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[发明专利]基于单层石墨烯/绝缘层/硅/锗结构的电荷注入器件-CN202011249244.5在审
发明人：徐杨;吕建杭;刘威;刘亦伦;刘晨;俞滨 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单层石墨烯/绝缘层/硅/锗结构的电荷注入器件，包括栅极、锗、硅衬底、氧化物绝缘层、源极、漏极和单层石墨烯薄膜；入射光照射到器件表面时，可见光被半导体硅吸收，其产生的少数载流子被积累到硅衬底中的深耗尽势阱；红外光穿过硅层，被锗，以及锗与硅形成的异质结所吸收，在电场的作用下，产生的少数载流子被注入到体硅的深耗尽势阱中。由于电容耦合效应，器件表面的石墨烯会耦合出与势阱中的空穴对应的等量电子，从石墨烯的电流中能够实时读出硅势阱中电荷。锗作为窄带隙半导体，对红外波段光线的吸收能力卓越。本发明通过使用石墨烯和锗，拓展了传统CCD器件的光谱响应范围，极大提高了传统CCD器件在红外波段的吸收效果。
基于单层石墨绝缘结构电荷注入器件

[发明专利]一种基于单层石墨烯/绝缘层/硅/多层石墨烯结构的电荷注入器件-CN202010382069.0有效
发明人：徐杨;刘晨;刘威;吕建杭;刘亦伦;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单层石墨烯/绝缘层/硅/多层石墨烯结构的电荷注入器件，自下而上设有栅极、多层石墨烯、硅衬底、氧化物绝缘层，氧化物绝缘层上表面设有源极和漏极，并覆盖单层石墨烯薄膜；入射光照射到器件表面时，可见光被半导体硅吸收，其产生的少数载流子积累到硅衬底中的深耗尽势阱；红外光穿过硅层被异质结吸收，产生的少数载流子注入到体硅的深耗尽势阱中。器件表面的石墨烯会耦合出与势阱中的空穴对应的等量电子，从石墨烯的电流中能够实时读出硅势阱中的电荷。本发明通过使用多层石墨烯，拓展了传统CCD器件的光谱响应范围，提高了传统CCD器件在红外波段的吸收效果；同时保持了硅基CCD噪声小、可靠性高、工艺成熟、成本低廉等特点。
一种基于单层石墨绝缘多层结构电荷注入器件

[发明专利]用于绝缘体上硅的s接触-CN201610885245.6有效
发明人：贝夫鲁斯·塔什巴什;西蒙·爱德华·威拉德;阿拉因·迪瓦莱;锡南·格克泰佩利 -专利权人：派赛公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：描述了用于使用电阻式结构改善防止电荷注入器件层中的系统、方法和装置。可以使用更简单的制造方法和更少的制造步骤来制作这样的电阻式结构，即s接触部。
用于绝缘体接触

[发明专利]用于绝缘体上硅的s接触-CN201910222017.4有效
发明人：贝夫鲁斯·塔什巴什;西蒙·爱德华·威拉德;阿拉因·迪瓦莱;锡南·格克泰佩利 -专利权人：派赛公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：描述了用于使用电阻式结构改善防止电荷注入器件层中的系统、方法和装置。可以使用更简单的制造方法和更少的制造步骤来制作这样的电阻式结构，即s接触部。
用于绝缘体接触

[发明专利]驱动非易失性半导体存储器件的方法-CN200810168078.9有效
发明人：藤木润 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-09-27 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于驱动易失性半导体存储器件的方法。该非易失性半导体存储器件具有在半导体衬底的表面部分中相互间隔开的源极/漏极扩散层，在源极/漏极扩散层之间的沟道上形成并包括电荷存储层的层压绝缘膜，以及在该层压绝缘膜上形成的栅极电极，该非易失性半导体存储器件通过电荷到电荷存储层中的注入来改变其数据存储状态该方法包括在将电荷注入到电荷存储层中以改变数据存储状态之前：注入具有与要注入的电荷相同的极性的电荷；以及进一步注入具有与所注入电荷相反的极性的电荷。
驱动非易失性半导体存储器件方法

