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[发明专利]一种柔性硅基纳米薄膜热电器件-CN201610263449.6有效
发明人：彭英;苗蕾;王潇漾;刘呈燕 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L35/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种柔性硅基纳米薄膜热电器件，包括柔性玻璃基底，在所述柔性玻璃基底上设置有硅基纳米薄膜热电臂、石墨烯电极、石墨烯涂层，所述硅基纳米薄膜热电臂采用物理气相沉积技术沉积在所述柔性玻璃基底上，所述硅基纳米薄膜热电臂之间采用石墨烯电极进行连接本发明采用柔性玻璃基底，沉积在基底表面的纳米硅基薄膜在制备过程中可以采用高温快速退火工艺，有利于量子点和超晶格的生成，大幅提高硅基纳米薄膜热电性能。
一种柔性纳米薄膜热电器件

[发明专利]一种硅铝基再生胶凝材料及其制备方法-CN202210672775.8有效
发明人：智程洋;智程程;智程琳;智广询;薛彦哥;智程龙 -专利权人：洛阳绿筑建筑材料有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C04B28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅铝基再生胶凝材料及其制备方法；涉及硅铝基再生胶凝材料技术领域；解决现有技术中的硅铝基再生胶凝材料早期强度不够的问题；所述硅铝基再生胶凝材料由以下组分制成：硅铝基胶40％‑50％，超高细矿渣粉5‑15％，无害化二次铝灰渣粉20‑30％，添加剂15‑25％；所述硅铝基再生胶凝材料早期强度较高，且含碳量低，符合绿色胶凝材料的要求。
一种硅铝基再生胶材料及其制备方法

[发明专利]一种三(三烃基硅基)硼酸酯的合成方法-CN201811533206.5在审
发明人：傅人俊;林晓文;郑翔;徐伟文;曲大伟 -专利权人：常熟市常吉化工有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种三(三烃基硅基)硼酸酯的合成方法，向干燥的反应瓶中加入硼酸和三烃基硅基胺，在加热、搅拌和回流冷凝的条件下边反应边蒸出生成的胺，反应液经精密过滤、减压精馏，得到高纯度的三(三烃基硅基)硼酸酯本发明采用硼酸与三烃基硅基胺反应，一方面反应的副产物可以回收循环使用，提高原料利用效率，有效降低废弃物的产生，工艺路线绿色环保；另一方面，硼酸的转化率高，几乎完全转化，反应的收率高，三(三烃基硅基)硼酸酯的产率为90％以上，反应液中三(三烃基硅基)硼酸酯含量高，杂质含量少，反应液粗品经过减压精馏，所得的三(三烃基硅基)硼酸酯纯品的纯度达99.9％以上，符合锂离子电池电解液添加剂的要求。
烃基硅硼酸酯硼酸减压精馏基胺锂离子电池电解液合成原料利用效率工艺路线回流冷凝精密过滤绿色环保反应瓶副产物高纯度产率粗品收率加热废弃物添加剂下边回收转化

[发明专利]一种逆变器共模电磁干扰噪音抑制方法及系统-CN202010523138.5有效
发明人：戴瑜兴;彭子舜;朱方;曾国强;张正江;闫正兵;王环;章纯;胡文;黄世沛 -专利权人：温州大学
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H02M1/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种逆变器共模电磁干扰噪音抑制方法及系统，包括：获得负载电流I；将负载电流I与设定电流值I0进行比较；当|I|≤I0时，关断硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并联器件中的碳化硅基MOSFET，采用恒定开关频率的双极性正弦脉宽调制控制硅基IGBT的导通和关断；硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并联器件为硅基IGBT和碳化硅基MOSFET并联的器件；当|I|＞I0时，硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并联器件中碳化硅基MOSFET比硅基IGBT先开通后关断，采用变开关频率的单极性正弦脉宽调制控制硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并联器件的导通和关断。
一种逆变器电磁干扰噪音抑制方法系统

[实用新型]一种协同利用多种固危废的反应系统-CN202122337355.8有效
发明人：刘风琴;谢明壮;顾松青;赵洪亮;吴泽港;柯朝阳 -专利权人：北京科技大学;内蒙古日盛可再生资源有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C01B33/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种协同利用多种固危废的反应系统，铝硅基固体废弃物储仓内铝硅基固体废弃物进入预脱硅反应罐内并进行脱硅反应后得到脱硅浆料；脱硅浆料进入脱硅浆料固液分离器内进行固液分离后得到硅酸钠溶液与预脱硅的铝硅基固体废弃物，含钠添加剂储罐内的预脱硅的铝硅基固体废弃物、碱性铝硅钙基固体废弃物、含氟碳基危险固体废弃物、含氮铝基危险固体废弃物、碱性钙基固体废弃物和含钠添加剂在混合搅拌仓内按一定比例混合，得到物料混合；物料混合经过混合搅拌仓
一种协同利用多种固危废反应系统

