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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种基于铝盐络合物的氟化钙单晶抛光方法-CN201710070811.2在审
发明人：朱杰;姬梦;王占山 -专利权人：同济大学
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铝盐络合物的氟化钙单晶抛光方法，包括以下步骤：对氟化钙单晶进行研磨处理；利用第一抛光液对研磨后的氟化钙单晶进行抛光，并在抛光过程中以设定间隔时间对氟化钙单晶进行超声波清洗；第一抛光液为由掺有纳米级铝盐本发明采用在抛光液中加入铝盐等化合物的化学机械抛光方法对氟化钙单晶进行抛光，少量铝盐和氧化铬等在碱性条件下与氟化钙单晶会产生络合物，因而加速对氟化钙单晶的抛光进程，从而进一步去除氟化钙单晶表面损伤和亚表面损伤，获得较光滑的晶体表面，使得氟化钙单晶的加工效率高、产品质量好。
一种基于络合物氟化钙抛光方法

[发明专利]基于单晶氟化钙材料的细胞培养装置及其应用-CN202310217867.1在审
发明人：衣晓飞;徐晓刚;王明贵 -专利权人：复旦大学附属华山医院
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C12M3/04 文献下载
摘要：本发明涉及基于单晶氟化钙材料的细胞培养装置及其应用，基于单晶氟化钙材料的细胞培养装置包括用于细胞培养的细胞培养皿和匹配细胞培养皿的细胞爬片，所述细胞培养皿的底部为单晶氟化钙材质，所述细胞爬片为单晶氟化钙材质与现有技术相比，本发明基于单晶氟化钙材料的细胞培养装置适用于单细胞拉曼成像，可以减少拉曼成像时基底材料拉曼信号的影响，使成像数据更加准确。本发明使用的单晶氟化钙材料与含有金属镀层的材料相比对细胞没有毒性，适合进行细胞培养。本发明使用的单晶氟化钙材料为透明材料，便于在细胞培养过程中使用普通光学显微镜进行观察。
基于氟化钙材料细胞培养装置及其应用

[发明专利]一种氟化钙单晶的生长方法及所用装置-CN202010148083.4在审
发明人：彭明林;徐悟生;张可生;周方;杨春晖 -专利权人：秦皇岛本征晶体科技有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种氟化钙单晶的生长方法及所用装置，属于新材料制备技术领域，包括以氟化钙为原料，采用坩埚提拉法生长得到氟化钙单晶，氟化钙单晶在生长过程中由设置在坩埚侧面的侧加热器和设置在坩埚底部的底加热器共同调节温度本发明的单晶生长装置能精确控制籽晶附近温度从而控制籽晶熔接，氟化钙单晶生长方法的全部过程无铅、锌等除氧剂，从而确保了制备得到的氟化钙单晶无紫外区吸收，且单晶透过率高、应力双折射低，和单加热器生长的方式相比，能有效提高氟化钙单晶成品率及晶体质量，使晶体更适用于作为准分子激光窗口材料。
一种氟化钙生长方法所用装置

[发明专利]氟化钙光学构件、其制造方法、气体保持容器及光源装置-CN201580010984.4有效
发明人：上原直保;影山元英 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01J61/30 文献下载
摘要：提供一种即便于高温且高压下亦可确实地使用的CaF₂单晶光学构件。氟化钙光学构件(1)由单晶氟化钙形成且具有筒状的形状。单晶氟化钙的{110}结晶面或{111}结晶面与上述筒的中心轴(A)正交。
氟化钙光学构件制造方法气体保持容器光源装置

[发明专利]一种用于生长大尺寸紫外级氟化钙晶体的提拉法单晶炉-CN202310966517.5在审
发明人：刘景峰;洪冬梅;孟春坡 -专利权人：北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于生长大尺寸紫外级氟化钙晶体的提拉法单晶炉，涉及新材料制备技术领域，包括生长直径250‑350mm的氟化钙晶体的设备、提供生长大尺寸氟化钙晶体的热场、稳定生长大尺寸氟化钙晶体的双坩埚结构以及生长氟化钙晶体的工艺本申请通过对热场和设备的重新设计，对核心部件——坩埚的设计和处理以及对氟化钙晶体的生长工艺优化，可以稳定可靠的生长直径250‑350mm的紫外级氟化钙晶体。
一种用于生长尺寸紫外氟化钙晶体提拉法单晶炉

