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[发明专利]一种富马酸卢帕替芬混晶及其制备方法-CN201410289576.4有效
发明人：林童俊;辛军;李琳;吴晓华 -专利权人：福建省闽东力捷迅药业有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： C07D409/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种富马酸卢帕替芬混合晶型，由晶型A和晶型B组成，具有晶型A特有的X射线粉末衍射图的特征峰，以2θ±0.2°表示位于(a)13.6°、(b)21.2°、(c)29.1；具有晶型B特有的X射线粉末衍射图的特征峰，以2θ±0.2°表示位于(a)5.9°、(b)12.9°、(c)22.3°、（d）27.0°；所述的富马酸卢帕替芬混合晶型在DSC测试中于在154±2℃，在186±2℃处具有热吸收峰，其熔点为154±
一种富马酸卢帕替芬混晶及其制备方法

[发明专利]一种自动分析扫描式劳厄衍射图谱中衍射峰峰形的方法-CN201811245648.X有效
发明人：陈凯;寇嘉伟;朱文欣 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G01N23/2055 文献下载
摘要：本公开揭示了一种自动分析扫描式劳厄衍射图谱中衍射峰峰形的方法，包括：从来自同一次实验的所有扫描式劳厄衍射图谱中任选一张衍射图谱并使用二维中值滤波方法获得X射线荧光分布图谱并计算其上所有像素点的强度平均值；读取所述实验中的一张衍射图谱，计算所述衍射图谱上各像素点的强度平均值和所述衍射图谱去除荧光背景后的各像素点的强度值，获得去除荧光背景后的衍射图谱；寻找所述去除荧光背景后的衍射图谱上的衍射峰；分析寻找的衍射峰的峰形；判断所有需要分析的衍射图谱是否已经分析完成，若完成，则分析结束，否则重复执行步骤2‑4。本公开揭示了衍射图谱去除X射线荧光背景方法和寻峰操作方法，还揭示了新的衍射峰长轴计算方法。
一种自动分析扫描式劳厄衍射图谱峰峰方法

[发明专利]二次电池用正极活性物质-CN201780035619.8有效
发明人：花村直也;安田太树;畑未来夫 -专利权人：株式会社田中化学研究所
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01M4/52 文献下载
摘要：一种粒子状正极活性物质，是含有多个一次粒子聚集形成的正极活性物质粒子的粒子状正极活性物质，所述粒子状正极活性物质中累计体积百分率为99体积％的二次粒径(D99)的正极活性物质粒子的、通过X射线衍射分析求出的(101)面的衍射峰的半峰宽减去累计体积百分率为2.5体积％的二次粒径(D2.5)的正极活性物质粒子的、通过X射线衍射分析求出的(101)面的衍射峰的半峰宽所得的值相对于所述粒子状正极活性物质的、通过X射线衍射分析求出的(101)面的衍射峰的半峰宽的比率为0以上且0.025以下，所述粒子状正极活性物质中累计体积百分率为99体积％的二次粒径(D99)的正极活性物质粒子的、通过X射线衍射分析求出的(001)面的衍射峰的半峰宽减去累计体积百分率为2.5体积％的二次粒径(D2.5)的正极活性物质粒子的、通过X射线衍射分析求出的(001)面的衍射峰的半峰宽所得的值相对于所述粒子状正极活性物质的、通过X射线衍射分析求出的(001)面的衍射峰的半峰宽的比率为0以上且0.045以下。
二次电池正极活性物质

[发明专利]瑞德西韦的共晶及其制备方法-CN202111477049.2在审
发明人：詹宁辛;孙垚;叶辉青;张杰;廖守主;陈勇;黄芳芳 -专利权人：广东东阳光药业有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C07F9/6561 文献下载
摘要：所述晶型I的XRPD图含有如下2θ值的特征峰：5.0,7.6,13.1,14.3,15.7,17.2,17.9,19.0,20.5,22.6,23.3,27.5和28.6度的位置有衍射峰；晶型A的X‑射线粉末衍射图中在2θ为4.8,8.9,10.5,14.3,15.9,16.9,19.7,21.4,23.5,24.5,和26.3度的位置有衍射峰。
瑞德西韦及其制备方法

[发明专利]硫化物固体电解质材料、电池和硫化物固体电解质材料的制造方法-CN201180015566.6有效
发明人：菅野了次;平山雅章;加藤祐树;川本浩二;滨重规;大友崇督;信原邦启 -专利权人：国立大学法人东京工业大学;丰田自动车株式会社
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本发明通过提供一种硫化物固体电解质材料来解决上述课题，所述硫化物固体电解质材料的特征在于，含有M1元素（例如Li元素）、M2元素（例如Ge元素和P元素）和S元素，在使用了CuKα线的X射线衍射测定中在2θ＝29.58°±0.50°的位置具有峰，将上述2θ＝29.58°±0.50°的峰的衍射强度设为IA、将2θ＝27.33°±0.50°的峰的衍射强度设为IB时，IB/IA的值小于0.50。
硫化物固体电解质材料电池制造方法

