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[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置-CN00117939.X无效
发明人：石塚典男;三浦英生;池田修二;吉田安子;鈴木範夫;渡部浩三;金光賢司 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2000-06-01 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：在衬底上形成衬垫氧化膜和防氧化膜，除去部分防氧化膜和衬垫氧化膜露出衬底，后退衬垫氧化膜，刻蚀衬底露出面，形成规定深度沟槽，后退衬垫氧化膜，氧化沟槽部分，向其内部埋入埋入绝缘膜，除去防氧化膜上的埋入绝缘膜和防氧化膜，除去衬垫氧化膜，在氧化沟槽部分前，各向同性刻蚀和后退衬垫氧化膜使沟槽上端部分圆角化具有曲率，使氧化工序仅仅进行1次，制造不会使沟槽上端部分的晶体管的电性不合格的半导体装置。
半导体装置制造方法

[实用新型]一种具有防雾功能的树脂镜片及浸泡装置-CN202123279990.1有效
发明人：何彩虹;周海兵;周远胜 -专利权人：镇江视伟光学有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有防雾功能的树脂镜片，包括镜片，其特征在于，所述镜片为树脂材质设置，所述镜片的外部设置有氧化硅膜层A，所述氧化硅膜层A远离镜片的一侧设置有氧化锆膜层A，所述氧化锆膜层A远离氧化硅膜层A的一侧交替设置有氧化硅膜层B和氧化锆膜层B，外侧的所述氧化锆膜层B远离氧化硅膜层B的一侧设置有氧化铟锡膜层，所述氧化铟锡膜层远离氧化锆膜层B的一侧设置有氧化硅膜层C，所述氧化硅膜层C远离氧化铟锡膜层的一侧设置有防雾基底，所述防雾基底远离氧化硅膜层C的一侧设置有防雾顶膜。
一种具有功能树脂镜片浸泡装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法、半导体器件-CN201911320044.1在审
发明人：刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成隧穿氧化膜，形成隧穿氧化膜的步骤包括：依次形成多个子隧穿氧化膜；形成子隧穿氧化膜的步骤包括：形成初始子隧穿氧化膜；对初始子隧穿氧化膜进行氧化处理，使初始子隧穿氧化膜转化为子隧穿氧化膜本发明实施例依次形成多个子隧穿氧化膜以形成隧穿氧化膜，初始子隧穿氧化膜的厚度较薄，因此，有利于保证初始子隧穿氧化膜在所述氧化处理的过程中能够完全被氧化、并提高氧化处理的均匀性，从而有利于提高氧原子在子隧穿氧化膜中的分布均匀性、改善子隧穿氧化膜材料中的晶格结构，相应提高了隧穿氧化膜的薄膜质量，进而在后续图形化隧穿氧化膜以形成隧穿氧化层后，有利于提升隧穿氧化层的薄膜质量。
半导体结构及其形成方法半导体器件

[实用新型]一种护膜型氧化膜铝线-CN200920091040.6无效
发明人：陈保良 -专利权人：陈保良
申请日： 2009-06-23 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种护膜型氧化膜铝线，属于氧化膜铝线领域。本实用新型包括铝基体，铝基体外覆裹有氧化膜层，所述氧化膜层外覆裹有护膜层。本实用新型在氧化膜层之外覆裹有护膜层，护膜层把氧化膜层紧紧的覆于铝材表面，保护了氧化膜层不破坏、不脱落，增加了氧化膜层的柔软能，使得氧化膜层与铝基体保持一致。在绕线过程中，氧化膜层与铝基体一起折弯，不易脱落，故而护膜型氧化膜铝线的绝缘性能持久。
一种护膜型氧化膜铝线

[发明专利]等离子体处理装置用部件-CN201980047802.9在审
发明人：花待年彦;诸田修平;高原刚;泷本优;横山响;光田拓史;荒木良仁;味泽贤吾 -专利权人：日本发条株式会社;株式会社泉科技
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明的等离子体处理装置用部件包括：铝基材；以及氧化被膜，其形成在铝基材上，具有多孔质结构，其中，氧化被膜包括：第一氧化被膜，其形成在铝基材的表面上，第二氧化被膜，其形成在第一氧化被膜的与铝基材侧相反的一侧，以及第三氧化被膜，其形成在第二氧化被膜的与第一氧化被膜侧相反的一侧，第一氧化被膜比第二氧化被膜及第三氧化被膜硬，在第一氧化被膜、第二氧化被膜和第三氧化被膜的各被膜中形成的孔被封孔。
等离子体处理装置部件

