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[发明专利]一种石墨烯/聚吡咯甲烯三阶非线性光学复合材料的制备方法-CN201711351634.1有效
发明人：李宝铭;百梦弟;施明伟 -专利权人：福州大学
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C08G12/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯/聚吡咯甲烯三阶非线性光学复合材料的制备方法，属于非线性光学材料的制备领域。该制备方法包括以下步骤：将二氯乙酰氯改性石墨烯和3‑酰基吡咯在酸性条件下混合后，再加入4‑烷氧基苯甲醛，反应得到石墨烯/聚吡咯甲烷复合材料；再对制备的石墨烯/聚吡咯甲烷复合材料进行醌化处理，制得所述石墨烯/聚吡咯甲烯三阶非线性光学复合材料。本发明制备的石墨烯/聚吡咯甲烯三阶非线性光学复合材料不仅能够均匀地分散在二氯甲烷、氯仿、甲苯等低沸点溶剂中，成膜性优良，而且具有较窄的光学带隙和较大的三阶非线性光学极化率，在光调制器、变频器和全光开关等领域具有广阔的应用前景
一种石墨吡咯甲烯三阶非线性光学复合材料制备方法

[发明专利]一种碳纳米管/聚吡咯甲烯三阶非线性光学复合材料的制备方法-CN201711353019.4有效
发明人：李宝铭;百梦弟;施明伟 -专利权人：福州大学
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C08G12/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管/聚吡咯甲烯三阶非线性光学复合材料的制备方法，属于非线性光学材料的制备领域。该制备方法包括以下步骤：将烷基胺修饰多壁碳纳米管和3‑酰基吡咯在酸性条件下混合后，再加入4‑烷氧基苯甲醛，反应得到碳纳米管/聚吡咯甲烷复合材料；再对制备的碳纳米管/聚吡咯甲烷复合材料进行醌化处理，制得所述碳纳米管/聚吡咯甲烯三阶非线性光学复合材料本发明制备的碳纳米管/聚吡咯甲烯三阶非线性光学复合材料不仅能够均匀地分散在二氯甲烷、氯仿、甲苯等低沸点溶剂中，成膜性优良，而且具有较窄的光学带隙和较大的三阶非线性光学极化率，在光调制器、变频器和全光开关等领域具有广阔的应用前景
一种纳米吡咯甲烯三阶非线性光学复合材料制备方法

[发明专利]苯环取代酞菁/氧化石墨烯复合非线性光学材料及其制备方法-CN201910576221.6有效
发明人：贺春英;李婉璐;刘冬梅;陈岚;祖艳丽 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C07D487/22 文献下载
摘要：苯环取代酞菁/氧化石墨烯复合非线性光学材料及其制备方法，本发明属于复合非线性光学材料领域，它为了解决现有非线性光学材料的三阶非线性光学性能较差的问题。本发明所述的非线性光学材料由四‑α‑(4‑羟甲基苯甲氧基)酞菁化合物和氧化石墨烯键合而成。制备方法：一、将3‑(4‑羟甲基苯甲氧基)邻苯二腈、正戊醇、Zn(CH3COO)2和DBU加入到反应容器中，在120～160℃下加热反应，得到四‑α‑(4‑羟甲基苯甲氧基)酞菁；二、制备GO；三、将GO、DCC的DMF溶液置于反应容器中，活化后加入四‑α‑(4‑羟甲基苯甲氧基)酞菁，在氮气保护下常温反应。本发明复合光学材料具有良好的三阶非线性光学性能。
苯环取代氧化石墨复合非线性光学材料及其制备方法

[发明专利]石墨烯的制备方法和石墨烯-CN201711379453.X在审
发明人：王良多;陈武峰;张晓平 -专利权人：昂星新型碳材料常州有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料技术领域，涉及石墨烯的制备方法和石墨烯。本发明提供的石墨烯的制备方法，通过三阶剥离方式制备获得石墨烯，所述三阶剥离依次为一阶石墨机械剥离和插层、二阶溶液膨胀剥离和三阶超声剥离。一阶石墨机械剥离和插层，将石墨和插层介质混合，通过机械方式，将石墨进行一定程度的剥离和插层，得到石墨烯前驱体；二阶溶液膨胀法剥离，将石墨烯前驱体加入至强酸溶液中，将石墨烯分离，并将带有缺陷的石墨烯层间进一步打开，得到活性石墨烯分散液；三阶超声剥离，将活性石墨烯分散液进一步超声剥离，得到片层厚度小、层数少的石墨烯分散液。本发明工艺简单，条件温和，成本低，制备的石墨烯片层薄、缺陷少、品质高。
石墨制备方法

