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[发明专利]一种降低晶圆破损率的薄晶圆背面金属溅射方法-CN201310266359.9在审
发明人：赵高辉;姜国伟;牟善勇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开一种降低晶圆破损率的薄晶圆背面金属溅射方法，该方法适用于在晶圆上生长金属层的工艺，该方法包含以下步骤：1、薄晶圆背面金属溅射工艺开始前预先对晶圆喷射反应气体，使晶圆开始缓慢升温；2、进行薄晶圆背面金属溅射工艺；3、薄晶圆背面金属溅射工艺完成后，持续对晶圆喷射反应气体，使晶圆缓慢降温。本发明通过在进行薄晶圆背面金属溅射工艺开始前预先喷射反应气体，使晶圆在工艺开始前先缓慢升温，并在工艺完成后持续对晶圆平射反应气体，使晶圆在工艺完成后缓慢降温，实现晶圆在整个工艺过程中柔和形变，以降低晶圆破损率
一种降低破损薄晶圆背面金属溅射方法

[发明专利]温控硫族元素蒸气分配装置及均匀沉积铜铟镓硒的方法-CN201710650854.8在审
发明人：罗伯特·T·塔斯;海因里希·冯·比诺;罗伯特·马丁森 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：沉积系统包括真空盒，所述真空盒连接至真空泵；溅射系统，所述溅射系统包括位于所述真空盒中的至少一个溅射靶；含硫族元素的气体源；以及气体分配歧管，所述气体分配歧管具有供应侧和分配侧。所述分配侧具有多个开口区域，所述多个开口区域具有独立的温度控制；并且所述供应侧连接至所述含硫族元素的气体源。反应溅射沉积含硫族元素的化合物半导体材料的方法包括将含硫族元素的化合物半导体材料的至少一个金属组分溅射到衬底上；以及向所述衬底的端部比向所述衬底的中部提供更高的硫族元素流，以形成所述含硫族元素的化合物半导体材料
温控元素蒸气分配装置均匀沉积铜铟镓硒方法

[发明专利]金属Pd纳米颗粒阵列的制备方法-CN201410347428.3在审
发明人：胡永明;雷金梅;王钊;顾豪爽 -专利权人：湖北大学
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种金属Pd纳米颗粒阵列的可控制备方法，包括将选取的溅射基片置于真空磁控溅射设备内，控制溅射室内真空度为10-4量级时，向溅射室充保护气体，调节流量计至保护气体的流量显示为10-15sccm；当磁控溅射设备的真空度为1-5Pa时，打开直流溅射总电源使靶逐渐起辉，起辉后调节闸板阀，使磁控溅射设备的真空度为0.5-7Pa,控制功率为30-80W进行溅射，溅射时间为1-5S；将得到的钯连续薄膜基片在真空度为
金属 pd 纳米颗粒阵列制备方法

[发明专利]一种针对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的评价方法-CN201910298067.0有效
发明人：段小明;邱宝付;毛威;扈延林;沈岩;丁永杰;宁中喜;于达仁;贾德昌;周玉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G01N5/04 文献下载
摘要：一种针对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的评价方法，本发明涉及陶瓷材料抗溅射性能的评价方法。解决现有缺少对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的筛选与评价方法的问题。方法：一、将霍尔电推进器通道所用的陶瓷材料加工，得到试样；二、将试样置于靶台上，设定离子束流与试样法向夹角、离子源与试样的距离及靶台转速；三、抽真空，通入气体工质，调整气体工质；四、启动离子源，依次设定离子能量、阳极电压及加速电压，设定离子束流及电子束流，进行溅射试验，得到溅射后的试样；五、计算溅射速率v及溅射产额Y，分析溅射后的试样表面粗糙度、价键组成、元素含量及表面形貌。本发明用于针对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的评价。
一种针对霍尔推进器通道材料溅射性能评价方法

