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[发明专利]用于可见光传感器的光电转换电路-CN201410032123.3有效
发明人：何惠森;来新泉;陈新;邵丽丽 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于可见光传感器芯片的光电转换电路，主要解决现有技术暗电流噪声影响可见光感测准度的问题。其包括光电二极管阵列(1)，暗电流光电二极管阵列(2)，滤噪电路(3)；外部控制逻辑控制光电二极管阵列和暗电流二极管阵列实际接入电路的二极管数目；滤噪电路的第一输入端连接光电二极管阵列的输出，其第二输入端连接暗电流二极管阵列的输出，光电二极管阵列产生的包含暗电流的光电流与暗电流光电二极管阵列产生的暗电流通过滤噪电路进行相减，得到不含暗电流的可见光电流，输出给外部电荷平衡式模数转换电路。本发明提高了光电转换的精度，抑制了暗电流噪声对可见光感测结果的影响，提高了可见光感测的准度。
用于可见光传感器光电转换电路

[发明专利]半导体装置-CN201480058690.4在审
发明人：早稻仓真树 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：一种半导体装置，具备：晶体管；二极管，其与所述晶体管逆并联连接；检测晶体管，其流通与在所述晶体管中流通的电流相对应的电流；检测二极管，其流通与在所述二极管中流通的电流相对应的电流；电阻，其具有与所述检测晶体管的发射极和所述检测二极管的阳极连接的一端以及与所述晶体管的发射极和所述二极管的阳极连接的另一端；电流镜，其与所述电阻并联连接，并输出与在与所述检测二极管的正向相同的方向上流通的电流相对应的电流。
半导体装置

[发明专利]自偏置温度补偿齐纳基准-CN202010008011.X有效
发明人： S·布鲁勒;高源;O·蒂科 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：根据至少一个实施例，所述设备包括与绝对温度成比例(PTAT)电流源；与绝对温度互补(CTAT)电流源；以及齐纳二极管，其中所述PTAT电流源耦合到所述齐纳二极管的第一齐纳二极管端，所述CTAT电流源耦合到所述齐纳二极管的所述第一齐纳二极管端，并且所述PTAT电流源提供PTAT电流且所述CTAT电流源提供CTAT电流，其中所述PTAT电流和所述CTAT电流组合以提供温度补偿偏置电流。
偏置温度补偿基准

[发明专利]一种IGCT的栅极驱动装置及方法和电器设备-CN202010224979.6在审
发明人：贺小林;宋政璋;伍玉行;杨帆;黄伟;林浩贤 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H03K17/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGCT的栅极驱动装置、电器设备及其IGCT的栅极驱动方法，该装置包括：检测单元，检测IGCT的门极电流，并在检测到的IGCT的门极电流达到IGCT的设定开通电流的情况下，生成IGCT的开通信号；控制单元，根据IGCT的开通信号，控制IGCT开通；检测单元，还在继续检测到的IGCT的门极电流小于IGCT的设定开通维持电流的情况下，生成IGCT的开通维持信号；控制单元，还根据IGCT的开通维持信号，调节IGCT的门极电流以维持IGCT继续开通。该方案，可以解决IGCT导通后若门极电流小于维持电流则会产生误关断的问题，达到避免IGCT导通后由于门极电流小于维持电流而误关断的效果。
一种 igct 栅极驱动装置方法电器设备

[实用新型]一种IGCT的栅极驱动装置和电器设备-CN202020407130.8有效
发明人：贺小林;宋政璋;伍玉行;杨帆;黄伟;林浩贤 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H03K17/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IGCT的栅极驱动装置和电器设备，该装置包括：检测单元，检测IGCT的门极电流，并在检测到的IGCT的门极电流达到IGCT的设定开通电流的情况下，生成IGCT的开通信号；控制单元，根据IGCT的开通信号，控制IGCT开通；检测单元，还在继续检测到的IGCT的门极电流小于IGCT的设定开通维持电流的情况下，生成IGCT的开通维持信号；控制单元，还根据IGCT的开通维持信号，调节IGCT的门极电流以维持IGCT继续开通。该方案，可以解决IGCT导通后若门极电流小于维持电流则会产生误关断的问题，达到避免IGCT导通后由于门极电流小于维持电流而误关断的效果。
一种 igct 栅极驱动装置电器设备

