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[发明专利]硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构-CN200510086312.X无效
发明人：许兴胜;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：一种硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构，包括：一绝缘体硅材料；一二维光子晶体，该二维光子晶体制作在绝缘体硅材料的上面，位于绝缘体硅材料的中间部分处；一二维光子晶体微腔，该二维光子晶体微腔形成在二维光子晶体的中心处；一P型硅，该P型硅制作在绝缘体硅材料上面的一侧，位于二维光子晶体的一边；一N型硅，该N型硅制作在绝缘体硅材料上面的另一侧，位于二维光子晶体的另一边。本发明二维光子晶体微腔硅基拉曼激光器的结构，该拉曼激光器结构紧凑，模体积小，阈值低，便于与其他器件的集成。
光子晶体微腔拉曼激光器结构

[发明专利]一种掺铒硅量子点晶体材料、其制备方法及应用-CN202211217178.2有效
发明人：皮孝东;王坤;何强;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-10-01 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铒硅量子点晶体材料、其制备方法及应用。本发明的掺铒硅量子点晶体材料的尺寸为3～5nm，其表面包含烷烃配体，所述掺铒硅量子点晶体材料为金刚石结构的晶体，所述掺铒硅量子点晶体材料晶格内的Er3+浓度≥1×1018 cm‑3，所述掺铒硅量子点晶体材料晶格内的Er3+全部具有光学活性，所述掺铒硅量子点晶体材料（111）晶面的晶面间距为0.315～0.320 nm。对掺铒硅量子点晶体材料进行氢化硅烷化表面改性处理后，掺铒硅量子点晶体材料双发射的中心波长的差值Δλ≥710 nm，并实现了一种掺铒硅量子点晶体材料的晶体材料。
一种掺铒硅量子晶体材料制备方法应用

[发明专利]一种荧光材料及其制备方法和应用-CN201210332383.3有效
发明人：关敏;毕海鹏;王足远;卜少华;黄铃;杨力 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司北京化工研究院
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：本发明提供了一种荧光材料，其中，所述荧光材料含有有序介孔有机硅材料和改性的硅纳米晶体，所述改性的硅纳米晶体通过将硅纳米晶体与通式为R1Si(OR2)3的硅烷化合物进行硅氢化反应而制得。本发明还提供了一种荧光材料的制备方法，该方法包括：在有机溶剂的存在下，将改性的硅纳米晶体与有序介孔有机硅材料混合接触，所述改性的硅纳米晶体通过将硅纳米晶体与通式为R1Si(OR2)3的硅烷化合物进行硅氢化反应而制得本发明还提供了所述荧光材料作为药物传导载体的应用。本发明的所述荧光材料具有荧光特性，具有较强的抗光致褪色的能力，而且还具有较好的药物缓释性能。
一种荧光材料及其制备方法应用

[发明专利]具有碳涂覆宏观孔的硅的阳极的电池-CN201880031460.7有效
发明人：宋敏圭;车永焕 -专利权人：华盛顿州立大学
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01M4/00 文献下载
摘要：本文公开了适合用作阳极材料的硅材料及其相关的生产方法。在一实施例中，硅材料包括基质中的晶体硅和分布在晶体硅的基质中的宏观孔。宏观孔可以具有大于100纳米的尺寸，并且宏观孔的晶体硅的表面涂覆有碳。
具有碳涂覆宏观阳极电池

[发明专利]掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法-CN201410581435.X有效
发明人：张丽平;孟凡英;刘正新 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法，所述用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜的制备方法包括步骤：提供一晶体硅衬底，采用化学气相沉积工艺于所述晶体硅衬底表面沉积掺氧非晶硅锗薄膜本发明通过调节反应气体流量中氧和锗浓度可以得到带隙连续可调的致密掺氧非晶硅锗薄膜材料，该材料利用氧、锗元素可以抑制界面外延和调节材料带隙的作用，实现空穴载流子的有效收集，从而有效提高异质结晶体硅太阳电池的效率
掺氧非晶硅锗薄膜结晶体太阳能电池制备方法