[实用新型]一种氟化钙单晶生长用装置-CN202020260802.7有效
发明人：彭明林;徐悟生;张可生;周方;杨春晖 -专利权人：秦皇岛本征晶体科技有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氟化钙单晶生长用装置，属于新材料制备用装置技术领域，包括封闭的保温筒和设置在保温筒内部的坩埚，保温筒的顶部设有向下延伸的提拉杆，提拉杆与坩埚的底部中心位置相对应，提拉杆远离保温筒顶部的一端设有连接籽晶的连接装置本实用新型结构简单、合理，使用本实用新型的装置生产氟化钙单晶能精准控制籽晶附近温度从而控制籽晶熔接，制备得到的氟化钙单晶无紫外区吸收，且单晶透过率高、位错密度低，和单加热器生长的方式相比，能有效提高氟化钙单晶成品率及晶体质量
一种氟化钙生长装置

[发明专利]一种大尺寸氟化钙单晶生长与在位退火的装置-CN202310121876.0有效
发明人：罗珏典;王涛;谢晓通;扈峻侨 -专利权人：杭州天桴光电技术有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明一种大尺寸氟化钙单晶生长与在位退火的装置，生长装置包括坩埚主体、坩埚盖、坩埚盖内壁的红外反射单元、坩埚盖上的图像采集单元；红外反射单元包括嵌入坩埚盖内壁的多个圆球体，圆球体在控制单元的控制下绕轴心自转，热反射网格是网格状的耐高温热反射涂料；图像采集单元并将采集的图像数据发送给控制单元；控制单元根据图像采集单元的实时图像，计算氟化钙单晶表面的曲率得到多个生长点；控制单元根据生长点与晶体生长控制模型的比较本发明能够通过红外反射单元对生长环境内热量的反射辐照，调整氟化钙单晶的生长，以得出应力更小质量更高的氟化钙单晶。
一种尺寸氟化钙生长在位退火装置

[发明专利]氟化钙晶体的制造方法及原料处理方法-CN98123370.8有效
发明人：水垣勉;木村和生;高野修一 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 1998-12-01 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： C01F11/22 文献下载
摘要：本发明提供了以高效率获得高纯度氟化钙单晶的、氟化钙粉末原料处理方法。通过预先加热处理使粉末粒子表面吸附的杂质气体脱离，可以得到高纯度的粉末，另外，还可以防止单晶制造装置或前处理装置的污染，同时提高生产率。
氟化钙晶体制造方法原料处理

[发明专利]氟化钙生成态单晶-CN200310116494.1无效
发明人：绳田辉彦;仓元信行;柳裕之;福田承生 -专利权人：德山株式会社
申请日： 2003-11-19 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种大直径、小双折射值的氟化钙生成态单晶。本发明的氟化钙生成态单晶用单晶拉制法(Czochralski法)制造，其圆柱形部分直径大于17厘米，圆柱形部分长度较好大于50毫米，双折射值不大于3纳米/厘米，较好为0.1－2.0纳米/厘米。
氟化钙生成态单晶

[发明专利]一种高透光性镁铝尖晶石透明陶瓷的制备方法-CN202211364895.8在审
发明人：章健;李逸;韩丹;赵瑾;王士维;李贵 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C04B35/443 文献下载
摘要：所述高透光性镁铝尖晶石透明陶瓷的制备方法包括：采用铝源和Mg源作为原料，按照铝镁比称取原料，加入氟化钙作为烧结助剂并混合，再经成型得到素坯，最后经过烧结，制备高透光性镁铝尖晶石透明陶瓷；所述氟化钙选自氟化钙粉体和氟化钙单晶颗粒中至少一种
一种透光性镁铝尖晶石透明陶瓷制备方法

