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[实用新型]异型骨架结构全绝缘电压互感器-CN201821862338.8有效
发明人：周鹏;汪祝年;王成亮;季辰;李静;马俊鹏;贾泽军;杜桂芬;陈莹;周楠 -专利权人：国网江苏省电力有限公司镇江供电分公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01F27/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异型骨架结构全绝缘电压互感器，包括铁芯、一次绕组、一次骨架、二次绕组、铁芯缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层，所述铁芯由硅钢片叠压而成，所述铁芯外包覆铁芯缓冲层，所述二次绕组绕制在铁芯缓冲层上，所述第一绝缘层包覆于二次绕组外，所述一次骨架根据二次绕组横截面形状制作，使一次绕组、二次绕组之间的绝缘距离保持一致，所述一次绕组绕制在一次骨架上，所述第二绝缘层包覆于一次绕组外。本实用新型一次骨架按铁芯横截面形状仿形制作成异形柱状结构，解决常规普通圆柱形骨架一、二次绕组间绝缘厚度不等、组间场强不均匀的问题。
二次绕组铁芯绝缘层一次骨架一次绕组缓冲层本实用新型电压互感器异型骨架全绝缘包覆绕制硅钢片场强横截面形状铁芯横截面圆柱形骨架绝缘距离不均匀外包覆异形柱叠压绝缘制作

[发明专利]半导体元件的内连线制造方法-CN201810235338.3在审
发明人：李韦坤 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件的内连线制造方法，其包括：首先，提供晶片，其包括绝缘层，其中绝缘层具有至少一凹洞。接着，在绝缘层上形成牺牲材料，其填满至少一凹洞。接着，进行第一次化学研磨，以磨除位于绝缘层上的牺牲材料以及部分绝缘层，并保留位于凹洞内的牺牲材料。之后，移除位于凹洞内的牺牲材料。在移除位于凹洞内的牺牲材料之后，依序在绝缘层上形成阻隔层与金属材料，其中阻隔层形成于凹洞内，而金属材料覆盖绝缘层，并填满凹洞。接着，进行第二次化学研磨，以磨除位于绝缘层上的金属材料，并保留位于凹洞内的金属材料。
绝缘层凹洞牺牲材料金属材料半导体元件化学研磨内连线阻隔层填满移除覆盖绝缘层保留晶片制造

[发明专利]圆柱形二次电池及其制造方法-CN202080011781.8在审
发明人：尹星弼;金东明;成周桓 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2020-01-30 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：根据本公开内容的一个实施方式，提供了一种圆柱形二次电池，在该圆柱形二次电池中具有正极/隔膜/负极结构的电极组件内置在圆柱形电池罐中，该圆柱形二次电池包括：第一绝缘层，第一绝缘层安装在电极组件的上端部处并且具有供电极接片穿过的第一通孔；和第二绝缘层，第二绝缘层安装在第一绝缘层的上端处并且具有与电极组件的中心位置对应形成的第二通孔。
圆柱形二次电池及其制造方法

[实用新型]一种避免器身绝缘层及零屏断裂的包扎结构-CN201621237017.X有效
发明人：金星;王文娣;魏理明;郑维维;孟令;高珊珊 -专利权人：保定天威互感器有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01F27/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种避免器身绝缘层及零屏断裂的包扎结构，属于互感器制造技术领域。技术方案是一次绕组（1）之间设有木垫块（3），木垫块（3）外设有金属夹子（2），一次绕组（1）通过金属夹子（2）固定在一起；一次绕组（1）外的绝缘层采用分段包扎结构，金属夹子（2）处为独立包扎绝缘层一，其下方为独立包扎绝缘层二，零屏铝箔屏（5）位于独立包扎绝缘层二中。本实用新型的积极效果绝缘层不再松脱，零屏铝箔屏不再断裂，彻底消除质量隐患；无需返工修理，缩短生产周期；杜绝材料浪费。
一种避免绝缘断裂包扎结构

