专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]等离子体增强化学气相沉积制备方氮化及其化结构的方法-CN201610635718.7有效
  • 孙正宗;巴坤 - 复旦大学
  • 2016-08-05 - 2019-06-21 - C23C16/34
  • 本发明属于方氮化(h‑BN)及其化结构制备技术领域,具体为一种等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备方氮化及其化结构的方法。本发明以铜箔为基底,以固态烷氨络合物为源和氮源,利用等离子体增强化学气相沉积法制备方氮化化结构,具体步骤包括:将基底和烷氨络合物置于石英舟中,然后置入等离子体增强化学气相沉积系统中,抽真空;将反应炉加热到相应温度,通入气体,然后将基底移动到炉子中心;调节系统压力,进行热处理;生长方氮化及其化结构;冷却到室温。本发明工艺简单,操作简便,可控性强,并且能够实现对方氮化及其化结构带隙的连续调控。
  • 等离子体增强化学沉积制备氮化及其结构方法

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