[发明专利]一种磺酸基酞菁镍‑氧化石墨烯复合薄膜材料的制备方法-CN201510271089.X有效
发明人：贺春英;蒋恩晶;陈博文;王钊;赵呈;李宗乐 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：一种磺酸基酞菁镍‑氧化石墨烯复合薄膜材料及制备方法，本发明属于非线性光学领域，它为了解决现有非线性光学薄膜材料的三阶非线性光学性能较差的问题。该磺酸基酞菁镍‑氧化石墨烯复合薄膜材料由酞菁化合物和氧化石墨烯的水溶液以静电自组装的方法成膜。制备方法一、石英基片交替置于PDDA溶液和PSS溶液中，制备带有负电荷的基片；二、基片依次放入PDDA溶液、α‑SLPcNi水溶液、PDDA溶液和氧化石墨烯水溶液中；四、重复多次步骤二，得到复合薄膜材料本发明选用中心金属为镍的四‑α‑(4‑磺酸苯氧基)酞菁镍，复合薄膜材料的三阶非线性吸收系数β为4.16×10‑5m/W，具有良好的三阶非线性光学性能。
一种磺酸基酞菁镍氧化石墨复合薄膜材料制备方法

[实用新型]肩章星徽三级组合模装配机-CN201620994405.6有效
发明人：吴鹏;张洪森;陶梦廷 -专利权人：际华三五二二装具饰品有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： A44C27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肩章星徽三级组合模装配机，主要由底板、导柱压板、下垫板、导套压板、导套、导柱、二阶弹簧、限位螺丝、三阶弹簧、限位螺丝、顶板、气缸、连接柄、三阶垫板、三阶压板、三阶压芯、二阶垫板、二阶压板、一阶垫板、二阶压芯、一阶压块、侧板组成。二阶压芯穿过一阶压板和一阶垫板后和二阶压板连接，三阶压芯穿过一阶压板、一阶垫板、二阶压板、二阶垫板和三阶压板连接，二阶弹簧通过限位螺丝固装在一阶垫板和二阶垫板之间，三阶弹簧通过限位螺丝固装在二阶垫板和三阶垫板之间，气缸通过连接柄和三阶垫板固装。本实用新型模拟人工动作采用三级顺序动作嵌套组合模分别实现肩章、星徽定位压紧、掰丝和冲铆。
肩章三级组合装配

[发明专利]一种三阶魔方还原方法、装置及存储介质-CN202111001640.0在审
发明人：雷海东 -专利权人：江汉大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G06T7/90 文献下载
摘要：一种三阶魔方还原方法、装置及存储介质，所述方法包括步骤：对三阶魔方进行分块；获取所述三阶魔方当前状态；判断所述三阶魔方的预设位置是否满足预设条件；若是，对所述三阶魔方的预设位置所在面进行还原操作，并返回所述判断所述三阶魔方的预设位置是否满足预设条件步骤；若否，对所述三阶魔方的预设位置所在面的相邻面进行还原操作。本申请提供的一种三阶魔方还原方法、装置及存储介质，可以将三阶魔方进行自动化还原，极为方便，可供使用者学习和观察。
一种魔方还原方法装置存储介质

[发明专利]一种三阶磁力魔方-CN202110022332.X有效
发明人：雷海东 -专利权人：江汉大学
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： A63F9/08 文献下载
摘要：一种三阶磁力魔方，包括：三阶魔方本体、磁电转化模块、温度控制模块、充电模块和伸缩模块。本申请提供的一种三阶磁力魔方对传统的三阶魔方进行了结构和电路改进，增加了三阶魔方的娱乐性和趣味性，且还拓展了三阶魔方的使用功能，具有很好的市场前景。
一种磁力魔方

[发明专利]一种三阶练习魔方-CN202110022336.8有效
发明人：雷海东 -专利权人：江汉大学
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： A63F9/08 文献下载
摘要：一种三阶练习魔方，包括：三阶魔方本体、LED灯闪烁控制模块、温度控制模块、充电模块和伸缩模块。本申请提供的一种三阶练习魔方对传统的三阶魔方进行了结构和电路改进，增加了三阶魔方的娱乐性和趣味性，且还拓展了三阶魔方的使用功能，具有很好的市场前景。
一种练习魔方

[发明专利]一种雷达带外三阶互调虚警效应测试预测方法及系统-CN202310147236.7在审
发明人：魏光辉;卢新福;杜雪;万浩江;潘晓东 -专利权人：中国人民解放军陆军工程大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开一种雷达带外三阶互调虚警效应测试预测方法及系统，涉及复杂电磁环境适应性试验评估领域，方法包括获取受试雷达工作环境电磁辐射干扰频谱；根据所述干扰频谱和三阶互调虚警敏感频偏范围确定单频干扰信号；根据所述单频干扰信号和受试雷达单频虚警敏感频带范围确定双频和三频三阶互调虚警干扰频率组合；根据所述双频和三频三阶互调虚警干扰频率组合利用普适性三阶互调虚警效应模型确定三阶互调虚警干扰效应指数；根据所述三阶互调虚警干扰效应指数确定受试雷达的三阶互调虚警干扰预测结果，本发明能实现对受试雷达复杂电磁环境三阶互调虚警效应的准确评估
一种雷达带外三阶互调虚警效应测试预测方法系统

