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[发明专利]记忆元件和与非门快闪记忆体的选取记忆热载子注射方法-CN201010244892.1有效
发明人：黄竣祥;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明是有关于一种记忆元件和与非门快闪记忆体的选取记忆热载子注射方法。本发明所描述的记忆元件，包含多个记忆胞串联安排于一半导体主体中，例如与非门串列中，具有多条字元线。一所选取记忆胞借由热载子注射进行程序化，这些热载子是使用提升通道电位以建立加热电场跨过此选取记忆胞的通道而产生。提升通道热载子注射可以借由阻挡与非门串列中所选取记忆胞的第一侧至第二侧的电流而达成，以借由电容性耦合将一第一半导体主体区域自我压升至一自我压升电压，且偏压第二半导体主体区域至一参考电压阶级，施加大于通道热载子注射能障阶级的一程序化电位置选取记忆胞以致能载子自第二半导体主体区域留置索取记忆胞以导致热载子注射的产生
记忆元件与非门记忆体选取热载子注射方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法-CN200410054469.X有效
发明人：郭政彰 -专利权人：广辉电子股份有限公司
申请日： 2004-07-22 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：且图案化硅层包括多晶硅通道区以及非晶硅热载子抑制区。欧姆接触层配置在部分的闸介电层与非晶硅热载子抑制区上方的部分图案化绝缘层上，并连接非晶硅热载子抑制区，源极/漏极层则配置在闸介电层以及欧姆接触层上。非晶硅热载子抑制区位于欧姆接触层与多晶硅通道层之间，用以抑制热载子效应，减少漏电流，进而改善晶体管的效能。
低温多晶薄膜晶体管及其制造方法

[实用新型]低温多晶硅薄膜晶体管-CN200420065978.8无效
发明人：郭政彰 -专利权人：广辉电子股份有限公司
申请日： 2004-07-22 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：且图案化硅层包括多晶硅通道区以及非晶硅热载子抑制区。欧姆接触层配置在部分的闸介电层与非晶硅热载子抑制区上方的部分图案化绝缘层上，并连接非晶硅热载子抑制区，源极/漏极层则配置在闸介电层以及欧姆接触层上。非晶硅热载子抑制区位于欧姆接触层与多晶硅通道层之间，用以抑制热载子效应，减少漏电流，进而改善晶体管的效能。
低温多晶薄膜晶体管

[发明专利]记忆体及诱发热载子注入与非门串列的选取记忆胞的方法-CN201110399181.6有效
发明人：黄竣祥 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-11-24 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明是有关于一种记忆体及诱发热载子注入与非门串列的选取记忆胞的方法。该记忆体，包含多个记忆胞串联安排于一半导体主体中，例如与非门串列中，具有多条字元线。一所选取记忆胞藉由热载子注入进行编程。此编程操作是基于控制介于此与非门串列中所选取记忆胞的第一侧的一第一半导体主体区域与该与非门串列的该选取记忆胞的第二侧的一第二半导体主体区域的载子流动。施加高于热载子注入能障的编程电位至所选取记忆胞，且之后通过所选取记忆胞的漏极至源极电压及所选取记忆胞中的载子流动到达足以支持热载子注入的阶级，其是由与该选取记忆胞邻接的切换记忆胞及施加至此与非门串列源极端电压的调控的组合来控制
记忆体诱发热载子注入与非门串列选取记忆方法

[发明专利]一种提升热延迟荧光OLED器件效率的方法-CN201910734390.8在审
发明人：胡俊涛;王鹏;李杰;肖学;许凯;王向华 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升热延迟荧光OLED器件效率的方法，所述热延迟荧光OLED器件包括载子调制层，发光层，发光层由主体发光材料、客体掺杂材料构成，其特征在于：加入一层载子调制层CBP，向发光层中加入辅助掺杂材料为本发明增加了一层载子调制层CBP且将TPBi作为辅助掺杂材料加入到热延迟荧光OLED器件的发光层中，提升发光层的激子利用率，改善了器件的效率，并且是以CBP为主体发光材料，4CzIPN作为热延迟荧光客体掺杂材料，制备出的热延迟荧光OLED器件的效率得到了很大改善。
发光层掺杂材料延迟荧光调制层主体发光材料激子利用率荧光客体制备客体