[发明专利]用于深紫外线的反射膜及其制备方法、反射件和LED装置-CN201810393060.2在审
发明人：林志龙;魏岚;林梦潺 -专利权人：厦门信达光电物联科技研究院有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于深紫外线的反射膜及其制备方法、反射件和LED装置，所述反射膜包括多层膜，所述多层膜包括若干层第一氧化膜和若干层第二氧化膜，第一氧化膜和第二氧化膜交替分布，且第一氧化膜为氧化铪膜或氧化铝膜，第二氧化膜为氧化硅膜。本发明采用带粘附性及反射性的氧化铪膜或氧化铝配合氧化硅作为介质材料，通过膜系结构设计形成能够取代贵金属金的深紫外线反射膜，从中保证在降低材料成本的条件下生成反射性能优良的深紫外线反射膜。
氧化膜反射膜深紫外线氧化铪膜多层膜反射件制备材料成本反射性能交替分布介质材料膜系结构氧化硅膜氧化铝膜贵金属反射性氧化硅粘附性氧化铝配合保证

[实用新型]用于深紫外线的反射膜、反射件和LED装置-CN201820619902.7有效
发明人：林志龙;魏岚;林梦潺 -专利权人：厦门信达光电物联科技研究院有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于深紫外线的反射膜、反射件和LED装置，所述反射膜包括多层膜，所述多层膜包括若干层第一氧化膜和若干层第二氧化膜，第一氧化膜和第二氧化膜交替分布，且第一氧化膜为氧化铪膜或氧化铝膜，第二氧化膜为氧化硅膜本实用新型采用带粘附性及反射性的氧化铪膜或氧化铝配合氧化硅作为介质材料，通过膜系结构设计形成能够取代贵金属金的深紫外线反射膜，从中保证在降低材料成本的条件下生成反射性能优良的深紫外线反射膜。
氧化膜反射膜深紫外线本实用新型氧化铪膜多层膜反射件材料成本反射性能交替分布介质材料膜系结构氧化硅膜氧化铝膜贵金属反射性氧化硅粘附性氧化铝配合保证

[发明专利]成膜方法和半导体装置的制造方法-CN200980111184.6无效
发明人：下村晃司;上野哲嗣;青山真太郎;中村源志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种成膜方法，包括：在硅基板表面形成氧化膜的工序；对所述氧化膜进行蚀刻，利用所述氧化膜形成界面氧化膜，使得利用XPS法测定的所述界面氧化膜的膜厚为以以上的工序；和利用MOCVD法，在氧化气氛中在所述界面氧化膜上形成HfO2膜的工序。
方法半导体装置制造

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201680087142.3有效
发明人：蔀拓一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够抑制氧化膜的一部分变薄的技术。在第1区域的氮化膜之上形成第3氧化膜，并且在第2区域的主面之上形成第4氧化膜。使用掩模将第3氧化膜、氮化膜、以及第1氧化膜从第1区域去除。在将第3氧化膜、氮化膜、以及第1氧化膜去除之后，在第1区域的主面之上形成第5氧化膜。使用掩模将第5氧化膜从第1区域去除。在将第5氧化膜去除之后，在第1区域的主面之上形成第6氧化膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]氧化膜成膜方法及氧化膜成膜装置-CN201180072244.5有效
发明人：织田容征;白幡孝洋;平松孝浩 -专利权人：东芝三菱电机产业系统株式会社
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C01B13/34 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化膜成膜方法，所述氧化膜成膜方法能够不受大气变动的影响地一直正常地形成氧化膜，在金属氧化膜的情况下能够形成低电阻的膜，并且成膜效率好。然后，对雾状的原料溶液供给对烷基化合物具有氧化作用的氧化剂。通过以上的处理，在本发明中，在基板上形成氧化膜。
氧化膜成膜方法装置

