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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]车桥负压系统、车桥总成及车辆-CN202310665297.2在审
发明人：李根;杨峰;杨刚 -专利权人：湖南中联重科车桥有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： F16H57/029 文献下载
摘要：本发明公开了一种车桥负压系统、车桥总成及车辆，该桥负压系统、车桥总成及车辆包括驱动桥模块和负压模块，驱动桥模块包括封闭的驱动桥内腔和限定出驱动桥内腔的驱动桥壳体，驱动桥壳体上设有第一通孔，负压模块通过第一通孔与驱动桥内腔连通，负压模块能够降低驱动桥内腔中的气压以使得驱动桥内腔中的气压低于驱动桥内腔外部的气压。本发明的车桥负压系统、车桥总成及车辆可靠性好，能有效解决驱动桥渗漏油的问题。
车桥负压系统总成车辆

[实用新型]一种单级减速驱动桥铸钢桥壳-CN201520264687.X有效
发明人：吴有钢;李兆杰;仇海龙;俞海洋;韩娜 -专利权人：安徽安凯福田曙光车桥有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： B60B35/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单级减速驱动桥铸钢桥壳，包括有壳体和后盖，壳体是由桥包和连接于桥包两侧的桥臂组成，桥包和桥臂组成的壳体又分为相对的压应力区和拉应力区；压应力区位于桥包处的壁厚为14mm，压应力区中位于桥臂最外端的壁厚为17mm，压应力区中，桥包与桥臂最外端之间的区域为圆弧过渡结构；拉应力区位于桥包处的壁厚为16mm，拉应力区中位于桥臂最外端的壁厚为20mm，拉应力区中，桥包与桥臂最外端之间的区域为圆弧过渡结构。本实用新型的桥壳设计为不等厚结构，降低了桥壳整体的重量，实现轻量化，降低了加工成本，并通过台架试验进行验证，符合桥壳整体的刚度和受力强度。
一种减速驱动铸钢

[发明专利]基于全桥接口的双有源桥子模块、直流变压器及其控制方法-CN202110580717.8在审
发明人：卓放;张楠;杨景刚;肖小龙;刘瑞煌;郭佳豪;杨騉;袁栋;朱卫平;袁宇波;苏伟;司鑫尧 -专利权人：西安交通大学;国网江苏省电力有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了基于全桥接口的双有源桥子模块、直流变压器及其控制方法，所述直流变压器包括多个级联的基于全桥接口的双有源桥子模块，有源桥子模块包括全桥接口、中压侧DC/AC全桥电路、高频变压器和低压侧DC/AC全桥电路，高频变压器一次侧连接中压侧DC/AC全桥电路，二次侧连接低压侧DC/AC全桥电路，所述中压侧DC/AC全桥电路和所述全桥接口连接。
基于接口有源模块直流变压器及其控制方法

[发明专利]一种带消弧线圈的电力电子变压器及其控制方法-CN201710942213.X有效
发明人：刘进军;欧阳少迪;宋曙光;陈星星;吴宏达;杨悦 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H02M5/458 文献下载
摘要：所述电力电子变压器包括中压级、隔离级与低压级。中压级采用串联H桥结构，每相桥臂由N个H桥变流器串联构成，三相桥臂之间采用星型连接后与中压交流电网连接，三相桥臂的中性点通过电抗器接地；隔离级由3N个双有源全桥变换器构成，每个双有源全桥变换器由两个H桥变流器与一个两端口高频变压器构成，每个双有源全桥变换器一端与中压级的一个H桥变流器连接，另一端与公共低压直流母线连接；低压级采用三相两电平变流器，直流端口与公共低压直流母线连接，交流端口与低压交流电网连接。该电力电子变压器的中压级通过电抗器接地，具备中压侧电网单相接地故障状态下自动消弧功能。
一种弧线电力电子变压器及其控制方法