[发明专利]阿立派唑的新晶型及其制备方法-CN200410079381.3有效
发明人：诸葛明;邢乃果;张道林 -专利权人：重庆医药工业研究院有限责任公司
申请日： 2004-10-14 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： C07D215/22 文献下载
摘要：α晶型的特征在于：其粉末X－衍射图谱(CuK_α源，α＝1.54056)2θ在以下值左右有特征峰：10.9°，12.5°，16.5°，17.3°，18.0°，18.6°，19.6°，20.3°，22.0°，22.5°,24.3°,24.8°,26.4°，27.7°，29.9°和31.5°；差示热量扫描显示约在374.66K和414.28K处有吸热峰(升温速率：10℃/min)；热重图显示其β晶型的特征在于：其粉末X－衍射图谱(CuK_α源，α＝1.54056)2θ在以下值左右有特征峰：7.7°，10.87°，14.2°，16.3°，19.2°，20.1°，21.9°，23.7°，26.4°和28.2°；差示热量扫描显示约在416.35K和422.45K处有吸热峰(升温速率：10℃/min)。
阿立派唑新晶型及其制备方法

[发明专利]达比加群酯甲磺酸盐的晶型及其制备方法和用途-CN201410077142.8在审
发明人：张亮;刘川;许金溢;张昭昭;陈智;柴健;杨志清;罗海荣;张相洋 -专利权人：浙江海正药业股份有限公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： C07D401/12 文献下载
摘要：本发明涉及达比加群酯甲磺酸盐新的晶型M和N以及它们的制备方法和用途，其中所述晶型M的X-射线粉末衍射图在以下衍射角2θ处具有特征峰：5.7±0.2°、6.2±0.2°、11.2±0.2°、12.4±0.2°、16.3±0.2°、18.2±0.2°、21.4±0.2°、21.8±0.2°、22.8±0.2°、23.6±0.2°、25.0±0.2°、27.3±0.2°；所述晶型N的X-射线粉末衍射图在以下衍射角2θ处有特征峰：6.0±0.2°、11.8±0.2°、18.2±0.2°、21.6±0.2°、24.4±0.2°、27.7±0.2°、29.7±0.2°；本发明的晶型在溶出时间、生物学释放、化学稳定性和加工适应性方面具有优异的性质
加群酯甲磺酸盐及其制备方法用途

[发明专利]化合物的晶型、原药、母药或制剂及其用途-CN202310265502.6在审
发明人：向文胜;姜勇;王斌;罗丽莲;曾勇 -专利权人：远大产业控股股份有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C07H19/16 文献下载
摘要：2R,3R,4S)‑2‑(6‑氨基‑9H‑嘌呤‑9‑基)‑2‑(羟甲基)‑5‑亚甲基四氢呋喃‑3,4‑二醇的晶型，其选自晶型D、晶型E；其中，晶型D使用Cu‑Kα辐射，以2θ值±0.2°表示的X射线粉末衍射图谱的特征衍射峰包括5.16、7.26、14.53、17.52；晶型E使用Cu‑Kα辐射，以2θ值±0.2°表示的X射线粉末衍射图谱的特征衍射峰包括5.06、7.18、13.59、14.45。
化合物制剂及其用途

[发明专利]一种二糖的晶体-CN202310457681.3在审
发明人：方诩;殷文成;韩冰冰;黄爱玲 -专利权人：山东恒鲁生物科技有限公司
申请日： 2023-04-22 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C07H3/04 文献下载
摘要：本发明的技术方案是：一种LNB晶型A，其粉末X射线衍射图谱在衍射角(2θ±0.2°)为6.28、9.59、10.30和19.33处具有特征峰。本发明还提供了LNB晶型B，其粉末X射线衍射图谱在衍射角(2θ±0.2°)为6.25、9.58、19.31处具有特征峰。本发明所述LNB晶型性质稳定，解决了无定型粉末在存放过程中的稳定性问题。
一种晶体

[发明专利]一种左旋米那普仑盐酸盐的新晶型及其制备方法-CN202010053420.1有效
发明人：田芳;高明;宋小叶;陈明 -专利权人：深圳市泰力生物医药有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C07C231/24 文献下载
摘要：本发明提供一种左旋米那普仑盐酸盐的新晶型，包括物质的量比小于20％的任何其他物理形式的左旋米那普仑盐酸盐；使用Cu‑Kα辐射，所述新晶型的粉末X射线衍射图谱中，在衍射角2θ为5.9±0.2°,14.4±0.2°，15.6±0.2°，19.6±0.2°处具有特征峰；所述新晶型的粉末X射线衍射图谱中，在衍射角2θ为5.9±0.2°，11.8±0.2°，14.4±0.2°，15.6±0.2°，17.7±0.2°，18.6±0.2°，19.6±0.2°，21.6±0.2°，22.9±0.2°，24.6±0.2°处具有特征峰。
一种左旋米盐酸新晶型及其制备方法

