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[发明专利]图像传感器像素电路及其工作方法-CN201811286237.5有效
发明人：黄金德;王林 -专利权人：锐芯微电子股份有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：一种图像传感器像素电路及其工作方法，电路包括：主光电二极管；附光电二极管；第一传输晶体管，第一传输晶体管的源级和漏极分别对应连接第一正向连接端连接和第一浮空扩散点；第二传输晶体管，第二传输晶体管的源级连接附光电二极管，第二传输晶体管的漏极连接第一浮空扩散点或第二浮空扩散点；附加晶体管，附加晶体管的源极和漏极分别对应连接第一浮空扩散点和第二浮空扩散点；第一复位晶体管，第一复位晶体管的漏极和源级分别对应连接第一电源线和第二浮空扩散点；第二复位晶体管，第二复位晶体管的源级和漏极分别对应连接第一正向连接端和第二电源线；连接第二浮空扩散点的电容；列读出线。
图像传感器像素电路及其工作方法

[发明专利]绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN200810232528.6有效
发明人：毛维;郝跃;杨翠;过润秋;杨林安 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘栅极、钝化层、源场板、漏场板和保护层，所述的源场板与源极电气连接，所述的漏场板与漏极电气连接，其中：源极上部和漏极上部，以及源极和漏极之间的势垒层上部淀积有绝缘介质层；源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板。每个浮空场板大小相同、相互独立，处于浮空状态，且按照等间距的方式均匀分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。
绝缘栅型源复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管-CN200810232524.8有效
发明人：郝跃;毛维;过润秋;杨翠 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、源场板(8)、漏场板(10)和保护层(11)，该源场板(8)与源极(4)电气连接，该漏场板(10)与漏极(5)电气连接，其中，源场板(8)与漏场板(10)之间的钝化层(7)上淀积有n个浮空场板(9)。每个浮空场板大小相同，处于浮空状态，且按照等间距的方式分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上一次工艺完成。
基于源场板漏场板复合场板异质结场效应晶体管

[发明专利]槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法-CN200810232526.7有效
发明人：郝跃;毛维;过润秋;杨翠 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明公开了一种槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、源场板(9)、漏场板(11)和保护层(12)，该漏场板与漏极电气连接，该源场板与源极电气连接，其中，势垒层(3)上开有凹槽(6)；源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(10)。每个浮空场板大小相同，处于浮空状态，且按照等间距的方式分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。
槽栅型源复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]图像传感器像素电路及其工作方法-CN201811286257.2有效
发明人：张琦 -专利权人：锐芯微电子股份有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：一种图像传感器像素电路及其工作方法，图像传感器像素电路包括：主光电二极管；附光电二极管；传输晶体管，传输晶体管的源级与主光电二极管连接，传输晶体管的漏极连接第一浮空扩散点；第一附加晶体管；第二附加晶体管；第一电容，第一电容具有第一端，第一端与第二源漏极连接且与第三源漏极连接；第二电容，第二电容具有第二端，第二端与第四源漏极连接且适于与附光电二极管电学连接；复位晶体管，复位晶体管的漏极与电源线连接，所述复位晶体管的源极连接第一浮空扩散点或第二源漏极；列读出线，列读出线适于读出第一浮空扩散点的电位信息。
图像传感器像素电路及其工作方法

[发明专利]一种适用于源漏端浮空擦除方式的Flash存储单元的仿真模型-CN202311036704.X在审
发明人：徐亮 -专利权人：聚辰半导体股份有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于源漏端浮空擦除方式的Flash存储单元的仿真模型，具有第一漏端、第一栅端、第一源端和第一衬底，包括：直流电压源VSERS；开关S1、S2、S3、S4；内部Flash存储单元模型，具有第二漏端、第二栅端、第二源端和第二衬底，其中，第一栅端与第二栅端连接，第一漏端通过开关S1与第二漏端连接，第一源端通过开关S2与第二源端连接，第一衬底与第二衬底连接，第一衬底还通过开关S3与第二漏端连接，第二源端还通过开关S4与直流电压源VSERS连接。本发明可直接应用于各类主流的Fast Spice仿真器中，用于仿真源漏端浮空擦除方式的Flash存储单元的编程/擦除操作。
一种适用于源漏端浮空擦除方式 flash 存储单元仿真模型

[发明专利]图像传感器像素电路及其工作方法-CN201811286241.1有效
发明人：罗文哲;王林;黄金德 -专利权人：锐芯微电子股份有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：一种图像传感器像素电路及其工作方法，电路包括：光电二极管，光电二极管具有正向连接端；传输晶体管，传输晶体管的源级与正向连接端连接，传输晶体管的漏极与第一浮空扩散点连接；附加晶体管，附加晶体管的源级与第一浮空扩散点连接，附加晶体管的漏极与第二浮空扩散点连接；复位晶体管，复位晶体管的漏极与第一电源线连接，复位晶体管的源级连接第二浮空扩散点；与第二浮空扩散点连接的电容；前置晶体管，前置晶体管的源级与正向连接端连接，前置晶体管的漏极与第二电源线连接
图像传感器像素电路及其工作方法