[发明专利]一种面向电荷共享的电流源模型的建立方法-CN201911319117.5有效
发明人：李磊;周婉婷 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向电荷共享的电流源模型的建立方法，根据注入离子的种类，确定注入离子的线性传输能量；通过仿真建模得出参考距离，参考距离为离子注入的最大影响距离；通过仿真建模得出收集电荷的深度；通过仿真建模得出器件收集电荷的双极性放大系数；设定需要评估的注入距离，注入距离为注入点到收集点的距离；根据得到的注入离子的线性传输能量、参考距离、收集电荷的深度、器件收集电荷的双极性放大系数和设定的注入距离，得到面向电荷共享的注入电流表示式。本发明的方法基于二维的扩散思想，引入注入距离和参考距离，通过注入距离和参考距离的共同作用从而解决了电荷共享问题，单个注入的离子导致的电荷可以为多个收集点收集。
一种面向电荷共享电流模型建立方法

[发明专利]改善有机薄膜元器件中有机膜电荷注入的方法-CN200410052792.3有效
发明人：丁传凡;王平 -专利权人：上海景丰电子科技有限公司
申请日： 2004-07-12 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明改善有机薄膜元器件中有机膜电荷注入的方法涉及对材料性能的改良，属于材料科学领域。具体涉及一种能改善有机薄膜元器件中有机膜电荷注入的方法，本发明改善有机薄膜元器件中有机膜电荷注入的方法，是将用于制造有机薄膜元器件的有机材料溶解在溶剂中制备成有机材料溶液，同时将一定量的盐或几种盐混合物溶解在溶剂或混合溶剂中制备成盐溶液给出的改善有机薄膜元器件中有机膜材料中电荷注入的方法，可以显著增强各色(红、绿、蓝和白等...)有机发光元器件(OLED)的发光效率和使用寿命。
改善有机薄膜元器件电荷注入方法

[发明专利]固态成像器件-CN202110195760.2在审
发明人：坂野赖人;马渕圭司;町田贵志 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：固态成像器件包括配置为产生光电荷的光电转换部分和传送光电荷到半导体区域的传输门。用于驱动单元像素的方法包括在光电转换部分中累积光电荷的步骤和在半导体区域中累积光电荷的步骤。形成固态成像器件的方法包括通过掩模中的开口将离子注入到阱层中，通过另一掩模中的开口将附加的离子注入到该阱层中，和通过又一掩模中的开口将其它离子注入到该阱层中。电子装置包括固态成像器件。
固态成像器件

[发明专利]固态成像器件、用于驱动其的方法、用于制造其的方法-CN201710400555.9有效
发明人：坂野赖人;马渕圭司;町田贵志 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：固态成像器件包括配置为产生光电荷的光电转换部分和传送光电荷到半导体区域的传输门。用于驱动单元像素的方法包括在光电转换部分中累积光电荷的步骤和在半导体区域中累积光电荷的步骤。形成固态成像器件的方法包括通过掩模中的开口将离子注入到阱层中，通过另一掩模中的开口将附加的离子注入到该阱层中，和通过又一掩模中的开口将其它离子注入到该阱层中。电子装置包括固态成像器件。
固态成像器件用于驱动方法制造

[发明专利]固态成像器件、用于驱动其的方法、用于制造其的方法及电子装置-CN201280033579.0有效
发明人：坂野赖人;马渕圭司;町田贵志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：固态成像器件包括配置为产生光电荷的光电转换部分和传送光电荷到半导体区域的传输门。用于驱动单元像素的方法包括在光电转换部分中累积光电荷的步骤和在半导体区域中累积光电荷的步骤。形成固态成像器件的方法包括通过掩模中的开口将离子注入到阱层中，通过另一掩模中的开口将附加的离子注入到该阱层中，和通过又一掩模中的开口将其它离子注入到该阱层中。电子装置包括固态成像器件。
固态成像器件用于驱动方法制造电子装置