[发明专利]一种晶体硅/氧硅/碳包覆复合负极材料及其制备方法-CN201910526701.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：金雪莉
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于高容量锂离子电池材料的技术领域，涉及一种晶体硅/氧硅/碳包覆复合负极材料，所述晶体硅/氧硅采用湿法球磨亚微米硅制得，其内芯为晶体硅，外层为氧硅，所述晶体硅/氧硅的中值粒径D50为0.16μm‑本发明还提供了其制备方法，经过湿法球磨、混合碳化材料、高温碳化等步骤制备完成。本发明提供的内芯为亚微米晶体硅，外表包覆氧硅层，再在氧硅层外包覆碳的复合材料，满足工业化应用的四个条件，首次放电比容量高，首次库伦效率高，循环性能高以及工业化成本低。
氧硅晶体硅制备复合负极材料湿法球磨碳包覆高容量锂离子电池首次放电比容量首次库伦效率工业化成本工业化应用高温碳化碳化材料微米晶体循环性能中值粒径含氧量复合材料外包覆包覆硅制内芯优选

[发明专利]一种光子晶体增强的ZnO/PSM发光材料的制备方法-CN201510221725.8无效
发明人：张红燕;刘丛;贾振红 -专利权人：新疆大学
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： C09K11/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种光子晶体增强的ZnO/PSM发光材料的制备方法，该方法包括一维多孔硅光子晶体的制备和氧化、ZnO溶胶的制备、一维多孔硅光子晶体的溶胶浸润和高温退火等步骤。优选地，在光子晶体增强的纳米ZnO/PSM发光材料制备的步骤中还包括一维多孔硅光子晶体制备中单晶硅的优选和制备工艺参数优化的步骤，经过上述处理可得到光子晶体增强的ZnO/PSM发光材料。
一种光子晶体增强 zno psm 发光材料制备方法

[发明专利]一种荧光材料及其制备方法和应用-CN201210332291.5有效
发明人：毕海鹏;关敏;李传清;于国柱;李建成;刘天鹤 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司北京化工研究院
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：本发明提供了一种荧光材料，其中，所述荧光材料含有介孔材料和改性的硅纳米晶体，所述改性的硅纳米晶体通过将硅纳米晶体与通式为R1Si(OR2)3的硅烷化合物进行硅氢化反应而制得，其中，R1为烯基，R2为取代或未取代的烷基本发明还提供了一种荧光材料的制备方法，该方法包括：在有机溶剂的存在下，将改性的硅纳米晶体与介孔材料混合接触，所述改性的硅纳米晶体通过将硅纳米晶体与通式为R1Si(OR2)3的硅烷化合物进行硅氢化反应而制得本发明还提供了所述荧光材料作为药物传导载体的应用。本发明的所述荧光材料具有荧光特性，具有较强的抗光致褪色的能力，而且还具有较好的药物缓释性能。
一种荧光材料及其制备方法应用

[发明专利]一种光伏晶体硅加工废料改性聚丙烯材料及其制备方法-CN201610319859.8在审
发明人：刘银;高烨华;蒋美义;王厚东 -专利权人：安徽理工大学;淮南市金德实业有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明公开一种光伏晶体硅加工废料改性聚丙烯材料及其制备方法,属于太阳能光伏晶体硅加工废弃物综合利用领域。光伏晶体硅加工废料改性聚丙烯材料包含以下重量份数的原料：聚丙烯80～90份，光伏晶体硅加工废料10～20份，偶联剂2～4份，润滑剂1～2份，抗氧化剂1～2份。使用光伏晶体硅加工废料改性聚丙烯材料，不仅可以改善聚丙烯材料的不足，而且大大降低了改性聚丙烯材料的成本，对开展光伏晶体硅加工废料的资源化利用研究具有十分重要的意义。采用本发明的方法改性的聚丙烯材料提高了聚丙烯材料的力学性能及耐热性能，具有高韧性、成型收缩率大、刚性强度大等优点。
一种晶体加工废料改性聚丙烯材料及其制备方法

[发明专利]晶体硅及其制备方法-CN201610221223.X有效
发明人：邓浩;付楠楠;王向东 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明的晶体硅材料包括硅、镓及元素X，所述元素X的浓度为10¹⁰～10¹⁶原子/立方厘米。利用如上所述的晶体硅制造的太阳能电池，转换效率大于20％。本发明还提供如上所述的晶体硅的制备方法。本发明的晶体硅材料利用镓元素替代现有的P型晶体硅中的硼元素，可以避免硼氧复合体的生成，从而降低光致衰减作用。并且，掺杂的元素X通过下转换作用，能够有效的提高硅材料对紫外波段光的利用率，利用该晶体制得的太阳能电池显著提高了转换效率。
晶体及其制备方法

