专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种同步泵浦锁模超短脉冲激光装置及其锁模方法-CN202110836571.9在审
  • 滕浩;魏志义 - 中国科学院物理研究所
  • 2021-07-23 - 2023-02-03 - H01S3/094
  • 本发明提供了一种同步泵浦锁模超短脉冲激光装置,包括具有第一振荡腔的掺镱全光纤激光器和具有第二振荡腔的掺钛蓝宝石飞激光器,其中所述掺镱全光纤激光器用于输出具有第一中心波长的第一脉冲序列作为泵浦光,或通过倍频器倍频为第二脉冲序列以作为泵浦光;所述掺钛蓝宝石飞激光器由所述泵浦光泵浦,产生具有目标中心波长的目标脉冲序列并输出;以及其中,根据所述第一振荡腔的长度调节所述第二振荡腔的长度以使得所述第一脉冲序列与所述目标脉冲序列被同步泵浦锁模。本发明所述的方法和装置锁模容易,稳定性高,可同时输出不同中心波长且彼此同步锁模的飞激光,而且成本大大降低。
  • 一种同步泵浦锁模超短脉冲激光装置及其方法
  • [实用新型]一种新型UWB冲激脉冲信号发生器-CN201420844062.6有效
  • 艾景海;程俊贤;吕永红;纪玉翀 - 青岛瑞普电气股份有限公司
  • 2014-12-27 - 2015-06-24 - H03K3/02
  • 本实用新型公开了一种新型UWB冲激脉冲信号发生器,其包括四级串联电路,每级电路均由8只高速开关晶体管和电容组成,所述电路对外有三个接口,触发接口,输出接口和电源接口。其利用高速开关晶体管的雪崩特性,在雪崩导通瞬间,电流呈“雪崩”式迅速增长,结合Marx电路并行充电串行放电的原理,同时加入反射线得到需要的波形,具有以下优点:脉冲宽度可调:输出脉冲宽度最低可达几百到几纳脉冲幅度可调:输出脉冲幅度可达几十伏到几百伏;脉冲信号可选:单脉冲或正负双脉冲信号;体积小、重量轻、性价比高、应用前景广阔。
  • 一种新型uwb冲激脉冲信号发生器
  • [发明专利]一种GHz光弹调制器-CN202211488262.8有效
  • 盛志高;孙韬 - 中国科学院合肥物质科学研究院
  • 2022-11-25 - 2023-09-05 - G02F1/01
  • 本发明公开了一种产生GHz双折射效应的方法及GHz光弹调制器,所述方法包括:通过飞级超短电磁脉冲激发换能器层产生瞬态的热脉冲并升温,通过热膨胀产生皮量级的超短应力脉冲;应力脉冲在光弹晶体内部以声速传播,应力脉冲到达位置处会引起晶格畸变,导致该位置处折射率以及折射率椭球的变化,从而产生了一个具有双折射效应的移动界面;此时,一束偏振光在该界面处发生伴随双折射效应的受激布里渊散射,导致反射光的偏振态发生改变
  • 一种ghz调制器
  • [发明专利]大面积二维金属光子晶体结构的飞激光直写制备方法-CN201510595131.3有效
  • 乔红贞;杨建军;秦晓勇;王飞 - 南开大学
  • 2015-09-18 - 2017-03-22 - B23K26/352
  • 大面积二维金属光子晶体结构的飞激光直写制备方法。本发明提出基于双折射晶体的分光技术获得的共线传输、交叉偏振和具有时间延迟的同波长双脉冲激光,通过平凸柱透镜聚焦在金属表面一步式大面积制备形成特征尺寸为亚微米量级周期性分布的二维光子晶体结构的方法和实验装置二维周期结构图案可通过改变入射激光能量和脉冲数目、以及双折射晶体的厚度和方位角等进行有效调控。本发明利用两束飞激光脉冲不同线偏振方向和可变延迟时间特性以及柱透镜聚焦的组合设计,方便快捷地实现在大面积范围内二维金属光子晶体结构的制备。本发明提出的交叉偏振可变时间延迟的双脉冲激光制备新方法在材料微纳米加工制备领域有着潜在的重要应用。
  • 大面积二维金属光子晶体结构激光制备方法
  • [发明专利]一种PI膜特定紫外加工方法及紫外加工系统-CN202111120473.1在审
  • 李海洋;陆银 - 常州英诺激光科技有限公司;英诺激光科技股份有限公司
  • 2021-09-24 - 2021-12-03 - B23K26/70
  • 本发明属于激光加工设备技术领域,具体涉及一种PI膜特定紫外加工方法及紫外加工系统,本PI膜特定紫外加工方法包括:步骤1,将PI膜放置于加工平台上,并设置相应加工路径;步骤2,通过真空吸附将PI膜固定在加工平台上相应位置处,并开启相应吸尘装置;步骤3,以使激光器发出激光波长为355nm、脉宽为8‑12ps、频率为100kHz‑1MHz、脉冲串为1‑10/prf的激光光束,并将激光光束的焦点聚焦在膜内部;步骤4,控制加工平台按设定加工路径移动,以使激光器发出的激光光束按加工路径对PI膜进行切割;本发明能够降低很多等离子体生成以及热积累,快速带走等离子体以及热积累,实现对PI膜很好的切割效果,同时脉冲串的引入
  • 一种pi特定紫外加工方法系统

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