[发明专利]一种安全暖手器-CN201210101002.0无效
发明人：徐远水 -专利权人：佛山市顺德区美美创新电器有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： A61F7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种安全暖手器，包括袋体和发热装置，其特征是，还包括有电流控制器和安全开关，电流控制器上设置有两个大电流连接极和控制极，发热装置连接其中一个大电流连接极，另一个大电流连接极作为电源连接端，控制极与其中一个大电流连接极之间串联有安全开关
一种安全暖手器

[实用新型]安全暖手器-CN201220145205.5有效
发明人：徐远水 -专利权人：佛山市顺德区美美创新电器有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： A61F7/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种安全暖手器，包括袋体和发热装置，其特征是，还包括有电流控制器和安全开关，电流控制器上设置有两个大电流连接极和控制极，发热装置连接其中一个大电流连接极，另一个大电流连接极作为电源连接端，控制极与其中一个大电流连接极之间串联有安全开关；此款暖手器，具有元器件使用寿命长、成本低，以及使用安全的优点。
安全暖手器

[实用新型]一种SIC MOSFET结温获取电路-CN202221660387.X有效
发明人：金浪;孙玉;唐德平 -专利权人：科威尔技术股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SIC MOSFET结温获取电路，包括加热电流源、加热开关、结温测量单元、感应电流源以及感应电流旁路单元，所述加热开关为三极管，所述加热电流源的正极与三极管的集电极连接，所述结温测量单元包括被测件和MOS管Q1，所述被测件为MOS管，所述被测件的源极与加热电流源的负极以及MOS管Q1的源极连接，被测件的漏极与三极管的发射极以及感应电流源的负极连接，MOS管Q1的漏极与感应电流源的正极连接，结温测量单元、感应电流源以及感应电流旁路单元顺次连接；本实用新型的优点在于：不存在电流反灌到感应电流源的风险，电路更加安全可靠，测量电路能够正常运行。
一种 sic mosfet 获取电路

[发明专利]盘记录和再现装置-CN200510108583.0无效
发明人：李尚炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-10-10 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： G11B7/125 文献下载
摘要：一种记录和再现装置，利用产生不同波长的光束的激光器二极管，所述装置包括：拾取器，所述拾取器具有激光器二极管、用于检测激光器二极管的光输出功率的光电二极管以及电流变化单元，所述电流变化单元根据介质的类型改变光电二极管的输出电流；以及拾取器驱动单元，所述拾取器驱动单元基于介质的介质类型，根据记录介质选择信号来选择在光电二极管的输出端子与接地端子之间导通的电流值，并且提供驱动激光器二极管的驱动电流，其中基于所选电流值与预定电流值之间的差获得该驱动电流
记录再现装置

[发明专利]一种控制三极管正向放大系数的电路-CN201010217626.X有效
发明人：滕谋艳 -专利权人：日银IMP微电子有限公司
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制三极管正向放大系数的电路，利用一个运算放大器和一个第二MOS管，通过将运算放大器的一个输入端耦合到电流为三极管的发射极电流的主功率开关管的漏极端，将运算放大器的另一个输入端耦合到第一MOS管的漏极端，使运算放大器的两个输入端处的电压相等，这样流过第一MOS管的电流将与三极管的发射极电流成比例，电流镜镜像流过第一MOS管的电流并提供给三极管的基极，使得三极管的基极电流与发射极电流成比例，达到了控制三极管的正向放大系数的目的，且三极管的正向放大系数不受三极管制造工艺和环境温度的影响，从而使得初级线圈的峰值电流不受三极管的正向放大系数的不同产生影响。
一种控制三极管正向放大系数电路

