专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种晶体生长-CN202220339062.5有效
  • 郑国宗;胡子钰;林秀钦;李静雯;李鹏飞 - 闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
  • 2022-02-18 - 2022-06-28 - C30B35/00
  • 本申请提供了一种晶体生长,属于晶体生长领域。晶体生长包括杂晶溶解罩、移动式连接管、加热器、槽体、连续过滤装置、搅拌电机、载晶架;连续过滤装置设于槽体外部;载晶架设于槽体内部;杂晶溶解罩位于载晶架与槽体的底部之间;杂晶溶解罩的罩体开口朝向槽体的底部;杂晶溶解罩设有溶液进口和溶液出口;移动式连接管的一端与溶液进口连通,另一端与连续过滤装置连通;移动式连接管靠近连续过滤装置的一端设有加热器;晶体生长溶液通过连续过滤系统进入杂晶溶解罩,移动式连接管可移动杂晶溶解罩,以达到定向溶解杂晶的目的,从而解决晶体生长过程中的杂晶问题,提高晶体生长成功率。
  • 一种晶体生长
  • [实用新型]室内植物种植设备-CN202222249283.6有效
  • 肖雄飞;钟荣珍 - 馨百禾农业科技(吉林)有限公司
  • 2022-08-25 - 2023-03-24 - A01G31/06
  • 本实用新型公开一种室内植物种植设备,包括栽培架、生长、升降装置及生长架;生长设置在栽培架上;升降装置包括升降架和升降座,升降架固定在栽培架上,并位于生长的上侧;升降座可移动设置在升降架上;生长架连接在升降座上本实用新型的技术方案通过在生长的上侧设置升降装置,将生长架固定在升降座上,当需要将生长架上的种子或植物根系浸泡在生长中时,通过移动升降座在升降架上的位置,以将生长架移动移动至生长槽内,或远离生长,进而使得种子能够置于生长中快速生长,而植物的根系可通过移动生长架的位置移动,进而将植物的根系带离生长,进而防止植物的根系浸泡在生长中的水或营养液,进而影响植物的生长
  • 室内植物种植设备
  • [实用新型]循环流动晶体生长装置-CN94240897.7无效
  • 鲁智宽;高樟寿;李义平 - 山东大学
  • 1994-07-04 - 1995-05-31 - C30B7/08
  • 循环流动晶体生长装置。本实用新型属于晶体生长技术领域。本实用新型的主要技术特征在原来由生长、溶解、过热组成的三循环流动晶体生长装置的基础上又增加了过热平衡构成四循环流动晶体生长装置,它解决了目前三循环装置存在的溶液过热不充分,杂质进入生长,影响晶体生长的问题。本实用新型由于采用四循环,在晶体生长过程中可更换部件,滤去溶液中不溶杂质,消除溶液中的微生物,而不影响晶体生长,用较小体积生长容器生长出大晶体。
  • 循环流动晶体生长装置
  • [发明专利]一种甲胺溴铅晶体的生长装置-CN202310250564.X在审
  • 郑国宗;胡子钰;张敏;李鹏飞;孙元龙 - 中国科学院福建物质结构研究所
  • 2023-03-15 - 2023-07-11 - C30B7/14
  • 本申请公开了一种甲胺溴铅晶体的生长装置,属于晶体生长技术领域。一种甲胺溴铅晶体的生长装置,包括生长装置、保温装置、循环过滤装置、控制装置;所述生长装置包括生长以及置于所述生长槽内部的载晶架;所述载晶架上端与电机相连;所述保温装置包括外、保温层以及设于所述外底部的升降台;所述循环过滤装置包括相邻设置的降温和过滤;所述生长装置设于所述保温装置中。该装置可以精确控制生长生长溶液温度波动范围,实时监控晶体生长状态反馈到计算机并及时调整、优化晶体生长参数,晶体生长溶液通过管道进行24h不间断的循环过滤,保证了生长溶液的洁净度,克服了生长杂晶问题,能生长出大尺寸高质量的晶体。
  • 一种甲胺溴铅晶体生长装置
  • [实用新型]一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚-CN202121031883.4有效
  • 田野;顾跃;丁雨憧;李和新;刘军 - 中国电子科技集团公司第二十六研究所
  • 2021-05-14 - 2021-12-24 - C30B11/00
  • 本实用新型公开了一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚,包括坩埚本体,在坩埚本体上设有晶体生长和籽晶,籽晶与晶体生长连通,坩埚本体呈长方体结构,晶体生长和籽晶与所述坩埚本体外壁的距离不小于10mm,晶体生长整体由光滑的弧面构成,籽晶为长方体;通过设计晶体生长坩埚坩埚壁的厚度,解决生长过程中坩埚容易出现漏点和裂纹导致晶体生长失败的风险,还能使坩埚可以进行反复利用;并且通过坩埚晶体生长的设计解决坩埚晶体生长的折角处曲率半径小,导致此处晶体界面曲折率较大,容易引起晶体缺陷,如气泡、开裂、云层等问题,使用本实用新型晶体生长坩埚制备出来的晶体更为优质。
  • 一种用于水平定向结晶晶体生长坩埚

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