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- [发明专利]微电子传感器设备-CN200880123020.0有效
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D·J·W·克伦德
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皇家飞利浦电子股份有限公司
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2008-12-18
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2010-12-08
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G01N21/64
- 本发明涉及一种用于在介质中的用于包含靶成分的检测体积中响应于入射辐射而提供消逝辐射的光学设备,该检测体积具有至少一个小于衍射极限的平面内维度(W1)。衍射极限由辐射波长和介质限定。消逝辐射由具有小于衍射极限的最小平面内孔隙维度W1的孔隙限定结构提供。检测体积在所述孔隙限定结构之间提供。此外,孔隙限定结构限定了最大平面内孔隙维度W2;其中所述最大平面内孔隙维度大于衍射极限。提供了一种源,其用于发射在光学设备处入射的具有一定波长且具有不平行于平面外法线方向的入射方向的辐射束,以便响应于光学设备处入射的辐射而在检测体积中提供消逝辐射。入射平面平行于最大平面内孔隙维度。
- 微电子传感器设备
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