[发明专利]记忆体及与非门快闪记忆体的低电压程序化方法-CN201010555344.0有效
发明人：蔡秉宏;黄竣祥;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一所选取记忆胞藉由热载子注入进行程序化。此程序化操作是基于控制介于此与非门串列中所选取记忆胞的第一侧的一第一半导体主体区域与该与非门串列的该选取记忆胞的第二侧的一第二半导体主体区域的载子流动。施加高于热载子注入能障的程序化电位至所选取记忆胞，且之后通过所选取记忆胞的漏极至源极电压及所选取记忆胞中的载子流动到达足以支持热载子注入的阶级，其是由与该选取记忆胞邻接的切换记忆胞控制。
记忆体与非门电压程序化方法

[发明专利]一种基于半导体制冷的制冰装置及真冰滑冰场-CN202010557097.1在审
发明人：肖昱琨;蒋俊;胡皓阳;陈燕青;孙鹏;刘泽华;尹亦农 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： F25C1/00 文献下载
摘要：所述制冰装置包括：载冰单元和设置在载冰单元底部的至少一个制冷单元，载冰单元用于容置制冰用水；制冷单元包括半导体制冷片和水冷子单元；半导体制冷片包括相对设置的冷面和热面，冷面与载冰单元的底面紧贴，热面与水冷子单元紧贴；水冷子单元用于带走热面上的热量；制冰装置还包括电源控制单元，电源控制单元用于向半导体制冷片供电，以控制半导体制冷片制冷。
一种基于半导体制冷装置滑冰场

[发明专利]面板自动处理装置和面板自动处理方法-CN202010082278.3在审
发明人：森·阿姆兰 -专利权人： PYXISCF私人有限公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开涉及一种面板自动处理装置和面板自动处理方法，该装置包括：释放工作站，能够容纳附接到第一载板的塑封面板组成的中间面板组件，其中，所述第一载板处于所述中间面板组件的顶侧，所述释放工作站包括：释放单元，包括可移动的以纳入所述第一载板的载板纳入装置，所述载板纳入装置包括加热子装置以与所述第一载板热接触，所述载板纳入装置还包括将所述第一载板附接至所述载板纳入装置的附接子装置，其中，所述载板纳入装置被配置为可将所述中间面板组件加热至热分离粘合剂的分离温度，并使所述第一载板与所述塑封面板分离。
面板自动处理装置方法

[实用新型]面板自动处理装置-CN202020155052.7有效
发明人：森·阿姆兰 -专利权人： PYXISCF私人有限公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开涉及一种面板自动处理装置，该装置包括：释放工作站，能够容纳附接到第一载板的塑封面板组成的中间面板组件，其中，所述第一载板处于所述中间面板组件的顶侧，所述释放工作站包括：释放单元，包括可移动的以纳入所述第一载板的载板纳入装置，所述载板纳入装置包括加热子装置以与所述第一载板热接触，所述载板纳入装置还包括将所述第一载板附接至所述载板纳入装置的附接子装置，其中，所述载板纳入装置被配置为可将所述中间面板组件加热至热分离粘合剂的分离温度，并使所述第一载板与所述塑封面板分离。
面板自动处理装置

[实用新型]一种红外线温度侦测元件-CN202021568372.1有效
发明人：黄键全 -专利权人：黄键全
申请日： 2020-08-01 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本实用新型提出一种红外线温度侦测元件，包括一半导体，该半导体的表面至少设置一个倒立金字塔结构；一金属电极，设置在所述倒立金字塔结构的表面，一平坦的欧姆接触电极，设置在所述半导体的背面，所述金属电极中的载子，受入射光子激发后形成电子电洞对或热载子，电子电洞对或热载子越过所述金属电极与所述半导体介面的萧特基能障形成光电流信号，依据所述光电流信号计算被测物的温度值。
一种红外线温度侦测元件