[发明专利]用于对三维成形的衬底表面覆层的溅射设备和溅射方法-CN201810686685.8有效
发明人： M·波特卡;M·克雷斯;M·盖斯勒;F·P·施瓦兹 -专利权人：索莱尔有限责任公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将层沉积在三维衬底表面上的溅射设备。溅射设备具有至少一个真空接口、用于导入和产生工艺气体的气体输送装置、用于相对于衬底保持装置的衬底基准表面固持衬底的衬底保持装置、和多个同类的或不同类的溅射源，溅射源分别通过其自身的源固持件保持并且这些溅射源在其朝向覆层区域的溅射表面上分配有单独的基准点，其中溅射源彼此间隔开以二维阵列设置，该二维阵列沿源基准表面延伸，并且其中，至少一个溅射源的源固持件可调节到源基准表面的非零的源间距，在溅射源的基准点和源基准表面之间沿源基准表面贯穿的基准点的表面法线测量
用于三维成形衬底表面覆层溅射设备方法

[发明专利]基于氩氦的涂覆-CN201910745101.4在审
发明人：安德鲁·克拉克;乔治·J·欧肯法斯 -专利权人：唯亚威通讯技术有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：溅射系统可以包括基底。溅射系统可以包括至少一个靶。至少一个靶可以包括至少一种涂覆材料，以将至少一层涂覆到基底上。至少一种涂覆材料可以在惰性气体存在下溅射到基底上。惰性气体可以包括氩气和氦气。
基于

[发明专利]等离子体增强磁控溅射系统及方法-CN201610458183.0在审
发明人：石永敬;孙建春;原金海;周安若;吴英 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体增强磁控溅射系统及方法，该系统包括真空室、非平衡磁控溅射阴极、样品架和等离子体发生器，样品架和非平衡磁控溅射阴极都设置在真空室内，且非平衡磁控溅射阴极位于样品架的上方；等离子体发生器与真空室连通；等离子体发生器用于对注入其内的气体进行等离子体化，并将气体的等离子体输送至真空室内；非平衡磁控溅射阴极用于对气体的等离子体进一步电离，并溅射靶材，产生气源沉积到样品架上的衬底上。
等离子体增强磁控溅射系统方法

[发明专利]CIGS制备用强化隔离膜及制备方法-CN201910399825.8在审
发明人：王鲁南;窦立峰 -专利权人：南京汇金锦元光电材料有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种CIGS制备用强化隔离膜制备方法，以柔性有机材料为基材，采用有机基材磁控溅射镀膜技术一次性制成的CIGS制备用强化隔离膜，具有较好的服帖性能；它使用在一个真空镀膜腔内的多个磁控溅射装置，各磁控溅射装置包括以惰性气体氩气作为工作气体、以氧气为反应气体的沉积阴极室、位于沉积阴极室内的阴极靶材，连续移动的柔性有机基材依次通过各磁控溅射装置的沉积阴极室，通过各磁控溅射装置的溅射，使得阴极靶材氧化物一次性沉积在柔性有机基材的上下表面；本发明还提供一种
制备磁控溅射装置隔离膜有机基材沉积阴极靶材阴极室光谱磁控溅射镀膜惰性气体氩气全光线透过率阴极一次性沉积一次性制成真空镀膜腔反应气体工作气体连续移动上下表面透射窗口有机材料转换效率氧化物基材加宽溅射增宽氧气室内

[发明专利]用于高温部件的润滑剂涂覆装置-CN200810179396.5有效
发明人：崔相勋;金东一;李东旻 -专利权人：韩电KPS株式会社
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：公开了一种用于高温部件的润滑剂涂覆装置，该装置采用溅射方法在高温部件的表面上形成润滑层。该润滑剂涂覆装置包括腔室，该腔室具有固定部件和门，所述固定部件用于将所述高温部件固定于其中，所述门用于界定所述高温部件的溅射空间。旋转驱动部件旋转并驱动所述高温部件。真空泵在所述溅射空间内产生真空。惰性气体供应部件为所述溅射空间提供惰性气体状态。多个靶安装在所述门的上表面、前表面和后表面上。多个溅射枪以与所述靶相对应的方式安装在所述门的上表面、前表面和后表面，并从所述靶释放原子，并将所述原子沉积到所述高温部件上。控制部件控制所述旋转驱动部件、真空泵、惰性气体供应部件和溅射枪。
用于高温部件润滑剂装置

