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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比确定方法及装置-CN201811385425.3有效
发明人：胡迎宾;赵策;丁远奎;宋威;汪军;张扬;李伟;闫梁臣 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比确定方法，所述确定方法包括：S1、设置栅极在有源层上的正投影的初始宽长比；S2、根据初始宽长比制得薄膜晶体管；S3、对根据初始宽长比制得的薄膜晶体管进行测试；S4、判断测试结果是否满足预定结果；若是，执行步骤S5，若否，执行步骤S6；S5、确定所述初始宽长比为所述薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比；S6、改变初始宽长比的数值，并重复执行步骤S2至步骤S4。本发明还提供一种薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比确定装置；所述确定方法用于通过多次的调节、测试获得薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比。
薄膜晶体管沟道最终确定方法装置

[发明专利]确定阵列基板栅极驱动电路中的晶体管的关系参数的方法-CN201810821053.8有效
发明人：宋乔乔 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：所述方法包括：确定针对第一晶体管的多个第一沟道宽长比和针对第二晶体管的预定沟道宽长比；通过从多个第一沟道宽长比中逐一选择每个第一沟道宽长比，将具有选择的第一沟道宽长比的第一晶体管的源极和第二晶体管的栅极连接到控制信号点并将预定电压信号施加到第一晶体管和第二晶体管，获得控制信号点的与多个第一沟道宽长比分别对应的多个电压波形；从多个电压波形中确定电压最优波形；通过与电压最优波形对应的第一沟道宽长比，确定第一晶体管和第二晶体管之间的关系参数。
确定阵列栅极驱动电路中的晶体管关系参数方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板及显示装置-CN201710001470.3有效
发明人：占建英;张慧文;冯思林 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-01-03 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括与有源层的沟道区接触设置的导电图形，所述导电图形与源电极、漏电极绝缘设置。当薄膜晶体管导通时，位于源电极和导电图形之间的沟道区，以及位于漏电极和导电图形的沟道区形成导电沟道，而不是整个沟道区形成导电沟道，使沟道区的宽长比小于导电沟道的宽长比，较小的沟道区宽长比能够获得小的关态电流Ioff，较大的导电沟道的宽长比能够获得大的工作电流Ion，达到了同时优化Ion和Ioff的目的，提升了薄膜晶体管的性能。
一种薄膜晶体管及其制作方法显示显示装置

[发明专利]显示基板母板及其漏电测试方法-CN202211057825.8在审
发明人：冉营营 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：显示基板母板具有非显示区和多个显示区，显示区之间间隔非显示区，显示基板母板包括：驱动电路，位于显示区，驱动电路包括至少一个开关晶体管；至少一个测试模块，位于非显示区，测试模块至少包括第一测试晶体管和第二测试晶体管，第一测试晶体管的沟道宽长比与开关晶体管的沟道宽长比相同；第二测试晶体管的沟道宽长比与开关晶体管的沟道宽长比不同，且第二测试晶体管的沟道宽度与开关晶体管的沟道宽度相同，或第二测试晶体管的沟道面积与开关晶体管的沟道面积相同。
显示母板及其漏电测试方法

[发明专利]显示面板-CN202010910990.8有效
发明人：王威;张伟彬 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示面板，在显示面板中，第一驱动薄膜晶体管电连接于第一OLED器件，第二驱动薄膜晶体管电连接于第二OLED器件；第一驱动薄膜晶体管包括第一有源层，第一有源层的沟道部分具有第一宽长比；第二驱动薄膜晶体管包括第二有源层，第二有源层的沟道部分具有第二宽长比；第一宽长比小于所述第二宽长比。本申请设置第一宽长比小于所述第二宽长比，以改变第一驱动薄膜晶体管的电性，进而改善画面的残影现象。
显示面板

[发明专利]一种可弯曲显示面板的设计方法及可弯曲显示面板-CN201910926523.1有效
发明人：张慧娟;张浩 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明通过获取参考显示面板的可弯曲区域的每个第三子像素的第一电流值以及参考显示面板的不可弯曲区域的第四子像素的第二电流值，根据第一电流值和第二电流值，确定每个第三子像素对应的薄膜晶体管的沟道宽长比变化量，根据沟道宽长比变化量，分别确定每个第一子像素对应的薄膜晶体管的目标沟道宽长比，以根据目标沟道宽长比分别制作可弯曲区域的每个第一子像素对应的薄膜晶体管。通过沟道宽长比的调节补偿可弯曲区域的亮度，使得可弯曲显示面板在弯曲显示时，可弯曲区域的亮度与不可弯曲区域的亮度更加均匀。
一种弯曲显示面板设计方法

[发明专利]FinFET器件制造方法-CN201110372141.2有效
发明人：赵猛;三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种FinFET器件制造方法，在鳍形沟道区原本位置处形成鳍形应变锗硅沟道，保持鳍形沟道原有的宽长比以及尺寸的同时，增大了沟道应力，提高了FinFET器件的驱动电流；同时，沙漏状的鳍形应变锗硅沟道比条状的宽长比更高，包括应变锗硅层和应变碳硅层的鳍形应变硅沟道的应力性能更高，以此获得的FinFET器件的驱动电流更高。
finfet 器件制造方法