[发明专利]一种窄带隙聚吡咯甲烯光电功能聚合物材料及其制备方法-CN201010545653.X无效
发明人：李宝铭;涂兆;王攀;郑玉婴 -专利权人：福州大学
申请日： 2010-11-16 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C08G12/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种窄带隙聚吡咯甲烯光电功能聚合物材料的制备方法，属于共轭聚合物材料的合成技术。丁酰基吡咯与对十四烷氧基苯甲醛在酸性条件下反应制备聚[(3-丁酰基吡咯)-2,5-二(对十四烷氧基苯甲烷)]（PBPDTBA）；将PBPDTBA利用四氯苯醌进一步醌化得到聚[(3-丁酰基吡咯)-2,5-二(对十四烷氧基苯甲烯本发明制得的聚吡咯甲烯可以溶于氯仿、苯等低沸点溶剂中，溶解性和成膜性优良，光学带隙和电化学带隙分别为1.84eV和1.60eV，采用Z-扫描法测量其三阶非线性光学极化率达到1.22×10-8esu。
一种窄带吡咯光电功能聚合物材料及其制备方法

[实用新型]一种新型可调式三阶魔方-CN201620817859.6有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： A63F9/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种魔方，具体提供一种新型可调式三阶魔方。本实用新型的一种新型可调式三阶魔方，包括三阶边块以及所述三阶边块连接第一固定板，且三阶边块一侧设置三阶角块；所述三阶角块连接第二固定板，且三阶角块一侧设有盖板；所述盖板连接中心块，且中心块顶部连接支撑杆；所述支撑杆外部设置第一套筒，且第一套筒连接第二套筒；所述三阶边块连接支撑板，且支撑板两端设有弹簧螺孔；所述支撑板表面设有通孔，且通孔两侧设有定位柱；所述三阶边块连接定位弧板，且定位弧板表面设有定位座；
一种新型调式魔方

[实用新型]一种圆方中心三阶魔方-CN201620817884.4有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： A63F9/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种魔方，具体提供一种圆方中心三阶魔方。本实用新型的一种圆方中心三阶魔方，包括魔方主体以及所述魔方主体内部设有三阶边块，且三阶边块底部设有第一固定凹槽；所述第一固定凹槽一侧设置固定凸头，且固定凸头底部设有第一固定底座；所述三阶边块侧面连接三阶角块，且三阶角块底部设置第二固定底座；所述三阶角块内部设有第二固定凹槽，且三阶角块连接连接件；所述连接件顶部设有连接插头，且连接件表面设有连接孔；所述连接件底部设置连接凸头；所述三阶边块连接中心件，且中心件顶部设置中心盖
一种中心魔方

[发明专利]编码器输出信号校正设备和方法-CN200510129184.2有效
发明人：桐山哲郎;小矶隆一;吉中敏郎 -专利权人：三丰株式会社
申请日： 2005-10-13 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：安装三阶谐波失真校正器，用于校正包含在从编码器输出的具有相差的两相正弦信号中的三阶谐波失真。三阶谐波计算器/检测器基于从r－θ转换器中输出的李萨如波形半径的变化，使用傅立叶分析计算三阶谐波的振幅a₃和相位φ计算出的三阶谐波的振幅a₃和相位φ₃，校正两相正弦信号A4、B4的三阶谐波失真。
编码器输出信号校正设备方法

[发明专利]基于射频矩阵的三阶交调截取点的测试装置及测试方法-CN202210324679.4在审
发明人：陈世昌;奚盎 -专利权人：江苏肯立科技股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H04B17/309 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于射频矩阵的三阶交调截取点的测试装置及测试方法，涉及射频及微波多载波通讯系统技术领域。该测试装置包括：三阶交调截取点测试盒、工控机、射频矩阵、程控电源，所述程控电源分别与三阶交调截取点测试盒、工控机、射频矩阵连接，所述射频矩阵的信号输入端与三阶交调截取点测试盒的射频信号输出口连接，所述射频矩阵的信号输出端与三阶交调截取点测试盒的射频信号输入口连接，所述三阶交调截取点测试盒的网络接口与工控机的网络接口连接。本发明基于射频矩阵的三阶交调截取点的测试装置采用三阶交调截取点测试盒和工控机的协同作业，使得任意人员均能进行射频矩阵三阶交调截取点的测试。
基于射频矩阵三阶交调截取测试装置方法

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