方法。包括如下步骤：将二硅氮烷类化合物、环状内胺类化合物A和有机碱混合，进行预反应，再加入无机磷酸盐，混合反应，制备所述硅基磷酸酯；并具体限定了二硅氮烷类化合物、环状内胺类化合物A的种类。本发明通过采用二硅氮烷类化合物、环状内胺类化合物A与有机碱、无机磷酸盐反应制备硅基磷酸酯，制备过程无需进行中间体的分离纯化，可实现一锅法制备硅基磷酸酯，步骤简便，并且该方法能够在无溶剂条件下进行，避免了使用有机溶剂带来的危害以及后续处理问题，对设备无腐蚀，采用二硅氮烷类化合物可避免产生卤素盐类的问题，进而更好地避免对电池性能产生不利的影响。
磷酸酯及其制备方法

[发明专利]能形成致密硅质薄膜的含聚硅氮烷的组合物-CN200880112428.8有效
发明人：尾崎祐树 -专利权人： AZ电子材料(日本)株式会社
申请日： 2008-10-27 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： C08L83/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种含聚硅氮烷的组合物，与已知的含聚硅氮烷的组合物相比，其能更快速并在更低的温度下形成致密硅质薄膜。在形成硅质薄膜的过程中，将包含聚硅氮烷化合物、特定的胺化合物和溶剂的组合物涂覆于衬底上并转变为硅质物质。该特定的胺化合物优选包含以5个或更多个C-C键的间隔距离相互分开的2个胺基，并且该胺基优选具有烃取代基团。
形成致密薄膜含聚硅氮烷组合

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