[发明专利]FinFET器件制造方法-CN201110372142.7有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种FinFET器件制造方法，在鳍形沟道区原本位置处形成鳍形应变锗硅沟道，保持鳍形沟道原有的宽长比以及尺寸的同时，增大了沟道应力，提高了FinFET器件的驱动电流；同时，沙漏状的鳍形应变锗硅沟道比条状的宽长比性能更高，包括应变锗硅层和应变碳硅层的鳍形应变硅沟道的应力性能更高，栅极结构及FinFET基体上方形成有高应力的应力材料层的沟道区应力性能更高，以此获得的FinFET器件的驱动电流更高。
finfet 器件制造方法

[发明专利]显示面板、显示装置及开关器件的沟道宽长比的确定方法-CN202010538367.4有效
发明人：袁粲;李永谦;袁志东 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方卓印科技有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种显示面板、显示装置及开关器件的沟道宽长比的确定方法。该显示面板，包括：至少两个像素电路，与显示面板中的至少两个区域的像素结构一一对应的电连接；每个像素电路中开关器件的沟道宽长比，与像素电路对应的区域的设计数据负载正相关。该显示装置包括显示面板。本申请实施例的每个像素电路中的开关器件的沟道宽长比与像素电路对应的区域的设计数据负载正相关，能够根据不同区域的设计数据负载的不同，匹配不同的开关器件的宽长比，从而保证灰阶完整性，为定制化异形产品显示提供了技术支持
显示面板显示装置开关器件沟道确定方法

[发明专利]一种阵列基板、显示面板和显示装置-CN201910032181.9有效
发明人：黄北洲 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：每个所述像素单元包括对应不同颜色第一子像素单元、第二子像素单元以及第三子像素单元，每个所述第一子像素单元包括第一主动开关；每个所述第二子像素单元包括第二主动开关；每个所述第三子像素单元包括第三主动开关；所述第一主动开关的沟道宽长比、所述第二主动开关的沟道宽长比以及所述第三主动开关的沟道宽长比各不相同。本方案通过设置至少其中两个沟道宽长比不一致，从而调节充电电压的不同电场影响折射率从而影响穿透率，使得具有不同液晶层厚度的像素的穿透率趋近相同，进而改善不同颜色像素同一灰阶穿透率不一致的现象。
一种阵列显示面板显示装置

[发明专利]数据锁存电路、像素电路、阵列基板及液晶显示面板-CN201910378642.8有效
发明人：冯思林;吴迪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据锁存电路、像素电路、阵列基板及液晶显示面板，该数据锁存电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管，且所述数据锁存电路内所有所述晶体管的掺杂类型相同；所述第一晶体管的沟道宽长比大于所述第二晶体管的沟道宽长比，所述第三晶体管的沟道宽长比大于所述第四晶体管的沟道宽长比。
数据电路像素阵列液晶显示面板

[发明专利]OLED显示面板及其驱动方法、以及OLED显示装置-CN202210163679.0有效
发明人：向炼;税禹单;余正茂 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：第二薄膜晶体管的漏极与栅极连接，源极连接至数据信号端；第三薄膜晶体管的漏极与栅极连接并连接至数据信号端，源极与第四薄膜晶体管的漏极连接；第四薄膜晶体管的漏极与栅极连接，源极直接连接至地极，以及其中，第二薄膜晶体管的沟道宽长比大于第一薄膜晶体管的沟道宽长比，第三薄膜晶体管的沟道宽长比大于第四薄膜晶体管的沟道宽长比。本发明提供的OLED显示面板，通过直接接地且设置晶体管沟道宽长比形成漏斗状泄放通路，满足车规ESD保护要求。
oled 显示面板及其驱动方法以及显示装置

[发明专利]液晶显示器-CN201110384887.5有效
发明人：李冬 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明涉及一种液晶显示器，包括多条数据线、多条扫描线以及设置在扫描线与数据线相互交错处的多个像素，像素包括主像素和次像素，主像素包括主薄膜场效应晶体管，次像素包括次薄膜场效应晶体管，主薄膜场效应晶体管的沟道宽长比与次薄膜场效应晶体管的沟道宽长比不同本发明的液晶显示器通过对主次像素采用不同的沟道宽长比的薄膜场效应晶体管实现像素的八畴划分。
液晶显示器

[发明专利]具有双向稳压功能的液晶显示装置及移位寄存器-CN200910128888.6有效
发明人：廖一遂;陈建良;蔡明谚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-03-23 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：第一电路设于相对应栅极线的第一侧，包含脉冲产生电路和具有第一沟道宽长比的第一晶体管。脉冲产生电路可依据节点的电位来产生驱动信号，而第一晶体管可维持节点的电位。第二电路设于相对应栅极线的第二侧，包含具有第二沟道宽长比的第二晶体管，可从相对应栅极线的第二侧来维持驱动信号的电位。第一沟道宽长比的值小于该第二沟道宽长比的值，且第一电路的面积大于该第二电路的面积。
具有双向稳压功能液晶显示装置移位寄存器

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置以及显示基板-CN201980002729.3在审
发明人：牟鑫;刁永富 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：第一颜色子像素(110)包括第一驱动晶体管(111)，第二颜色子像素(120)包括第二驱动晶体管(121)，且第一驱动晶体管(111)的沟道宽长比大于第二驱动晶体管(111)的沟道宽长比。本公开实施例通过优化阵列基板上的不同颜色子像素的驱动晶体管的沟道宽长比，可以提高包括该阵列基板的显示装置的亮度。
阵列及其制作方法显示装置以及显示

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