[发明专利]一种GaN基级联功率器件及其封装方法-CN201810953473.1在审
发明人：王洪;陈泽亮;周泉斌;高升 -专利权人：中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基级联功率器件及其封装方法。该GaN基级联功率器件包括大栅宽GaN基功率芯片、硅基功率MOS芯片、TO‑220框架、小铜基板、导电银浆和绝缘胶；大栅宽GaN基功率芯片是横向结构的高耐压、耗尽型GaN基功率芯片，硅基功率MOS芯片是垂直结构的低压、增强型硅基功率MOS芯片。硅基功率MOS芯片通过导电银浆与小铜基板连接，小铜基板通过绝缘胶与TO‑220框架的基岛连接；大栅宽GaN基功率芯片通过绝缘胶固定在TO‑220框架的基岛上；本发明通过引入Cascode方式，将大栅宽GaN基功率芯片与硅基功率MOS芯片结合起来，组合成实用性更广的增强型的GaN基功率器件。
功率芯片功率MOS 硅基功率器件大栅绝缘胶级联小铜芯片导电银浆增强型基板基岛封装垂直结构横向结构基板连接芯片结合高耐压耗尽型引入

[发明专利]含烯基或硅氢键的星状聚硅氧烷以及热硬化树脂组成物-CN201210427821.4有效
发明人：廖元利;张誉珑;杨敏麒 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C08G77/20 文献下载
摘要：本发明揭露含烯基或硅氢键的星状聚硅氧烷以及热硬化树脂组成物。所述含烯基或含硅氢键的星状聚硅氧烷包括X基团以及各自通过-CmH2m-与X基团连接的多个Y基团。X为一分子含三至六个末端烯基或末端硅氢键的化合物经硅氢化反应的残基。Y各自独立，为一分子含二个末端硅氢键或末端烯基的聚硅氧烷经硅氢化反应的残基。-CmH2m-各自独立，为前述一分子含三至六个末端烯基或末端硅氢键的化合物与一分子含二个末端烯基或末端硅氢键的聚硅氧烷进行硅氢化反应所产生的连结基团，m为2～5的整数。
含烯基氢键星状聚硅氧烷以及硬化树脂组成

[发明专利]一种二级三氟甲基炔丙基醇的合成方法-CN201710140153.X有效
发明人：方文智;朱燕舞;徐俊;许华建 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种二级三氟甲基炔丙基醇的合成方法，用2‑碘苯甲酸和高碘酸钠反应生成1‑(羟基)‑1,2‑苯碘酰‑3(1H)‑酮(BIOH)，三甲基硅基乙炔和三异丙基氯硅烷生成三甲基硅基(三异丙基硅基)乙炔，BIOH与三甲基硅基(三异丙基硅基)乙炔合成出1‑[(三异丙基硅基)乙炔基]‑1,2‑苯碘酰‑3(1H)‑酮，1‑[(三异丙基硅基)乙炔基]‑1,2‑苯碘酰‑3(1H)‑酮与三氟乙胺盐酸盐、亚硝酸钠反应合成出1‑[(三异丙基硅基)乙炔基]‑1,2‑苯碘酰‑3(1H)‑酮，最后通过水解合成目标产物。
一种二级甲基丙基合成方法

[发明专利]LED灯丝封装用有机硅胶的制备方法-CN201610177039.X有效
发明人：欧阳冲;肖时君;游正林 -专利权人：深圳市安品有机硅材料有限公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明公开LED灯丝封装用有机硅胶的制备方法，由分子中至少含有两个与硅键合的链烯基的线型有机聚硅氧烷、分子中含有与硅键合的链烯基的有机硅树脂预聚物、分子中含有与硅键合的链烯基及与硅键合的芳基的线型有机聚硅氧烷与有机溶剂混合后减压蒸馏，得到1#基胶；将1#基胶与触变剂混合研磨并加热处理后再次研磨，得到2#基胶；将1#基胶、2#基胶与催化剂混合得到A组分；将2#基胶与分子中至少含有两个与硅键合的链烯基的线型有机聚硅氧烷、增粘剂、固化剂及抑制剂混合得到
led 灯丝封装有机硅胶制备方法

[发明专利]一种硅基有机电致发光微显示器及其制备方法-CN202011118174.X在审
发明人：刘玉龙;沈伟星;季渊;潘仲光 -专利权人：南京昀光科技有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种硅基有机电致发光微显示器及其制备方法。该硅基有机电致发光微显示器包括：硅基电路基板，所述硅基电路基板包括硅基衬底和位于所述硅基衬底上的驱动电路；多个子像素，所述子像素设置在所述硅基电路基板上，所述子像素包括依次层叠设置的第一电极、缓冲图形、本发明实施例解决了现有硅基有机电致发光微显示器中子像素之间容易发生横向漏电的问题，可以避免子像素之间相互串色，同时可以提高子像素的空穴注入能力，改善载流子的复合效率，提升子像素的发光效率。
一种有机电致发光显示器及其制备方法