[发明专利]LDMOS器件-CN201710904201.8有效
发明人：颜树范 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS器件，包括：漂移区，体区；由栅介质层和多晶硅栅叠加形成的栅极结构，源区和漏区；在漏区的外侧的漂移区中形成有由P+区组成的空穴注入区；空穴注入区的深度大于漏区的深度；在积累层区域中形成有由N型掺杂区组成的电荷存储区；空穴注入区在器件导通时提供空穴注入以减少导通电阻，电荷存储区用于对空穴漂移进行阻挡。电荷存储区的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度以及电荷存储区的掺杂浓度小于体区的掺杂浓度，使器件截止时漂移区的耗尽由体区和漂移区的掺杂浓度决定。本发明能降低器件的导通电阻，同时保持良好的击穿电压。
ldmos 器件

[发明专利]有机电致发光材料和器件-CN202011492131.8有效
发明人：丁华龙;夏传军;刘仁茂;崔至皓;邝志远 -专利权人：北京夏禾科技有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：公开了一种有机电致发光材料和器件。所述有机电致发光材料是一系列具有脱氢苯并二咪唑或脱氢苯并二吡咯及其类似结构的新型化合物，可用作电致发光器件中的电荷传输材料、电荷注入材料及类似材料。这些新型化合物具有深LUMO能级，在电荷传输材料、电荷注入材料等领域中具有更好的潜力和优良的应用前景。还公开了一种电致发光器件和化合物组合。
有机电致发光材料器件

[发明专利]一种高效率有机上转换器件-CN202010400955.1有效
发明人：吴双红;王浩宇;李中元;王瑞;汪晟;汪相如 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效率有机上转换器件，包括从上到下依次设置的具有光电增益的近红外光敏层、电荷注入层、高效率有机发光的OLED薄膜层，近红外光敏层产生的电荷通过电荷注入层有效注入到OLED薄膜层中：本发明采用具有光电增益的近红外光敏层，并与高效率有机发光的OLED薄膜层结合，利用电荷积累辅助电荷隧穿原理与上转换发光原理，提高有机上转换器件的发光效率。
一种高效率有机转换器件

[发明专利]一种基于银纳米线电极的有机发光器件结构-CN202010492247.5有效
发明人：邓玲玲;戈鑫;郭金涛;宋家成 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明揭示了一种基于银纳米线电极的有机发光器件结构，该有机发光器件结构包括依次按序层叠的透明基底、高折射率透明膜层、银纳米线电极、薄电荷注入层、金属纳米粒子/电荷注入复合层、电荷传输层、发光层、电荷传输层本发明采用银纳米线与金属纳米粒子组成耦合结构，相比于在器件中单独引入金属纳米粒子，能得到更强的等离子体共振电场强度，从而增强附近发光激子的辐射强度，对有机发光器件性能提升更加明显；同时，银纳米线和金属纳米粒子之间的耦合强电场可以有效增强银纳米线电极的电荷注入效率
一种基于纳米电极有机发光器件结构

[发明专利]叠层有机电致发光器件及其制备方法-CN201110149757.3无效
发明人：周明杰;王平;黄辉;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠层有机电致发光器件，包括：阳极、阴极、位于所述阳极和所述阴极中间的两个有机电致发光层以及位于两个所述有机电致发光层中间的电荷产生层。这种叠层有机电致发光器件的电荷产生层为单层结构，材质为掺杂有少量电子注入材料和空穴传输材料的空穴传输材料，避免了由于多层结构的电荷产生层由于界面缺陷而导致器件启动电压较高的问题，降低了有机电致发光器件的启动电压同时，电荷产生层的材质为掺杂了电子注入材料和空穴注入材料的空穴传输材料，可以提高电子和空穴的再生、注入以及传输能力，从而提高了电子和空穴的复合几率，从而提高发光效率。本发明还提供一种上述叠层有机电致发光器件的制备方法。
有机电致发光器件及其制备方法

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