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置-CN201310705330.6有效
发明人：姜清华;李小和;李红敏;吴翟;董职福 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制备方法和显示装置，其中阵列基板包括：玻璃基板，在像素显示区域玻璃基板的上方从下向上依次是完全覆盖玻璃基板的公共电极层和绝缘层，不完全绝缘层的栅电极，完全覆盖栅电极的栅绝缘层，栅绝缘层上方设置有源层以及在数据线层上形成位于栅电极两侧的源电极和漏电极。本发明中的阵列基板改变现有制作工艺步骤，首先在玻璃基板上制作一层透明导电薄膜和绝缘层经过一次构图工艺得到公共电层和绝缘层，之后再继续制作栅绝缘层和有源层，在制作过程中只需要四次构图工艺就能形成ADS型阵列基板，比传统技术少一次曝光工艺，提高设备产能，节约成本。
一种阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]二次电池及二次电池的制造方法-CN201711265211.8在审
发明人：直江和明;加贺祐介;尼崎新平;阿部诚;西村悦子;野家明彦 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供性能更好的二次电池及二次电池的制造方法。该二次电池的特征在于，具备负极、正极、绝缘层、及具有担载电解质的孔的结构体，所述负极隔着所述绝缘层地与所述正极交替地层叠，所述结构体被设置在被2个所述绝缘层夹持且与所述正极的边缘的至少一部分对置的区域中，具有与所述绝缘层不同的原材料。
二次电池绝缘层正极负极结构体电解质交替地层担载对置夹持制造

[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示装置-CN202010118718.6有效
发明人：王海涛;刘军;刘宁;王庆贺;汪军;成军 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示装置，包括：衬底基板，位于衬底基板上的触控晶体管和显示晶体管；其中，触控晶体管，包括：层叠设置的第一有源层、第一栅绝缘层和第一栅极；显示晶体管，包括：层叠设置的第二有源层、第二栅绝缘层和第二栅极；第一栅绝缘层的厚度大于第二栅绝缘层的厚度。通过沉积一层较厚的栅绝缘层，再通过半曝光工艺对触控晶体管所在区域的栅绝缘层进行一次刻蚀形成较厚的第一栅绝缘层，并对显示晶体管所在区域的栅绝缘层进行二次刻蚀形成减薄的第二栅绝缘层，有效改善了因栅绝缘层缺失导致的亮点和暗点不良
一种阵列制作方法显示装置

[发明专利]液晶显示装置-CN201510847038.7在审
发明人：杨咏舜 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明提供了一种液晶显示装置，包括一第一基板、一第二基板以及至少一次像素。次像素具有一第一电极、一第一绝缘层、一第二电极、一第二绝缘层及一第三电极，第一电极设置于第一基板，第一绝缘层设置于第一电极上，第二电极设置于第一绝缘层上，第二绝缘层设置于第二电极上，第三电极设置于第二绝缘层上；其中，次像素于一图框区间通过第一电极与第三电极或通过第二电极与第三电极的压差控制液晶层的液晶转动。
液晶显示装置

[发明专利]一种防火抗干扰电缆-CN201711361970.4在审
发明人：吴继达 -专利权人：苏州德特尼罗电子科技有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种防火抗干扰电缆，外包层、外绝缘层、屏蔽层、次外层、护套层、填充腔、隔离层、内绝缘层、电芯和无卤PP绳，所述外包层外侧设有外绝缘层，外绝缘层外侧设有屏蔽层，屏蔽层外侧设有次外层，次外层外侧设有护套层，护套层采用高阻燃无卤聚乙烯制成，所述外包层内侧设有填充腔，填充腔中设有四根电芯和位于电芯外侧的无卤PP绳，电芯外侧设有内绝缘层，内绝缘层外侧设有隔离层，本发明结构简单、合理，防火性能好，而且这种多层无卤材料制成的护套在燃烧时也不会放出有毒气体，另外装置通过屏蔽层和隔离层的设避免了电缆中信号收外部信号干扰，以及保证电缆内部电芯中信号传递的独立性。
一种防火抗干扰电缆

[发明专利]MIM电容的制造方法-CN201710004624.4在审
发明人：肖泽龙 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种MIM电容的制造方法，包括步骤形成由下极板金属层、中间绝缘层和上极板金属层组成的叠层结构；对上极板金属层进行第一次金属刻蚀刻蚀并以中间绝缘层为停止层；以下极板金属层为停止层进行第二次绝缘层刻蚀去除上极板金属层外的中间绝缘层；形成介质抗反射层，介质抗反射层直接和下极板金属层接触；对下极板金属层进行第三次金属刻蚀并形成MIM电容。本发明能消除介质反射层的底部和中间绝缘层接触时中间绝缘层对介质反射层的反射率的波动的影响，从而使得介质抗反射层的反射率保持稳定，最后能够提高下极板金属层的光刻刻蚀的工艺窗口，从而能提高产品良率，能减少第三次金属刻蚀的时间
mim 电容制造方法