[发明专利]凹槽绝缘栅型复合源场板的异质结场效应晶体管-CN200810232521.4有效
发明人：毛维;杨翠;郝跃;过润秋 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种凹槽绝缘栅型复合源场板的异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘介质层、绝缘槽栅、钝化层、源场板和保护层，势垒层上开有凹槽，绝缘槽栅位于凹槽上部的绝缘介质层上，源场板位于钝化层的上面，源极与源场板电气连接，其中，源场板与漏极之间的钝化层上淀积有n个浮空场板。这些浮空场板大小相同，相互独立，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板处于浮空状态，并与源场板在钝化层上一次工艺完成。
凹槽绝缘复合源场板异质结场效应晶体管

[发明专利]图像传感器像素电路及其工作方法-CN201811286238.X有效
发明人：罗文哲;王林;黄金德 -专利权人：锐芯微电子股份有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H04N5/351 文献下载
摘要：一种图像传感器像素电路及其工作方法，电路包括：光电二极管；传输晶体管的源级和漏极分别对应连接光电二极管连接和第一浮空扩散点；第一附加晶体管，第一附加晶体管的源极和漏极分别对应连接第一浮空扩散点和第二浮空扩散点；复位晶体管，复位晶体管的漏极和源级分别对应连接电源线连接和第二浮空扩散点；与第二浮空扩散点连接的电容；第二附加晶体管，第二附加晶体管的漏极和源级分别对应连接电源线和第一浮空扩散点，第二附加晶体管和第一附加晶体管适于在扩展曝光时序步骤中执行若干次相间的释放步骤，使第一浮空扩散点存储的电荷传输至电源线；适于读出第一浮空扩散点的电位信息的列读出线。
图像传感器像素电路及其工作方法

[发明专利]绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管-CN200810232512.5有效
发明人：毛维;郝跃;杨翠;过润秋;张进成;马晓华;许晟瑞 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(6)、绝缘栅极(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11)，该源场板(9)位于钝化层(8)上，且与源极(4)电气连接，其中，在自源场板到漏极方向的钝化层(8)上淀积有n个浮空场板(10)。每个浮空场板大小相同，相互独立，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板与源场板在钝化层上通过一次工艺完成。
绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管

[发明专利]源场板高电子迁移率晶体管-CN200810232547.9有效
发明人：郝跃;过润秋;毛维;张进成;马晓华;杨翠;王冲 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-12-03 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种源场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、保护层(10)和源场板(8)，该源场板(8)与源极(4)电气连接，其中，钝化层(7)上淀积有n个浮空场板(9)，n≥1，以增大势垒层耗尽区的面积。这些浮空场板与源场板位于同一层钝化层上，每个浮空场板大小相同，相互独立，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板处于浮空状态，并与源场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性好和击穿电压高的优点，可制作基于III-V族化合物半导体异质结结构的高频大功率器件。
源场板高电子迁移率晶体管

[发明专利]凹槽绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管-CN200810232530.3有效
发明人：毛维;杨翠;郝跃;过润秋 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种凹槽绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、绝缘槽栅(8)、钝化层(9)、源场板(10)、漏场板(12)和保护层(13)，该源场板与源极电气连接，该漏场板与漏极电气连接，其中，势垒层上开有凹槽(6)；源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(11)。每个浮空场板大小相同且相互独立，且按照等间距的方式均匀分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。
凹槽绝缘栅型源复合场板高电子迁移率晶体管

[发明专利]基于绝缘层上硅技术快闪存储器结构光敏可控器件-CN201110382683.8有效
发明人：闫锋;吴福伟 -专利权人：南京大学
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：基于SOI快闪存储器结构的NMOSFET光敏可控器件，包括p型半导体衬底，设有衬底接触电极，衬底上设有n型重掺杂源区和漏区，衬底上依次为隧穿氧化层、电荷存储层层、阻挡氧化层和控制栅。工作在电信号增大模式下时，首先对器件进行擦除，使电荷存储层中存有大量空穴，工作时，将栅极和衬底短接并浮空，源极接地，漏极加正电压，测试漏端电流；对器件进行擦除操作，使电荷存储层中存有大量空穴，工作时，将栅极和衬底短接并浮空，源极接地，漏极加正电压，电压大小为0.01V至3V，测试漏端电流。
基于绝缘层上硅技术闪存结构光敏可控器件

[发明专利]浮空型漏场板电流孔径器件及其制作方法-CN201710198226.0有效
发明人：毛维;边照科;王海永;郝跃;马晓华;杨眉;吕玲;祝杰杰 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种浮空型漏场板电流孔径器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、GaN衬底(1)、GaN漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层(7)上的两侧刻有两个源槽(8)，两个源槽处淀积有两个源极(9)，除肖特基漏极底部以外的所有区域完全覆盖有钝化层(13)，两侧的钝化层内制作有浮空型漏场板(12)，该浮空型漏场板是由多个相互独立的浮空场板和一个与肖特基漏极电气连接的第一场板构成
浮空型漏场板电流孔径器件及其制作方法

[发明专利]具有等势浮空槽的低阻器件及其制造方法-CN202010888774.8有效
发明人：章文通;祖健;朱旭晗;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有等势浮空槽的低阻器件，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型源端重掺杂区，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型源端重掺杂区，第二导电类型漏端重掺杂区，第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三介质氧化层，浮空场板多晶硅电极、控制栅多晶硅电极，源极金属，漏极金属，金属条；第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中；在相同长度下，介质层能够承受更高的击穿电压，同时浮空电极能够调制漂移区电势分布，使得电势分布均匀，进一步提高了器件耐压，浮空场板辅助耗尽还可以提高漂移区注入剂量，从而降低比导通电阻。
具有势浮空槽器件及其制造方法

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