专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1316999个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种二氧化纳米膜及其制备方法-CN200810216650.4无效
  • 张戈 - 比亚迪股份有限公司
  • 2008-09-27 - 2010-03-31 - C25D11/26
  • 本发明涉及一种二氧化纳米膜,包括基层和位于基层上的二氧化纳米管层,二氧化纳米管上沉积有氧化亚铜,二氧化纳米管沿轴线方向垂直于基层。本发明还涉及这种二氧化纳米膜的制备方法,片经过阳极氧化形成基底二氧化纳米管,基底二氧化纳米管再进行电化学沉积氧化亚铜,形成二氧化纳米膜。本发明的二氧化纳米膜表面形貌均匀有序,比表面积大,光电性能强。另一方面,本发明直接在片基底上生长一层纳米膜,很好的解决了基底和膜结合力差,易脱落的问题。
  • 一种氧化纳米及其制备方法
  • [发明专利]一种同源半导体异质结光阳极及其制备方法-CN202211072728.6在审
  • 汪毅;马明;李蒋;崔传艺;宁德;李伟民 - 深圳先进技术研究院
  • 2022-09-02 - 2022-12-02 - C25B11/091
  • 本发明公开了一种同源半导体异质结光阳极及其制备方法,所述同源半导体异质结光阳极包括导电基底以及生长在导电基底上的二氧化纳米棒阵列,所述二氧化纳米棒阵列上修饰有非金属掺杂相的二氧化纳米片,形成同源异质结,所述制备方法包括:在导电基底上生长二氧化纳米棒阵列;将二氧化纳米棒阵列高温退火处理;用非金属掺杂相的二氧化纳米片悬浊液对得到的二氧化纳米棒阵列进行表面修饰,使二氧化纳米棒阵列形成同源异质结,得到基于二氧化纳米异质结;将基于二氧化纳米异质结高温退火,获得同源半导体异质结光阳极。本发明提供的制备方法,通过构建异质结,解决了二氧化光阳极水分解能力低的问题。
  • 一种同源半导体异质结光阳极及其制备方法
  • [发明专利]一种双通氧化纳米管阵列的制备方法-CN201010033725.2无效
  • 李仕琦;张耿民 - 北京大学
  • 2010-01-05 - 2010-06-23 - C25D11/26
  • 本发明公开了一种双通氧化纳米管阵列的制备方法,首先在电解液中通过阳极氧化片上生长出氧化纳米管阵列,然后将电压突然升高至90-200V保持0.5-10min,最后取出片进行摆洗,获得脱离片基底的双通氧化纳米管阵列该方法通过电压跃迁使得氧化纳米管阵列与基底的脱离和氧化纳米管底部的打通同时实现,大大简化了双通氧化纳米管阵列的制备过程,且制备参数容易控制,氧化纳米管阵列底部打开的效果好,对促进氧化纳米管阵列在光电转换中的应用有着重要的意义
  • 一种氧化纳米阵列制备方法
  • [发明专利]一种纳米氧化玻璃的制备方法-CN03113881.0无效
  • 潘成良;张宇 - 潘成良
  • 2003-03-10 - 2004-09-22 - C03C17/23
  • 本发明涉及到一种混晶纳米氧化玻璃的制备方法,其主要成分为金红石相纳米氧化、锐矿相纳米氧化和二氧化硅,采用提拉法成膜。其中金红石相纳米氧化可以来源于金红石相纳米氧化浆料,也可以由锐矿相纳米氧化经热处理后相变得到。由于晶体结构的不同,混晶的存在可以有效地促进光生电子和空穴电荷的分离,从而提高制备的纳米氧化薄膜的光催化特性。经实验证明,由本发明提出的方法制备的纳米氧化自清洁玻璃具有良好的光催化特性和超亲水性。
  • 一种纳米氧化玻璃制备方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top