[发明专利]一种过压保护电路、功率接收器以及电力传输装置-CN202310738538.1在审
发明人：代刚;陈俊晓;刘艳娇 -专利权人：伏达半导体（合肥）股份有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种过压保护电路、功率接收器以及电力传输装置，该过压保护电路中的每一保护支路包括过压检测电路与驱动电路，当整流桥的输入端或整流桥的输出端过压时，过压检测电路向驱动电路发送第一电平信号，使得驱动电路根据第一电平信号驱动整流桥中的上位管或下位管导通，以在整流桥中形成回路，释放过电压能量，保护整流桥，并且，该过压保护电路通过主动导通整流桥中的MOS管的方式释放过电压能量，大大提高了电压受限能力，节省了芯片尺寸。
一种保护电路功率接收器以及电力传输装置

[发明专利]基于等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑-CN201610047404.5在审
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本发明提供基于等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑。半桥/全桥混联MMC自均压拓扑中，半桥/全桥混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/全桥混联MMC拓扑。该半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，具有直流故障箝位能力，不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC的基频调制
基于等式约束辅助电容集中式半桥全桥混联 mmc 拓扑

[发明专利]基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑-CN201610047419.1在审
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本发明提供基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑。半桥/全桥混联MMC自均压拓扑中，半桥/全桥混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/全桥混联MMC拓扑。该半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，具有直流故障箝位能力，不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC的基频调制
基于不等式约束辅助电容集中式半桥全桥混联 mmc 拓扑

[发明专利]基于不等式约束的无辅助电容式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑-CN201610047414.9在审
发明人：赵成勇;刘航;许建中 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本发明提供基于不等式约束的无辅助电容式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑。半桥/全桥混联MMC自均压拓扑中，半桥/全桥混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于不等式约束的无辅助电容式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/全桥混联MMC拓扑。该半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，具有直流故障箝位能力，不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC的基频调制
基于不等式约束辅助电容式半桥全桥混联 mmc 拓扑

[发明专利]基于等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑-CN201610047409.8在审
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本发明提供基于等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑。半桥/全桥混联MMC自均压拓扑中，半桥/全桥混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/全桥混联MMC拓扑。该半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，具有直流故障箝位能力，不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC的基频调制
基于等式约束辅助电容分布式全桥混联 mmc 拓扑

[发明专利]基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑-CN201610047425.7在审
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：本发明提供基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑。半桥/全桥混联MMC自均压拓扑中，半桥/全桥混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/全桥混联MMC拓扑。该半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，具有直流故障箝位能力，不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC的基频调制
基于不等式约束辅助电容分布式全桥混联 mmc 拓扑

[实用新型]基于不等式约束的无辅助电容式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑-CN201620068880.0有效
发明人：赵成勇;刘航;许建中 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本实用新型提供基于不等式约束的无辅助电容式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑。半桥/全桥混联MMC自均压拓扑中，半桥/全桥混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于不等式约束的无辅助电容式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/全桥混联MMC拓扑。该半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，具有直流故障箝位能力，不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC的基频调制
基于不等式约束辅助电容式半桥全桥混联 mmc 拓扑

[实用新型]基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑-CN201620068898.0有效
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本实用新型提供基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑。半桥/全桥混联MMC自均压拓扑中，半桥/全桥混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/全桥混联MMC拓扑。该半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，具有直流故障箝位能力，不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC的基频调制
基于不等式约束辅助电容分布式全桥混联 mmc 拓扑

[实用新型]基于等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑-CN201620068869.4有效
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本实用新型提供基于等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑。半桥/全桥混联MMC自均压拓扑中，半桥/全桥混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/全桥混联MMC拓扑。该半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，具有直流故障箝位能力，不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC的基频调制
基于等式约束辅助电容分布式全桥混联 mmc 拓扑

[实用新型]基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑-CN201620068892.3有效
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑。半桥/全桥混联MMC自均压拓扑中，半桥/全桥混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/全桥混联MMC拓扑。该半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，具有直流故障箝位能力，不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC的基频调制
基于不等式约束辅助电容集中式半桥全桥混联 mmc 拓扑

[实用新型]基于等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑-CN201620068861.8有效
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本实用新型提供基于等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑。半桥/全桥混联MMC自均压拓扑中，半桥/全桥混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/全桥混联MMC拓扑。该半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，具有直流故障箝位能力，不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC的基频调制
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