[发明专利]制备含有α-氧化铝的氧化膜的方法以及器皿-CN201910748557.6在审
发明人：徐存荣 -专利权人：浙江苏泊尔股份有限公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C25D11/04 文献下载
摘要：本发明提供一种制备含α‑氧化铝的氧化膜的方法，包括步骤：S1：通过阳极氧化在铝或铝合金表面制作阳极氧化膜；S2在已形成阳极氧化膜的铝合金表面，采用温度为1500℃以上的高能量密度热源对阳极氧化膜进行焙烧，使阳极氧化膜中的氧化铝发生α相变，形成含有α‑氧化铝的氧化膜；所述热源优选乙炔‑纯氧火焰、等离子弧、激光或其组合。通过高温、高能量密度的热源对阳极氧化膜进行焙烧，可以使阳极氧化膜中的γ‑氧化铝、水合氧化铝在高温下转化成α‑氧化铝。经过α相变的氧化膜具有多孔层结构，硬度达到1000HV以上，得到的氧化膜更加耐磨。同时，由于α‑氧化铝化学稳定性最好，因而提升了氧化膜的耐腐蚀性。本发明还提供一种含有α‑氧化铝的氧化膜的器皿。
制备含有氧化铝氧化方法以及器皿

[发明专利]氧化膜式路灯-CN201510659738.3在审
发明人：周天下 -专利权人：常州市万泰模具有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本发明涉及路灯技术领域，尤其是一种氧化膜式路灯。氧化膜式路灯，包括灯座，所述灯座上设有灯罩，所述灯罩外侧设有氧化膜，所述氧化膜上设有端子。这种氧化膜式路灯在使用的时候，当氧化膜表面泛黄之后，手持氧化膜上的端子，撕开氧化膜，保证了灯罩表面的干净，满足使用需求。
氧化路灯

[实用新型]一种高透过玻璃基板-CN201920875579.4有效
发明人：张涛 -专利权人：江西省亚华电子材料有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高透过玻璃基板，包括本体，所述本体两面均镀有镀层，所述镀层顶部覆盖有减反射膜，所述镀层包括五氧化二铌膜、氟化镁膜、氧化锌膜、氧化铝膜和二氧化锆膜，所述氟化镁膜、氧化锌膜、氧化铝膜和二氧化锆膜，所述氟化镁膜、氧化锌膜、氧化铝膜和二氧化锆膜依次覆盖设置，两组所述五氧化二铌膜分别覆盖在氟化镁膜和二氧化锆膜外侧，所述减反射膜包括二氧化钛膜和二氧化硅膜，所述本体、镀层和减反射膜表面均覆盖有纳米微孔网膜，所述纳米微孔网膜上均匀的蚀刻有网孔，本实用新型通过在本体表面交替沉积不同光学厚度的高中低折射率化合物多层膜系，提高了本体的透光率，采用蜂窝状网孔结构，减少了光的反射。
一种透过玻璃

[发明专利]一种氧化镓膜的制备方法及其应用-CN202010432428.9有效
发明人：修向前;辛国庆;李悦文;张荣;华雪梅;谢自力;陈鹏;韩平;陆海;施毅;郑有炓 -专利权人：辛国庆
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓膜的制备方法及其应用。这种氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：1)采用卤化物气相外延法，在衬底上制得氮化镓膜；2)在含氧气氛中，将氮化镓膜氧化形成氧化镓/氮化镓复合膜；3)采用卤化物气相外延法，在氧化镓/氮化镓复合膜上进行氧化镓的原位厚膜生长，形成氧化镓膜；4)将氧化镓膜与衬底剥离，得到氧化镓膜。本发明这种氧化镓膜可以作为一种自支撑的氧化镓衬底。本发明的制备方法可以有效降低卤化物气相外延生长氧化镓厚膜材料中应力并降低位错密度，得到高质量的自支撑氧化镓厚膜，同时也更容易分离。
一种氧化制备方法及其应用

[发明专利]栅氧化膜的制造方法-CN200710161281.9无效
发明人：高见秀诚 -专利权人：雅马哈株式会社
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及一种栅氧化膜的制造方法，在衬底上形成场绝缘膜(12)之后，形成牺牲或栅氧化膜作为氧化膜(14a和14b)。在元件口(12a)中，利用抗蚀剂层(16)作掩模，经由氧化膜(14a)，通过氩(或氟)离子的一个或多个注入工艺形成离子注入层(18)。当使用氧化膜(14a和14b)作牺牲氧化膜时，在除去抗蚀剂膜(16)及氧化膜(14a和14b)之后，在元件口(12a和12b)中形成栅氧化膜。当使用氧化膜(14a和14b)作为栅氧化膜时，通过蚀刻一次减薄氧化膜，并且在除去抗蚀剂层(16)之后使其加厚。由于形成离子注入层(18)，使得栅氧化膜(14a)比栅氧化膜(14b)厚。
氧化制造方法

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