专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]可植入的电极引线-CN201210449417.7有效
  • T·德尔;I·魏斯 - 百多力欧洲股份两合公司
  • 2012-11-12 - 2013-06-19 - A61N1/05
  • 本发明涉及一种可植入的电极引线,所述电极引线包括电源引线。电源引线设计成在电极引线植入之后在能够变形的电源引线段中呈现出改变的形状,使得与变形之前相比,所述电源引线在变形之后在能够变形的电源引线段中产生更高的电感,其中,所述电感至少为0.1μH。可植入的电极引线还能够包括外套管,电源引线布置在所述外套管中。电源引线设计成在电极引线植入之后在能够变形的电源引线段中呈现出与其初始形状相比已经改变的形状。电源引线还设计并且布置在套管内部,使得所述电源引线在其能够变形的电源引线段中相对于外套管并且在外套管内部能够变形。
  • 植入电极引线
  • [发明专利]一种多电极触点微细碳基生物神经调控探针及其制备方法-CN202210668294.X在审
  • 赵冰蕾 - 上海交通大学
  • 2022-06-14 - 2022-12-20 - A61B5/293
  • 本发明提供一种多电极触点微细碳基生物神经调控探针及其制备方法,属于探针技术领域,包括:碳基导电薄膜层,设置于探针本体表面除电极头部的区域,经激光刻蚀后形成多个电极刺激触点和对应的电极引线,分别沿着探针本体的周向间隔分布,每一电极引线分别自对应的电极刺激触点延伸至探针本体的尾部,每一电极引线分别自引线焊接点通过电极外部引线连接至外部设备;绝缘层,设置于探针本体的中部区域,且绝缘层覆盖电极引线的表面以及填充电极引线之间的缝隙本发明探针质地比较柔性,对脑组织损伤较小;碳基导电薄膜作为电极刺激触点及脑内部引线,不易产生感应电流,避免损伤脑组织、探测及刺激装置;实现单根微细探针上的多电极刺激触点。
  • 一种电极触点微细生物神经调控探针及其制备方法
  • [发明专利]阵列基板、显示面板及显示装置-CN201510232549.8有效
  • 孙云刚;李谷骏 - 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
  • 2015-05-08 - 2018-12-11 - G06F3/044
  • 本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置,包括:触控层;多条触控电极引线,所述触控电极引线与所述触控层电性连接,且所述触控电极引线延伸至所述阵列基板的非显示区域;以及,设置于触摸面与所述触控电极引线之间的屏蔽层,其中,所述屏蔽层与所述触控电极引线位于所述非显示区域的部分有交叠区域,且所述屏蔽层与所述触控电极引线之间相互绝缘。本发明提供的技术方案,通过在触摸面与触控电极引线之间设置屏蔽层,以减弱人手或外界环境对触控电极引线位于非显示区域部分的干扰,保证触控电极引线正常传输信号,进而提高显示装置的触控效果和触控精准度;另外,屏蔽层的设置还可以保护其覆盖的触控电极引线避免被静电击伤而造成损坏
  • 阵列显示面板显示装置
  • [发明专利]倒装高压LED芯片及其制备方法-CN201510022007.8有效
  • 王冬雷;陈顺利;莫庆伟 - 大连德豪光电科技有限公司
  • 2015-01-15 - 2017-08-25 - H01L33/64
  • 倒装高压LED芯片及其制备方法,倒装高压LED芯片包括衬底及M个芯片,每个芯片包括N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层、反射层、第一绝缘层、P引线电极、N引线电极及PN引线连接电极,在P引线电极和/或N引线电极和/或PN引线连接电极上形成散热凹槽;第二绝缘层覆盖于P引线电极、PN引线连接电极和N引线电极的表面上及其之间的第一绝缘层表面上,并填充满散热凹槽,第二绝缘层上形成散热孔,散热孔在水平面上的投影位于散热凹槽内本发明在P焊盘、N焊盘与引线电极之间设置散热柱,使得LED倒装高压芯片散热速度更快,发热少。
  • 倒装高压led芯片及其制备方法
  • [实用新型]倒装高压LED芯片-CN201520028214.X有效
  • 王冬雷;陈顺利;莫庆伟 - 大连德豪光电科技有限公司
  • 2015-01-15 - 2015-08-26 - H01L33/64
  • 倒装高压LED芯片,包括衬底及M个芯片,每个芯片包括N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层、反射层、第一绝缘层、P引线电极、N引线电极及PN引线连接电极,在P引线电极和/或N引线电极和/或PN引线连接电极上形成散热凹槽;第二绝缘层覆盖于P引线电极、PN引线连接电极和N引线电极的表面上及其之间的第一绝缘层表面上,并填充满散热凹槽,第二绝缘层上形成散热孔,散热孔在水平面上的投影位于散热凹槽内;第二绝缘层沉积N焊盘及P焊盘本实用新型在P焊盘、N焊盘与引线电极之间设置散热柱,使得LED倒装高压芯片散热速度更快,发热少。
  • 倒装高压led芯片
  • [实用新型]一种LED倒装芯片-CN201320162171.5有效
  • 王冬雷;莫庆伟 - 大连德豪光电科技有限公司
  • 2013-04-03 - 2013-10-23 - H01L33/48
  • 本实用新型提供了一种LED倒装芯片,包括蓝宝石衬底、该蓝宝石衬底上自下而上依次设有N型层、发光层、P型层、反射层、第一绝缘层;该第一绝缘层上设有N引线电极与P引线电极,该N引线电极与该N型层导电连接,该P引线电极与该反射层导电连接;以及,与该N引线电极导电连接的N焊盘层,与该P引线电极导电连接的P焊盘层,所述N引线电极与该P引线电极上设有第二绝缘层,该第二绝缘层上设有通孔,所述N焊盘层与该P焊盘层透过该通孔分别与该N引线电极、该P引线电极相接触。
  • 一种led倒装芯片
  • [发明专利]氮化物半导体装置-CN201210247533.0无效
  • 町田修 - 三垦电气株式会社
  • 2012-07-17 - 2013-01-23 - H01L23/495
  • 本发明提供具有搭载在引线框架上的氮化物FET、开关特性优秀的氮化物半导体装置。该氮化物半导体装置的特征在于,具有:氮化物FET;以及包含多个引线引线框架,所述氮化物FET至少具有第1主电极、第2主电极和控制电极,所述引线框架具有:与所述第1主电极连接的第1引线;与所述第2主电极连接的第2引线及第3引线;以及与所述控制电极连接的第4引线,在所述氮化物FET中,根据施加在所述第3引线与所述第4引线之间的电压,在所述第1引线与所述第2引线之间流过电流。
  • 氮化物半导体装置

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