专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]双层石英安瓿-CN201320365797.6有效
  • 周燕飞;任都迪;陈立东 - 中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 2013-06-25 - 2013-11-20 - C30B30/08
  • 本实用新型涉及一种双层石英安瓿,所述双层石英安瓿具有石英安瓿外管和位于所述石英安瓿外管的内部用于容纳材料样品的石英坩埚,所述石英坩埚的底部连接有插入至凹形石墨塞的石英短棒,所述石英坩埚的顶部封接有用于顶紧所述材料样品的第一石英顶管,所述石英安瓿外管的顶部封接有用于顶紧所述石英坩埚的第二石英顶管。本实用新型提供的双层石英安瓿安全可靠,适用于特殊或普通的工作实验环境,其中所有的部件都能够在较高温度正常使用,适用材料范围广。
  • 双层石英安瓿
  • [发明专利]单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置-CN201210524283.0有效
  • 吴卿;周立庆;刘兴新;徐强强 - 中国电子科技集团公司第十一研究所
  • 2012-12-07 - 2013-04-03 - C23C16/26
  • 本发明公开了一种单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置,该装置在石英安瓿的颈部设置安瓿支架,所述安瓿支架内设有通道;所述通道内设置导流管,所述导流管的一端插进所述石英安瓿的底部,所述导流管的另一端穿出所述安瓿支架与排气管相连接,所述排气管的另一端与真空泵连接;所述安瓿支架上还设有进气管,所述进气管内的碳膜裂解气体通过所述导流管与所述颈部之间的空隙进入所述石英安瓿;所述进气管和所述排气管上均设有流量计。通过在石英安瓿的颈部设置一个安瓿支架,并通过设置在进气管和排气管上的流量计实现石英安瓿内裂解气体的动态平衡,从而在石英安瓿内得到均匀的碳膜。
  • 生长石英安瓿内壁制备装置
  • [实用新型]单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置-CN201220672715.8有效
  • 吴卿;周立庆;刘兴新;徐强强 - 中国电子科技集团公司第十一研究所
  • 2012-12-07 - 2013-06-05 - C23C16/26
  • 本实用新型公开了一种单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置,该装置在石英安瓿的颈部设置安瓿支架,所述安瓿支架内设有通道;所述通道内设置导流管,所述导流管的一端插进所述石英安瓿的底部,所述导流管的另一端穿出所述安瓿支架与排气管相连接,所述排气管的另一端与真空泵连接;所述安瓿支架上还设有进气管,所述进气管内的碳膜裂解气体通过所述导流管与所述颈部之间的空隙进入所述石英安瓿;所述进气管和所述排气管上均设有流量计。通过在石英安瓿的颈部设置一个安瓿支架,并通过设置在进气管和排气管上的流量计实现石英安瓿内裂解气体的动态平衡,从而在石英安瓿内得到均匀的碳膜。
  • 生长石英安瓿内壁制备装置
  • [发明专利]一种Ga‑La‑S硫系玻璃的制备装置及其制备方法-CN201610009920.9有效
  • 焦清;李戈;徐铁峰;戴世勋;沈祥;张培全;刘永兴 - 宁波大学
  • 2016-01-08 - 2018-01-05 - C03C3/32
  • 本发明公开了一种Ga‑La‑S硫系玻璃的制备装置及其制备方法,特点是包括摇摆炉,摇摆炉内设置有两端密封的石英安瓿瓶,石英安瓿瓶的瓶壁中间设置有卡槽,卡槽与石英安瓿瓶的底部之间设置有玻碳坩埚,玻碳坩埚的外壁与所述的石英安瓿瓶内壁紧贴,制备方法包括将原料按比例混合后放入玻碳坩埚内;将石英安瓿瓶进行抽真空同时加热至110℃后保持2小时以上直至瓶内的压强降至1×10‑3Pa后,封接石英安瓿瓶步骤;将石英安瓿瓶放置到摇摆炉中加热到1150℃,同时摇摆炉摇摆反应,倒置摇摆炉静置后取出安瓿瓶放入水中淬冷,最后放入退火得到产品的步骤,优点是既可以获得较高的冷却速率,又能制备纯度较高的Ga‑La‑S硫系玻璃。
  • 一种gala玻璃制备装置及其方法
  • [发明专利]一种用于空间在轨材料科学实验的通用型样品安瓿-CN201710769898.2有效
  • 罗兴宏;李洋;封少波 - 中国科学院金属研究所
  • 2017-08-31 - 2022-07-22 - B01L3/00
  • 本发明公开了一种用于空间在轨材料科学实验的通用型样品安瓿,属于空间微重力条件下材料科学实验研究技术领域。该样品安瓿包括石英安瓿外管、石英顶管、装载区、不锈钢套管与合金夹头;石英安瓿外管内设置带有中心孔的定位平台,用于封装时对样品或坩埚定位;石英顶管用于顶紧并固定样品或坩埚;装载区是指石英安瓿外管内的定位平台与石英顶管之间的封闭区域,所述装载区用于放置并固定样品或坩埚;所述合金夹头包括不锈钢夹头,用于夹紧石英顶管;所述不锈钢外套管对样品安瓿起保护作用。本发明与实验装置配套,承载材料样品且具有密封性,适用于空间微重力环境下多种类型材料实验并安全可靠的通用型安瓿
  • 一种用于空间材料科学实验通用型样品安瓿
  • [实用新型]一种磷化铟多晶合成装置-CN202022517522.2有效
  • 李勇;曾志勇;罗福敏 - 威科赛乐微电子股份有限公司
  • 2020-11-04 - 2021-09-14 - C30B29/40
  • 本实用新型属于半导体制备技术领域,公开了一种磷化铟多晶合成装置,包括石英炉膛管,石英炉膛管两端设有高温加热器和低温加热器,石英炉膛管设有加热器隔温棉且位于高温加热器和低温加热器之间,石英炉膛管中放置有石英安瓿瓶,石英安瓿瓶的两端均设有大瓶颈区,中部设有小瓶颈区,两个大瓶颈区分别设有放置高纯红磷的红磷区和放置高纯铟的高纯铟区,石英安瓿瓶的高纯铟区远离小瓶颈区的一端为开口端且设有石英帽,石英安瓿瓶的小瓶颈区和石英炉膛管之间设有石英安瓿瓶隔温棉
  • 一种磷化多晶合成装置
  • [发明专利]一种PBN坩埚氧化预处理装置、方法及其应用-CN202110425330.5在审
  • 吕新杨;易明辉;刘建忠;吴晓波;周铁军 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2021-04-20 - 2021-08-06 - C04B41/87
  • 本发明属于半导体材料制备技术领域,具体公开了一种PBN坩埚氧化预处理装置、方法及其应用,所述预处理装置包括:容纳PBN坩埚的石英安瓿石英安瓿顶部开口,在顶部开口处设有相适配的密封盖,密封盖上设有进气孔,石英安瓿设有出气孔,进气孔和出气孔分别连通进气管和出气管;抽真空装置,抽真空装置与石英安瓿相连;加热装置,加热装置被设置为用于加热石英安瓿和进气管;供气装置,供气装置与进气管相连。在砷化镓单晶生长过程,本发明方法处理过的PBN坩埚只在内壁形成氧化层,在装料过程可以有效的降低氧化层与空气接触过程中吸收空气中的水分,有效防止长晶过程中的石英安瓿发生膨胀导致的长晶阶段导致加热装置及PBN
  • 一种pbn坩埚氧化预处理装置方法及其应用

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