[发明专利]倾斜圆轨道高功率星载平板SAR天线的热控装置及系统-CN202310523560.4在审
发明人：刘立帅;付兴科;徐敏;孙承志;徐有栓;崔华;邱扬;戴媛媛 -专利权人：株洲太空星际卫星科技有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01Q1/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种倾斜圆轨道高功率星载平板SAR天线的热控装置及系统，涉及航天器热控制技术领域，包括：卫星本体、星载平板SAR天线和可展开式辐射器；星载平板SAR天线包括若干个天线子阵面板，有源安装板用于将天线子阵面板安装至卫星本体的舱板；可展开式辐射器包括辐射器板组件、流体回路管路和柔性关节；辐射器板组件安装在天线子阵面板上，辐射器板组件包括+Y侧辐射器板和‑Y侧辐射器板；柔性关节用于将各流体回路管路之间进行连接。本发明可以显著提升散热能力，从而满足星载平板SAR天线的散热需求。
倾斜轨道功率平板 sar 天线装置系统

[实用新型]一种超声波热熔机-CN202020390144.3有效
发明人：王洪涛 -专利权人：苏州易昌泰塑胶有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： B29C65/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超声波热熔机，它包括：支撑组件，所述支撑组件包括支撑底板；载料组件，所述载料组件包括可移动地安装在所述支撑底板上表面的滑板以及固定在所述滑板上表面的热熔柱放置座；热熔组件，所述热熔组件包括支撑在所述支撑底板上表面且位于所述载料组件一侧的支撑件、可升降地安装在所述支撑件上的安装架、固定在所述安装架内的超声波发生器、安装在所述超声波发生器底部的振动子以及安装在所述振动子底部且与所述热熔柱放置座相配合的超声波焊头。即可利用超声波将热熔柱焊接在碳纤维板的表面。
一种超声波热熔机

[发明专利]具有发射光学子组件和接收光学子组件的模块-CN201880028589.2在审
发明人： G.C.拜尔德;C-T.仇;K.穆思 -专利权人：洛克利光子有限公司
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：光电子模块包括：壳体；基本上为平面的子载座；光子集成电路；以及模拟电子集成电路。所述子载座具有大于10W/m/K的热导率。所述光子集成电路和所述模拟电子集成电路固定到所述子载座的第一侧，并且所述子载座固定到所述壳体的第一壁。所述子载座的与所述子载座的所述第一侧相对的第二侧平行于所述壳体的所述第一壁的内侧、固定到所述内侧并且与所述内侧热接触。
载座光学子组件接触垫壳体光子集成电路模拟电子第一壁集成电路光电子模块收发器组件测试设备供应电力接收数据单独地电连接平面的热导率热接触探针平行测试

[发明专利]一种红外线温度侦测元件及测温的方法-CN202010764007.6在审
发明人：黄键全 -专利权人：黄键全
申请日： 2020-08-01 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：一金属电极，设置在所述倒立金字塔结构的表面，一平坦的欧姆接触电极，设置在所述半导体的背面，本发明还提供了一种红外温度侦测元件测温的方法，包括如下步骤，金属电极与倒立金字塔结构的表面形成萧特基接触，金属电极中的载子受入射光子激发后形成电子电洞对或热载子，而平坦的欧姆接触电极与半导体的背面形成欧姆接触，由所述金属电极中的载子激发后形成电子电洞对或热载子而越过金属电极与半导体介面的萧特基能障，形成光电流，且依据所述光电流信号计算被测物的温度值。
一种红外线温度侦测元件测温方法

[实用新型]一种用于电子模块的散热结构-CN202120544708.9有效
发明人：肖君辉;杭冬生;潜俊亨;贾博文;吴海斌;张峻涛 -专利权人：嘉兴军创电子科技有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于电子模块的散热结构，所述散热结构用于安装载卡、子卡，且所述散热结构包括有盖板、冷板、底板，所述冷板的顶面上安装有子卡，子卡的顶面安装有盖板，所述冷板的底面安装有载卡，载卡的底面安装有底板，所述盖板与子卡的安装点一致，且盖板与子卡通过紧固件安装在冷板上；所述底板和载卡的安装点一致，且底板和载卡通过紧固件安装在冷板上。所述散热结构将安装在印制板的大功率发热器件热量传导至散热结构，散热结构再将热量传递出去，解决了大功率器件的散热问题，大大地提高了热设计的可靠性；同时用载卡与子卡叠放的方式大大减小了印制板的空间尺寸，缩小了模块单机的外形
一种用于电子模块散热结构

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