[发明专利]过孔的制备方法、阵列基板的制备方法及阵列基板-CN201710117979.4有效
发明人：段献学;宫奎 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：该过孔的制备方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成绝缘层；采用第一次刻蚀工艺刻蚀绝缘层以在绝缘层中形成凹槽；对绝缘层的由凹槽暴露的部分进行离子注入，以形成离子注入区；采用第二次刻蚀工艺刻蚀离子注入区内的绝缘层以形成贯穿绝缘层的过孔该过孔的制备方法利用离子注入工艺，对绝缘层进行离子注入，增大离子注入区内的绝缘层密度，从而避免其被严重侧向刻蚀而产生底切倒角，提高了过孔的质量，保证了过孔的有效性，改善或消除了利用该过孔进行电连接的像素电极与源漏电极层之间接触跨断的不良现象
制备方法阵列

[发明专利]二次电池用衬垫以及二次电池-CN201280075341.4在审
发明人：大竹佑治;清水启介 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01M2/08 文献下载
摘要：本发明提供一种二次电池用衬垫(17)，是设置在电池壳体(5)与将该电池壳体(5)的开口部封口的封口体(10)之间的衬垫。二次电池用衬垫(17)具备：构成电池壳体(5)侧的表层的第1绝缘层(17a)、以及配置在比第1绝缘层(17a)更靠近封口体(10)侧的第2绝缘层(17b)的至少2层。形成第1绝缘层(17a)的第1材料的熔点高于形成第2绝缘层(17b)的第2材料的熔点。
二次电池衬垫以及

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板-CN202210391961.4在审
发明人：马倩;陆炜 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板包括位于基板上的氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层以及源漏极金属层；其中，氧化物半导体层包括沟道区和位于沟道区两侧的导体区，栅极绝缘层分别与沟道区两侧的导体区存在交叠，且栅极对应氧化物半导体层的部分在基板上的正投影落入沟道区在基板上的正投影的范围。本发明基于载流子受到高温成膜的影响会扩散至栅极绝缘层的下方，将层间绝缘层的制作分为两次，在完成第一次层间绝缘层制作后，采用蚀刻工艺形成尺寸较小的栅极，在进行第二次层间绝缘层制作时，随着载流子的扩散，氧化物半导体层的导体区变长
阵列及其制作方法显示面板

[实用新型]一种正极片结构、正极片及二次电池-CN202220285285.8有效
发明人：祝婉侠;张五堂;刘阳 -专利权人：上海兰钧新能源科技有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种正极片结构、正极片及二次电池，涉及电池技术领域。该正极片结构包括主体和绝缘层。绝缘层涂覆在主体上，且绝缘层呈网格状。网格状的绝缘层形成多个网孔，主体用于沿绝缘层被裁切使得每个网孔对应形成一个正极片。该正极片可以由上述正极片结构裁切形成。二次电池采用了上述的正极片。本实用新型提供的正极片结构、正极片及二次电池可以改善现有技术中叠片电芯的生产难以同时兼顾生产效率和生产成本的问题。
一种正极结构二次电池

[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法-CN200810116878.6有效
发明人：侯智;郑载润;郑云友;肖红玺;李伟 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2008-07-18 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：制造方法包括：在基板上依次沉积半导体层、掺杂半导体层和源漏金属薄膜，通过第一次构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；依次沉积第一绝缘层和栅金属薄膜，通过第二次构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形，同时第一绝缘层在漏电极位置形成有绝缘层过孔；沉积透明导电薄膜，第三次构图工艺形成包括像素电极的图形，像素电极通过所述绝缘层过孔与漏电极连接；形成第二绝缘层。本发明提出的三次掩模工艺减少了掩模次数，具有工艺过程简单、成本低、良品率高等优点。
tft lcd 阵列及其制造方法