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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电子发射装置-CN201980015776.1在审
发明人：约瑟夫·多伊林格;约尔格·弗罗伊登贝格尔 -专利权人：西门子医疗有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01J1/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子发射装置，所述电子发射装置包括：至少一个电子发射器(2)，所述电子发射器具有至少一个发射面(3)；和至少一个障栅(5)，所述障栅与电子发射器(2)的发射面(3)间隔开并且具有可预设的数量的可单个操控的栅区段这种电子发射装置以简单的方式允许在阳极负荷尽可能低的情况下调整图像质量。
电子发射装置

[发明专利]电子发射装置-CN94109010.8无效
发明人：大西敏一;山野边正人;野村一郎;鲈英俊;坂野嘉和;小野武夫;三留正则 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1994-06-24 - 公布日： 2002-06-05 - 主分类号： H01J1/316 文献下载
摘要：一种电子发射器件包括一对相对设置的电极和一个设在电极之间的并包括一个高电阻区的导电膜。该高电阻区具有由碳作为其主要成分的淀积层。这种电子发射器件可以被用作平板型图象形成装置的电子源。
电子发射装置

[发明专利]电子发射装置-CN200810136132.1无效
发明人：韩三一;安商爀;李相祚;赵珍熙;全祥皓;洪秀奉 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：一种电子发射装置包括：i)基板；ii)基板上的阴极电极，其具有第一开口并且包括不透射紫外线的材料；iii)电子发射区域，其在第一开口中并且用于发射电子；以及iv)栅电极，与阴极电极电绝缘并且具有电子发射区域发射的电子从其穿过的第二开口穿过电子发射区域中心并且垂直于基板的平表面的第一假想线和穿过第二开口中心且垂直于基板的平表面的第二假想线之间的距离约为0.5μm或者更小。
电子发射装置

[发明专利]电子发射装置-CN200610142764.X无效
发明人：李相祚;李天圭;全祥皓;安商赫;洪秀奉;辛宗训 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-10-31 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01J29/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子发射装置。该电子发射装置包括：第一基底和第二基底，彼此面对；阴极电极，形成在第一基底上；电子发射区，形成在阴极电极上；绝缘层，形成在阴极电极上并被设置有与电子发射区对应的开口；栅电极，形成在绝缘层上并被设置有与电子发射区对应的开口
电子发射装置

[发明专利]电子发射装置-CN200610108357.7无效
发明人：酒井忠司;小野富男;佐久间尚志;吉田博昭;铃木真理子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-08-02 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01J1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电子发射装置，其可稳定地发射电子，并且尽管施加低电压，也能实现电子的高输出。该电子发射装置具有：构成放电单元的一面的室内阴极；与室内阴极相对配置的金刚石隔壁；通过被配置在室内阴极与金刚石隔壁的第1面之间而形成密封空间的绝缘体；被封入密封空间内惰性气体；被配置成隔着真空，与金刚石隔壁的第
电子发射装置

[发明专利]电子发射装置-CN200610055094.8无效
发明人：全祥皓;李炳坤 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-03-02 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01J29/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电子发射装置，其实施例包括：彼此面对的第一和第二基板，单元像素定义在所述第一和第二基板上；电子发射单元，其在所述第一基板上；磷光体层，其在所述第二基板的面对所述第一基板的表面上，每个磷光体层对应于至少一个单元像素
电子发射装置

[发明专利]电子发射装置-CN200610019856.9无效
发明人：全祥皓;李天珪;李相祚;安商爀;洪秀奉 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-03-01 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01J29/02 文献下载
摘要：本发明提供一种电子发射装置，其包括形成在第一基板上的电子发射区域、用于控制从该电子发射区域发射的电子的发射的驱动电极、以及用于聚焦电子并具有电子通过的开口的聚焦电极。
电子发射装置

[发明专利]电子发射装置-CN200610071529.8无效
发明人：李承炫;张喆铉 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-03-29 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01J29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子发射装置，其具有优化的内部结构，其中从电子发射区域发射的电子朝向荧光体层笔直地迁移。该电子发射装置包括彼此面对的第一和第二基板、以及形成在第一基板上的阴极电极。电子发射区域形成在阴极电极上。绝缘层和栅极电极形成在阴极电极上且具有暴露电子发射区域的开口。荧光体层形成在第二基板上。阳极电极形成在荧光体层的表面上。
电子发射装置