[发明专利]基于化学机械抛光和离子束抛光组合工艺的氟化钙单晶超精密加工方法-CN201210394410.X无效
发明人：戴一帆;解旭辉;袁征;周林;彭文强;廖文林 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于化学机械抛光和离子束抛光组合工艺的氟化钙单晶超精密加工方法，包括以下步骤：先采用化学机械抛光方法对氟化钙单晶先进行抛光，去除氟化钙表面的表面损伤和亚表面损伤，露出理想的原子层，获得超光滑的晶体表面；再采用离子束抛光方法对前述步骤获得的超光滑的晶体表面进行面形精度提升，实现纳米级或亚纳米级面形精度和超光滑表面的氟化钙晶体超精密加工。
基于化学机械抛光离子束抛光组合工艺氟化钙单晶超精密加工方法

[发明专利]一种氟化钙单晶的制备方法-CN201811633782.7在审
发明人：徐超;刘晓阳;张钦辉 -专利权人：北京首量科技股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明实施方式公开了一种氟化钙单晶的制备方法，采用双加热器温度梯度炉进行制备，包括以下步骤：再对高温区加热器和低温区加热器同时以30～50℃/小时升温；下降石墨坩埚，待石墨坩埚下降结束后，恒温保持2小时，开始降温，待高温区加热器的温度降至与低温区加热器温度相同后，再对高温区加热器和低温区加热器同时降温，待温度冷却到室温后，得到氟化钙单晶。与现有技术相比，本发明实施方式通过调节高温区加热器和低温区加热器的温度，获得适合氟化钙单晶生长的梯度区，从而精确控制籽晶熔接及单晶生长，抑制不同取向晶核的结晶速率，从而实现大幅提高单晶的成品率，有效降低生产成本的目的
一种氟化钙制备方法

[发明专利]大尺寸氟化钙单晶的生长方法-CN200410093021.9无效
发明人：周国清;董永军;徐军;钱晓波;李晓清;苏凤莲;苏良碧 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2004-12-15 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种大尺寸氟化钙单晶的生长方法，其特征是采用双加热温度梯度炉进行生长，具体步骤包括：①坩埚和生长炉的预烧处理；②晶体生长；③高温原位退火。利用本发明方法生长氟化钙单晶具有大尺寸(直径大于200mm)、位错密度低(＜10⁴cm^－2)、热应力小和均匀性好(Δn＜10^－5/cm)
尺寸氟化钙生长方法

[发明专利]一种氟化钙污泥再生利用及资源化的方法-CN202110163953.X在审
发明人：叶庆龙;丁学锋 -专利权人：叶庆龙;丁学锋
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C01F11/22 文献下载
摘要：一种氟化钙污泥再生利用及资源化的方法，旨在解决氟化钙污泥无法得到合理有效的利用的问题。其技术方案要点是：包括以下步骤：(1)氟化钙湿污泥的收集和储存；(2)蒸汽干燥得到颗粒状氟化钙；(3)颗粒状氟化钙制品的收集和储存；(4)团粒机团粒得到团粒状氟化钙；(5)团粒状氟化钙制品的收集和储存；(6)闪蒸设备微粒化得到粉状氟化钙；(7)粉状氟化钙制品的收集和储存。本发明利用氟化钙湿污泥得到颗粒状氟化钙、团粒状氟化钙和粉状氟化钙，其中颗粒状氟化钙和团粒状氟化钙的氟化钙有效含量可以达到65‑85％，粉状氟化钙的氟化钙有效含量可以达到70‑90％，符合萤石块矿和矿粉使用标准
一种氟化钙污泥再生利用资源方法

[发明专利]一种从氟化钙污泥资源中回收粉状氟化钙制品的方法-CN202110162971.6在审
发明人：丁学锋;叶庆龙 -专利权人：丁学锋;叶庆龙
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C01F11/22 文献下载
摘要：一种从氟化钙污泥资源中回收粉状氟化钙制品的方法，旨在解决氟化钙污泥无法得到合理有效的利用的问题。其技术方案要点是：包括以下步骤：(1)氟化钙湿污泥的收集和储存；(2)蒸汽干燥得到颗粒状氟化钙；(3)闪蒸设备微粒化得到粉状氟化钙；(4)粉状氟化钙制品的收集和储存。本发明将氟化钙湿污泥干燥形成颗粒状氟化钙，并通过闪蒸设备将含水率干燥到1‑3％并经微粒化得到粉状氟化钙，且其中的氟化钙有效含量可以达到70‑90％，符合萤石矿粉的使用标准，可以作为替代萤石矿粉。
一种氟化钙污泥资源回收粉状制品方法

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