[发明专利]一种亚稳态二氧化钒薄膜的制备方法-CN201310541130.1有效
发明人：顾正彬;张善涛;卢明辉;陈延峰 -专利权人：无锡英普林纳米科技有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种亚稳态二氧化钒薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射技术。包括以下步骤：（1）准备金属钒靶、氩气和氧气气体；磁控溅射仪至少包括样品准备腔和生长腔这两个真空腔室，生长腔室抽真空至4.5×10-4Pa以下；（2）只通入Ar气体，设定溅射功率，清洗金属钒靶表面的氧化部分和一些污染物杂质；（3）衬底加热并保温10分钟左右；（4）通入氩气和氧气气体，其比率为10：1，调节真空室压强在1Pa，启动射频溅射工作源，溅射功率为40W，开始溅射；（5）薄膜生长至要求厚度后，关闭加热电源，使样品自然冷却
一种亚稳态氧化薄膜制备方法

[实用新型]等离子体增强磁控溅射系统-CN201720388897.9有效
发明人：石永敬;孙建春;原金海;周安若;吴英 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种等离子体增强磁控溅射系统，该系统包括真空室、非平衡磁控溅射阴极、样品架和等离子体发生器，样品架和非平衡磁控溅射阴极都设置在真空室内，且非平衡磁控溅射阴极位于样品架的上方；等离子体发生器与真空室连通；等离子体发生器用于对注入其内的气体进行等离子体化，并将气体的等离子体输送至真空室内；非平衡磁控溅射阴极用于对气体的等离子体进一步电离，并溅射靶材，产生气源沉积到样品架上的衬底上。
等离子体增强磁控溅射系统

[其他]溅射源用的充气器-CN87105700无效
发明人：王德苗;任高潮;陈抗生 -专利权人：浙江大学
申请日： 1987-08-18 - 公布日： 1988-03-30 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种能向阴极靶[8]靶面和工件表面分别喷射工作气体和活性气体的磁控溅射源用的充气器，采用这种充气器能使靶面免受污染，工作气体利用率提高40％，薄膜中杂质含量降低20％，且不产生阴影。同通混合气体的方案相比，溅射速率提高80％以上。
溅射充气

[其他]溅射源用的充气器-CN87212022无效
发明人：王德苗;任高潮;陈抗生 -专利权人：浙江大学
申请日： 1987-08-18 - 公布日： 1988-05-11 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：一种能向阴极靶(8)靶面和工件表面分别喷射工作气体和活性气体的磁控溅射源用的充气器，采用这种充气器能使靶面免受污染，工作气体利用率提高40％，薄膜中杂质含量降低20％，且不产生阴影。同通混合气体的方案相比，溅射速率提高80％以上。
溅射充气

[发明专利]一种磁控溅射设备及方法-CN201310185242.8有效
发明人：陈鹏;耿波 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控溅射设备及方法，用于在磁控溅射沉积后，对沉积在被加工工件表面的薄膜层表面进行轰击，使其表面粗糙化；磁控溅射设备包括反应腔室、溅射电源、基座、靶材、轰击气源和偏压单元，溅射电源与靶材电连接，用以向靶材输出溅射功率；轰击气源用于在完成磁控溅射沉积之后向反应腔室内通入不与沉积在被加工工件表面上的薄膜发生反应的轰击气体，并由偏压单元和/或溅射电源将轰击气体激发形成等离子体；偏压单元用于向基座加载负偏压，以使等离子体轰击被加工工件上经过磁控溅射沉积后形成的薄膜表面。本发明提供的磁控溅射设备，其可以避免出现金属电极层剥落的问题，且不仅生产投入成本较低，而且可以保持原有的工艺流程基本不变。
一种磁控溅射设备方法

[发明专利]一种氧化物薄膜的溅射方法-CN201310365478.X有效
发明人：徐苗;徐华;陈子恺;陶洪;王磊;彭俊彪 -专利权人：广州新视界光电科技有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种氧化物薄膜的溅射方法，是将臭氧直接通入物理气相沉积设备的反应腔内作为溅射气体进行氧化物薄膜沉积。通入反应腔内的臭氧的流量占溅射使用气体总流量的0.1%~50%。物理气相沉积设备为直流溅射、射频溅射、中频溅射、交流溅射或者脉冲直流溅射设备中的任意一种。物理气相沉积设备为单靶直接溅射方式或者为多靶共溅射方式。
一种氧化物薄膜溅射方法

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