[发明专利]电子发射装置-CN200610073823.2无效
发明人：全祥皓;李天珪;李相祚;安商爀;洪秀奉 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01J29/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子发射装置包括第一衬底；面向第一衬底并与第一衬底分隔开的第二衬底；在第一衬底上的电子发射单元，电子发射单元具有至少两个电极和用于发射电子的发射区；和在第二衬底上将通过由电子形成的束激发的光发射单元电子发射单元包括用于聚焦所述束的聚焦电极。光发射单元包括在其上像素设置成图案的屏幕。每个像素具有荧光层。像素之一的荧光层通过所述束激发。所述聚焦电极包括开口，所述束通过所述开口。
电子发射装置

[发明专利]电子发射装置-CN200510071649.3无效
发明人：张喆铉 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H01J31/12 文献下载
摘要：提供一种电子发射装置，其包括第一和第二基板，二者相对设置并以预定距离相互隔开。电子发射单元设置第一基板上，图像显示单元设置在第二基板上。包括多个束引导孔的聚焦电极设置在第一和第二基板之间。
电子发射装置

[发明专利]电子发射装置-CN200510096593.7无效
发明人：黄成渊 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-08-25 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01J3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子发射装置。该电子发射装置包括：第一基板；和第一和第二电极，形成于第一基板上且通过插入在它们之间的第一绝缘层来彼此绝缘。电子发射区电耦合到第一电极。第二绝缘层具有暴露电子发射区的开口。第一和第二绝缘层每个具有1μm或更大的厚度，且第一绝缘层具有比第二绝缘层的软化温度高30℃或更大的软化温度。
电子发射装置

[发明专利]电子发射装置-CN200410082061.3无效
发明人：全祥皓;李炳坤 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-11-29 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01J29/02 文献下载
摘要：一种电子发射装置，包括彼此有预定间隙的相互面向设置的第一基板和第二基板。在第一基板上形成用于发射电子的电子发射区域，在第二基板上形成响应于从电子发射区域发射的电子来显示图像的照明部分。安装在第一和第二基板之间的栅网电极被配置用来聚焦从电子发射组件发射的电子。栅网电极被提供多个电子通道开口，至少一个电子通道开口的内壁的至少一部分形成相对于第一基板的斜面。凭借上述结构的电子发射装置，栅网电极防止和/或减少了电子的一个或多个行进路程的变化，从而防止和/或减少错误像素照亮，且总体色纯度得以提高。
电子发射装置

[发明专利]电子发射装置-CN200510064092.0无效
发明人：崔龙洙;李相祚;李炳坤;李天珪 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-02-28 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01J29/46 文献下载
摘要：一种电子发射装置，包括第一基板和第二基板，彼此相对且二者之间具有一间隔。阴极在第一基板上形成。绝缘层覆盖阴极且具有孔。栅极在绝缘层上形成，且在对应绝缘层孔的位置处具有孔，以便露出阴极。电子发射区在孔中在阴极上形成。阳极在第二基板上形成。电子发射区的外表面形成的形状类似于孔中没有电子发射区，预定的驱动电压施加到电极上时所形成的等电位线的形状。
电子发射装置

[发明专利]电子发射装置-CN200410082544.3无效
发明人：李相辰 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-09-20 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01J1/00 文献下载
摘要：一种电子发射装置，包括：形成在第一基板上并相互交叉的负电极和栅电极，在其间插入有绝缘层。在栅电极和绝缘层处形成开口部分，其露出所述负电极。在通过开口部分露出的负电极上形成电子发射源，每个电子发射源的面积小于所述开口部分的面积。在第二基板上形成正电极。在正电极上形成磷光层，每个磷光层均带有沿着第一方向延伸的长边和沿着第二方向延伸的短边。当从平面图中观看第一基板时，电子发射源满足下述条件：a＜b，其中“a”指的是在所述第一方向上电子发射源与栅电极之间的距离，而“b”指的是在所述第二方向上电子发射源与栅电极之间的距离。
电子发射装置

[发明专利]电子发射装置-CN200510054252.3无效
发明人：池应准;全祥皓;李炳坤 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01J29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子发射装置，尤其涉及一种包含格栅极的电子发射装置，该格栅极具有在电子发射装置的第一和第二基板的热膨胀系数的大约80％到大约120％的范围内的热膨胀系数。通过使由格栅极和电子发射装置的第一及第二基板之间的热膨胀系数的差异引起的未对准最小化，格栅极固定于适当位置。格栅极还能使弧光放电的产生最小化。根据本发明，通过在阳极上施加增大的电压，易于实现具有增高的亮度和分辨率的电子发射装置。
电子发射装置

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