[发明专利]硅基显示面板及其制备方法、显示装置-CN202210933880.2在审
发明人：刘玉龙;季渊 -专利权人：南京昀光科技有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基显示面板及其制备方法、显示装置。硅基显示面板具有红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区；硅基显示面板包括：硅基驱动板；发光器件层和封装层，位于硅基驱动板的同一侧，且封装层封装发光器件层；彩色滤光层，位于封装层远离硅基驱动板的一侧；彩色滤光层包括分别位于红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区的第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层；微透镜层，位于彩色滤光层远离硅基驱动板的一侧，被配置为分别汇聚透过第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层的光；微透镜层内设置有散射粒子。本发明的技术方案能够提高出光率，进而提高硅基显示面板的显示发光亮度和显示均一性。
显示面板及其制备方法显示装置

[发明专利]一种基于硅基OLED低温下的亮度自适应补偿方法-CN202211611978.2在审
发明人：张雨程;殷照;高红佳;陈鑫;朱鹏;丁进 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅基OLED低温下的亮度自适应补偿方法，硅基OLED屏驱动芯片上集成了温度采集电路和加热控制电路；硅基OLED屏通过绝缘导热胶贴装在PCB驱动背板上，并通过金属丝键合在一起，玻璃覆合在OLED屏上；硅基OLED屏驱动芯片上温度采集电路采集硅基OLED屏的温度，再传输至加热控制电路，加热控制电路控制所述PCB驱动背板上的加热电路工作，加热电路产生的热量传输至硅基OLED屏驱动芯片上，本发明针对COB封装的硅基OLED器件，通过在低温环境下对OLED微显示屏进行加热，可以使COB封装的硅基OLED器件的发光亮度在低温环境下和在常温环境下达到相同的效果。
一种基于 oled 低温亮度自适应补偿方法

[发明专利]一种硅基OLED显示模组-CN202211533681.9在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：徐俊马
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基OLED显示模组，涉及硅基OLED领域，该硅基OLED显示模组，包括硅基OLED显示屏，所述硅基OLED显示屏的背面固定连接有固定圆盘，所述固定圆盘的底面固定连接有支撑短柱，所述固定圆盘的外表面开设有防挡槽，所述硅基OLED显示屏的背面设有支撑横板，所述支撑横板的底面固定连接有加固板。该硅基OLED显示模组，通过设置固定圆盘、伸缩卡块、固定挡盘等部件，通过固定圆盘部件与固定挡盘部件之间相互的配合关系，使得固定挡盘部件能够通过伸缩卡块对其进行快速固定，进而达到了本装置能够通过固定圆盘对伸缩卡块的推动，达到使固定挡盘快速拆卸下来的效果，达到了使硅基OLED显示屏模组方便安装与拆卸的目的。
一种 oled 显示模组

[发明专利]异质集成的硅基射频微系统结构及其制作方法-CN201710400399.6有效
发明人：刘秀博;王绍东;王志强;吴洪江 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质集成的硅基射频微系统结构及其制作方法，涉及半导体和微电子封装技术领域，包括硅基载体层、硅基外框层、硅基引线保护层、硅基盖板层、衰减器、射频芯片和滤波器；本发明针对射频组件中因为应用多颗不同工艺的不同衬底材料的芯片使得组件体积庞大的问题，设计一种异质集成的硅基射频微系统结构，使得不同工艺的不同衬底材料的芯片集成在同一硅基衬底上，同时在硅基基板上直接加工衰减器和滤波器等无源器件来实现有源射频器件和无源射频器件的异质集成，最后整体单元作为一个整体进行系统级封装
集成射频系统结构及其制作方法

[发明专利]一种硅基负极锂离子电池非水电解液及含该电解液的硅基负极锂离子电池-CN201910169548.1有效
发明人：潘立宁;刘津宏;朱学全;郭力;黄慧聪;王建斌 -专利权人：杉杉新材料（衢州）有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01M10/0567 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池技术领域，公开了一种硅基负极锂离子电池非水电解液及含该电解液的硅基负极锂离子电池。本发明的硅基负极锂离子电池非水电解液包含电解质锂盐、非水有机溶剂和成膜添加剂，所述成膜添加剂中含有式(Ⅰ)结构所示的硅基化合物和/或常规负极成膜添加剂，同时本发明还公开一种硅基负极锂离子电池。本发明中的硅基类添加剂能够在硅基负极材料表面形成一层均匀有弹性的保护膜，减少电解液在电池材料表面的氧化反应，提升硅基负极锂离子电池的常温循环性能、高温循环性能和高温储存性能。
一种负极锂离子电池水电电解液