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- [发明专利]提供高驱动电压的栅极驱动电路-CN202010310404.6有效
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周宜群;郭志远;陈东山
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联阳半导体股份有限公司
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2020-04-20
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2022-08-30
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G09G3/36
- 本发明提供一种用于提供高驱动电压的栅极驱动电路,包括第一N型高压晶体管与第二N型高压晶体管,串接于所述驱动电压输出节点与系统低电压源之间。系统高电压源与系统低电压源的电压差大于第一或第二N型高压晶体管的耐压值。当驱动电压输出节点要输出系统高电压时,第一N型高压晶体管与第二N型高压晶体管被截止,以及第一N型高压晶体管与第二N型高压晶体管的深N型井区被施加第一偏压,其中第一偏压与系统低电压源的电压差小于第二N型高压晶体管的深N型井区与P型井区之间的介面击穿电压。本发明的栅极驱动电路可以使用低于高驱动电压的工艺电压来制造,具有降低工艺负担以及生产成本的效果。
- 提供驱动电压栅极电路
- [发明专利]半控型器件驱动方法及装置、混合式器件-CN201710028032.6有效
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郭桥石
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广州市金矢电子有限公司
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2017-01-16
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2018-02-23
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H03K17/30
- 本发明半控型器件驱动方法及装置、混合式器件属于电学领域,特别是一种适用于对晶闸管等半控型器件具有无驱动盲区或驱动盲区极小的驱动方法,及一种适用在晶闸管等半控型器件的驱动回路中使用的无导通盲区或导通盲区极小的半控型驱动装置,及一种无导通盲区或导通盲区极小的混合式器件,一种半控型器件驱动方法,采用一电压检测开关,电压检测开关的输入端与所需驱动的半控型器件两端连接,电压检测开关串联在半控型器件的驱动回路中,电压检测开关在半控型器件的两端电位差不大于半控型器件通态电压时导通,电压检测开关在检测到半控型器件导通后截止;本发明具有无驱动盲区或驱动盲区极小的优点。
- 半控型器件驱动方法装置混合式
- [发明专利]栅极驱动电路和栅极驱动方法-CN201980025569.4在审
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铃木弘;栗原直树
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株式会社日立制作所
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2019-03-11
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2020-11-20
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H02M1/08
- 本发明的目的涉及在使用了SiC的电压驱动型的半导体元件的栅极驱动电路中抑制栅极‑源极间电压的变动。为此,本发明的栅极驱动电路是通过将P型MOSFET和N型MOSFET串联连接并将N型MOSFET与负侧电源直接连接而构成的,是位于P型MOSFET与N型MOSFET的中间的输出级在使用了SiC的电压驱动型的半导体元件处于关断状态时成为负偏压的结构根据本发明,因为用过渡阻抗小的MOSFET构成输出级,所以能够抑制使用了SiC的电压驱动型的半导体元件的驱动时的栅极‑源极间电压的变动,在使用了SiC的电压驱动型的半导体元件关断中使栅极成为负偏压,所以能够防止误导通从而能够提供适合SiC元件的驱动的高可靠性的栅极驱动电路。
- 栅极驱动电路方法
- [发明专利]有机EL显示面板及其驱动方法-CN201080003752.3有效
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井泽洋介;中村美香
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松下电器产业株式会社
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2010-11-10
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2012-07-25
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G09G3/32
- 本发明提供一种有机EL显示面板及其驱动方法。有机EL显示面板(1)包括:p型驱动晶体管(22),其栅极与电容器(24)连接,漏极与有机EL元件(25)连接;n型驱动晶体管(23),其栅极与电容器(24)连接,源极与有机EL元件(25)连接;第一电源线(14),其对p型驱动晶体管(22)施加第一电压;以及第二电源线(13),其对n型驱动晶体管施加高于第一电压的第二电压,p型驱动晶体管(22)具有与有机EL元件(25)的电流-电压特性中的预定电流值对应的第一栅极电压值为数据电压的最小电压的特性,n型驱动晶体管(23)具有与预定电流值对应的第二栅极电压值为比与有机EL元件(25)的最小电流值对应的第三电压值大的电压值的特性。
- 有机el显示面板及其驱动方法
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