[实用新型]一种控制三极管正向放大系数的电路-CN201020247536.0无效
发明人：滕谋艳 -专利权人：日银IMP微电子有限公司
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种控制三极管正向放大系数的电路，利用一个运算放大器和一个第二MOS管，通过将运算放大器的一个输入端耦合到电流为三极管的发射极电流的主功率开关管的漏极端，将运算放大器的另一个输入端耦合到第一MOS管的漏极端，使运算放大器的两个输入端处的电压相等，这样流过第一MOS管的电流将与三极管的发射极电流成比例，电流镜镜像流过第一MOS管的电流并提供给三极管的基极，使得三极管的基极电流与发射极电流成比例，达到了控制三极管的正向放大系数的目的，且三极管的正向放大系数不受三极管制造工艺和环境温度的影响，从而使得初级线圈的峰值电流不受三极管的正向放大系数的不同产生影响。
一种控制三极管正向放大系数电路

[实用新型]动力锂离子保护板大电流开关组电路-CN201120134090.5有效
发明人：韩竞科 -专利权人：韩竞科
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H02H7/18 文献下载
摘要：本实用新型揭示一种动力锂离子保护板大电流开关组电路，包括结构相同的第一电流开关组件和第二电流开关组件，所述电流开关组件包括：驱动集成电路，隔离驱动电源，驱动缓冲级，多组并联连接的功率MOS管构成电流开关，每个功率MOS管的源极和漏极之间并联由电阻和电容串联组成的吸收电路，所述电流开关组件的各功率MOS管的源极与源极、漏极和漏极互联构成电流端子，第一电流开关组件一个电流端子与第二电流开关组件的同名电极电流端子连接，构成串联的该动力锂离子保护板的大电流开关组。
动力锂离子保护电流开关电路

[实用新型]一种用于二极管浪涌电流测试电路及测试设备-CN202221396282.8有效
发明人：徐洋;汪剑华;王华 -专利权人：派恩杰半导体（杭州）有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管测试技术，公开了一种用于二极管浪涌电流测试电路及测试设备，其包括波形发生模块和测试二极管，其还包括至少一组电流控制模块，电流控制模块相互之间并联形成电流控制模块组；电流控制模块组对电流信号进行调节控制，并将调节后的电流信号传送至波形发生模块，波形发生模块将所需的脉冲电流加载至测试的二极管上；本实用新型利用运放和NMOS放大区呈线性特点搭建电流控制单元电路模块；可产生频率周期可调的正弦电流脉冲波形利用超级电容储能可以大大地减小装置尺寸；可以通过并联电流控制单元模块电路满足不同电流等级的测试需求；既可以测试SiC MOSFET体二极管也可测试SiC二极管。
一种用于二极管浪涌电流测试电路设备

[发明专利]一种CMOS随机数发生器-CN200910300849.X有效
发明人：孙迎彤;周盛华 -专利权人：国民技术股份有限公司
申请日： 2009-03-13 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：该随机数发生器包括：偏置电路，用于为双漏极CMOS管噪声电流源提供直流工作点；双漏极CMOS管噪声电流源，利用双漏极互补式金属氧化层半导体CMOS管产生噪声电流信号；控制电路，将双漏极CMOS管噪声电流源输出的噪声电流信号转换为随机序列输出，同时检测噪声电流信号，并根据检测结果控制双漏极CMOS管噪声电流源输出或中止输出噪声电流信号。本发明利用双漏极CMOS管噪声大的特点，大大降低了随机数发生器的功耗，适合射频识别标签芯片使用。
一种 cmos 随机数发生器

[发明专利]过电流检测电路和具有该电路的电源装置-CN200580015613.1无效
发明人：冲宏一;井手雄三 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2005-05-17 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H02H3/087 文献下载
摘要：一种过电流检测电路(14)，检测功率MOS晶体管(2)的过电流状态，并输出过电流检测信号，其中功率MOS晶体管(2)通过漏极向负载(6)输出电流。过电流检测电路具有：检测MOS晶体管(3)，其源极和栅极分别与功率MOS晶体管(2)的源极和栅极相连；恒定电流电路(4)，与检测MOS晶体管(3)的漏极相连，以使预定恒定电流流向检测MOS晶体管(3)；以及比较器(5)，用于根据功率MOS晶体管(2)的漏极电势与检测MOS晶体管(3)的漏极电势之间的比较结果，输出过电流信号。
电流检测电路具有电源装置