专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种分离被动调Q紫外光激光器-CN201520146614.0有效
  • 李斌;孙冰 - 李斌;孙冰
  • 2015-03-13 - 2015-07-08 - H01S3/0941
  • 本实用新型公开一种分离被动调Q紫外光激光器。该分离被动调Q紫外光激光器包括系统,其特征在于,所述系统还耦合有与其分离设置的激光头,所述激光头依次包括光耦合的直镜、聚焦镜、谐振腔、二倍频晶体和倍频晶体;所述系统包括源,给源供电、为二倍频晶体和倍频晶体提供温度控制的驱动源;所述源通过传能光纤与所述直镜光耦合。
  • 一种分离被动紫外光激光器
  • [实用新型]分离直装置-CN200920131736.7有效
  • 高云峰;吕启涛;蔡元平 - 深圳市大族激光科技股份有限公司
  • 2009-05-13 - 2010-03-17 - H01S3/094
  • 一种分离直装置,包括:光纤与直透镜,该光纤与直透镜分别固定在接头与直镜筒内,该接头与直镜筒通过一外套筒连接在一起。本实用新型通过先将光纤与直透镜分别通过接头与直镜筒来固定,然后通过外套筒将接头与直透镜固定为一个整条,这样在拆装该系统后不会由于光纤本身的误差而使激光器输出特性发生改变。经直后的光,其功率密度是出口功率密度的5%以下,故对外部光学器件能起到保护作用,在该直系统的法兰板上有机械定位销,可以对准直后的光精确定位。
  • 分离式泵浦准直装置
  • [发明专利]单二极管双端激光器-CN201010616800.8无效
  • 樊仲维;石朝辉;王培峰;康治军 - 北京国科世纪激光技术有限公司
  • 2010-12-31 - 2012-07-11 - H01S3/0933
  • 一种单二极管双端激光器,包括源、直透镜、光传输光纤、50∶50分光片、第一光全反射镜、第二光全反射镜、第光全反射镜、第一聚焦透镜、第二聚焦透镜、第一耦合镜、第二耦合镜、增益激光介质及振荡激光输出耦合镜;其中,直透镜首先将源经由光传输光纤输出的激光进行直,其次,经50∶50分光片进行1∶1功率分配,分光后的两束激光,一束经第一光全反射镜光路折转,另一束则经第二光全反射镜和第光全反射镜光路折转,最后均射入增益激光介质,且通过振荡激光输出耦合镜输出。
  • 二极管双端泵浦激光器
  • [发明专利]采用叠阵半导体激光器的盘激光器-CN202310186356.8在审
  • 周煌 - 周煌
  • 2023-03-02 - 2023-05-26 - H01S3/08
  • 本发明公开了一种采用叠阵半导体激光器的盘激光器,包括叠阵半导体激光器,快轴直透镜和金字塔型导光管,出射端面出射的激光,经过直透镜直后,入射到由空心抛物面反射镜和偏转光学棱镜组组成的盘激光器中,经过多次反射和偏转后,所述激光在盘激光增益介质上形成一个平顶的光斑,从而使得所述激光能量被激光增益介质吸收。本发明结构简单,调节难度低,匀光效果好,降低了叠阵半导体激光器匀光整形的技术难度以及盘激光器结构的成本,提高了耦合效率。
  • 采用半导体激光器盘式泵浦激光器
  • [发明专利]宽谱光时域整形装置-CN201811055614.4有效
  • 汪小超;李娆;范薇;张攀政;隋代鹏 - 中国科学院上海光学精密机械研究所
  • 2018-09-11 - 2020-10-16 - H01S3/11
  • 一种宽谱光时域整形装置,包括源、可调衰减器、输入直器、可饱和吸收体、小孔和输出直器;所述的源为具有灵活时域波形调控能力的光源系统,源的输出通过可调衰减器调节输出能量后入射到可饱和吸收体;宽谱光通过输入直器直输出,可饱和吸收体,部分被可饱和吸收体吸收,余下部分经可饱和吸收体透射后经小孔到达输出直器耦合输出。当源无输出或未到达可饱和吸收体时,透射可饱和吸收体为未饱和状态,对宽谱光具有强吸收效应,透射率较低;当源输出的具有一定时域波形的强光到达可饱和吸收体时,透射可饱和吸收体发生可饱和效应,使得其对宽谱光的透射率增大,从而在光持续时间内,输出直器可接收到一宽谱整形脉冲。
  • 宽谱光时域整形装置
  • [发明专利]半导体端腔内倍频高功率紫外激光器-CN201610718644.3有效
  • 郑淑琴;林家力 - 郑淑琴
  • 2016-08-24 - 2016-11-16 - H01S3/109
  • 一种半导体端腔内倍频高功率紫外激光器,包括源、四个分为两组双端设置的直聚焦系统、两组半导体耦合系统、谐振腔,所述的谐振腔内设有两块激光晶体、声光调Q、倍频晶体和合频晶体,源产生光,设置在源输出端并由第一平凸直透镜、第二平凸直透镜组成直聚焦系统对直聚焦,并由两组半导体耦合系统分别将经直聚焦系统直聚焦后的光耦合到谐振腔的两块激光晶体。由于采用两组双端半导体耦合系统激光晶体方式,利用腔内倍频、合频技术,实现1064nm基频光到532nm倍频光转换,再通过基频光和倍频光合频得到355nm紫外激光。
  • 半导体端泵浦腔内倍频功率紫外激光器
  • [实用新型]半导体端腔内倍频高功率紫外激光器-CN201620941609.3有效
  • 郑淑琴;林家力 - 郑淑琴
  • 2016-08-24 - 2017-02-08 - H01S3/109
  • 一种半导体端腔内倍频高功率紫外激光器,包括源、四个分为两组双端设置的直聚焦系统、两组半导体耦合系统、谐振腔,所述的谐振腔内设有两块激光晶体、声光调Q、倍频晶体和合频晶体,源产生光,设置在源输出端并由第一平凸直透镜、第二平凸直透镜组成直聚焦系统对直聚焦,并由两组半导体耦合系统分别将经直聚焦系统直聚焦后的光耦合到谐振腔的两块激光晶体。由于采用两组双端半导体耦合系统激光晶体方式,利用腔内倍频、合频技术,实现1064nm基频光到532nm倍频光转换,再通过基频光和倍频光合频得到355nm紫外激光。
  • 半导体端泵浦腔内倍频功率紫外激光器
  • [发明专利]放大级模块及激光装置-CN202310372203.2在审
  • 吴梦迪 - 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司
  • 2023-04-03 - 2023-07-25 - H01S3/094
  • 本发明公开一种放大级模块及激光装置,其中,放大级模块包括光合束整型模块、光耦合直模块、脉宽压缩模块以及分光模块;光合束整型模块用于对应光源设置,以将自光源射出的光进行合束和整型,以形成平行光并输出;光耦合直模块用于将平行光耦合进入变芯径增益光纤激光器的光纤、以及将自变芯径增益光纤激光器出射的激光进行直并输出;脉宽压缩模块设于光耦合直模块的出光侧,以对准直后的激光进行色散补偿,并形成脉宽压缩光输出;分光模块包括第一分光部,第一分光部用于将平行光导入光耦合直模块、以及将自光耦合直模块的出光侧出射的激光导至脉宽压缩模块。
  • 放大级泵浦模块激光装置

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