[发明专利]基于神经网络的中子衍射峰位预测方法、设备和介质-CN202111139848.9在审
发明人：杨柳;张俊宇;陈庭轩;胡志刚;钟掘 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G01T3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于神经网络的中子衍射峰位预测方法、设备和介质，方法：调整探测仪与入射中子束间的夹角，用中子束对被测材料衍射，探测仪采集被测材料衍射产生的中子；将探测仪信道位置转换成衍射角度，根据探测仪采集的中子数统计各信道衍射强度和强度误差；搭建中子衍射峰位预测模型的神经网络架构，以各信道衍射角度和强度为输入输出，将强度误差作为权重引入到损失函数，训练神经网络，即可由得到的中子衍射峰位预测模型得到角度与衍射强度间的函数关系；衍射强度最大值对应的角度，即为被测材料的中子衍射峰位。本发明能实时精确拟合中子衍射数据，精准获取中子衍射峰位，实现对被测材料残余应力的精确测定，反映材料深部真实应力场。
基于神经网络中子衍射预测方法设备介质

[发明专利]一种计算煤样微晶结构参数的方法-CN202310352172.4在审
发明人：蔺华林;钱文超;穆晓银;严春阳;任飞鹤;潘艳婕;韩生 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01N23/2055 文献下载
摘要：本发明涉及一种计算煤样微晶结构参数的方法，包括以下步骤：(1)取待测煤样采用XRD进行测试，获取其XRD图谱；(2)结合所测得的XRD图谱获得待测煤样的X射线的波长λ、γ带峰位对应的衍射角θγ、002峰峰位对应的衍射角θ002、微晶形状因子K1、002带的半峰宽值β002、100带的半峰宽值β100、100峰峰位对应的衍射角θ100、002带的面积A<与现有技术相比，本发明通过将煤及其热解产物的XRD谱图上会出现与石墨结构相对应的特征衍射峰，经过分峰拟合后将数据带入公式计算，可以得到微晶的结构参数。
一种计算煤样微晶结构参数方法

[发明专利]锂复合金属氧化物及非水电解质二次电池-CN200780041841.5无效
发明人：今成裕一郎;川上义博;本多祥晃;犬饲洋志 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2007-09-06 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明提供锂复合金属氧化物，其含有Li和至少1种过渡金属元素，其特征在于，构成该锂复合金属氧化物的至少一个锂复合金属氧化物粒子同时具有六方晶型的晶体结构和单斜晶型的晶体结构。此外，提供锂复合金属氧化物，其含有Li、Ni和M(其中，M表示选自Mn、Co和Fe中的1种以上过渡金属元素)，其特征在于，在通过以CuKα为辐射源且衍射角2θ的测定范围为10°～90°的粉末X射线衍射测定得到的锂复合金属氧化物的粉末X射线衍射图形中，在2θ为20°～23°的范围具有衍射峰(衍射峰A)。
复合金属氧化物水电二次电池

[发明专利]新的天冬甜素衍生物晶体及其制造方法-CN99805896.3无效
发明人：岸下明弘;长嶋一孝;石田宽敏;永井武 -专利权人：味之素株式会社
申请日： 1999-04-26 - 公布日： 2001-06-13 - 主分类号： C07K5/075 文献下载
摘要：把例如至少在60°、24.8°、8.2°和16.5°的衍射角(2θ,CuKα线)处显示衍射X射线特征峰的N－[N－(3,3－二甲基丁基)－L－α－天冬氨酞基]－L－苯基丙氨酸甲酯(A型晶体)干燥至其水分含量降低到经过如此干燥处理的晶体是一种溶解速度快的N－[N－(3,3－二甲基丁基)－L－α－天冬氨酰基]－L－苯基丙氨酸甲酯的新型晶体(C型晶体),当对其进行粉末X射线衍射分析时,它至少在7.1°、19.8°、17.3°和17.7°的衍射角(2θ,CuKα线)处显示衍射X射线特征峰。
天冬衍生物晶体及其制造方法

[发明专利]单晶碳化硅液相外延生长用种晶件和单晶碳化硅的液相外延生长方法-CN201180062376.X有效
发明人：鸟见聪;野上晓;松本强资 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有与（111）晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10%以上的衍射强度的其他的一级衍射峰
碳化硅外延生长用种晶件方法