[发明专利]一种在晶体硅单面制备硅尖的膏体材料-CN201010110287.5无效
发明人：蒋劼 -专利权人：蒋劼
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C23F1/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种在晶体硅单面制备硅尖的膏体材料。本发明利用晶体硅各向异性腐蚀的特性机理，提出一种非牛顿型的膏体材料，包括重量百分数分别为5％-60％，5％-35％和20％-60％的碱性物质、隔离屏蔽剂和有机溶剂。本发明的膏体材料组分简单，制备方便，效果好，可在晶体硅单面制备均匀致密(高度≤1μ)的硅尖列阵，从而成倍增加晶体硅的表面面积，降低硅基材料的厚度，实现了单面制程，为晶体硅片的减薄提供了实现的基础；而且实验发现，通过控制膏体的溶质含量(20％-80％)可实现硅尖列阵的大小分布，制备方法简单方便，易于控制；另外利用本发明的膏体材料制备硅尖，可大大节约成本、降低能耗、减少对环境的污染。
一种晶体单面制备材料

[发明专利]脊形波导与二维光子晶体相结合的硅基拉曼激光器结构-CN200510011900.7无效
发明人：许兴胜;王春霞;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：一种脊形波导与二维光子晶体相结合的硅基拉曼激光器结构，包括：一SOI材料；一脊形波导，该脊形波导做在SOI材料上；一P型硅，该P型硅制作在脊形波导的一侧边；一N型硅，该N型硅制作在脊形波导的另一侧边；一光子晶体后端反射镜，该光子晶体后端反射镜位于脊形波导的后端，刻蚀在SOI材料上；一光子晶体前端反射镜，该光子晶体前端反射镜位于脊形波导的输入端，刻蚀在SOI材料上；该光子晶体前端反射镜和光子晶体后端反射镜和脊形波导组成激光器的谐振腔，光子晶体对光起到全反射镜的作用。
脊形波导二维光子晶体相结合硅基拉曼激光器结构

[发明专利]精制硅的方法、设备和获得的硅晶体-CN201010280201.3无效
发明人：赵钧永 -专利权人：赵钧永
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及精制硅的方法，即从较低纯度的硅获得较高纯度的硅的方法，以及实施该方法的设备和根据该方法获得的硅晶体。适用于从各种纯度的硅或含硅材料制取半导体和光伏领域应用的高纯硅材料或硅晶体。现有的精制硅的方法，存在着能耗大、生成环境危害因子、成本高、工艺复杂、投资大等问题，本发明采用硅籽晶与硅材料和熔剂熔化制成的含硅熔体接触，使硅自熔体中沿籽晶表面结晶析出，得到纯化的硅晶体，经进一步除去熔剂杂质，获得适合于半导体和光伏领域应用的高纯硅或硅晶体。
精制方法设备获得晶体

[发明专利]复式结构光子晶体可调谐振腔的太赫兹波调制器及调制方法-CN201010568911.6有效
发明人：陈鹤鸣;李陶德瑾 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明是一种复式结构光子晶体可调谐振腔的太赫兹波调制器，尤其是一种可调谐缺陷模型光子晶体太赫兹波调制器。其中复式结构正方晶格硅光子晶体(1)由简单结构的圆形硅介质柱正方晶格光子晶体、正方形硅介质柱正方晶格光子晶体嵌套而成，是沿X-Z平面周期性分布的介质柱型硅光子晶体。介质柱材料为硅，背景材料为空气；波导区(2)位于正方晶格复式结构光子晶体(1)的两端，由移去了正方晶格复式结构光子晶体的两排对称交替的圆、方形硅介质柱构成的线缺陷(但两线缺陷不相通)组成。点缺陷谐振腔(3)是由光控可调谐材料砷化镓构造圆形介质柱形成。
复式结构光子晶体可调谐振腔赫兹调制器调制方法

[发明专利]无机体相多结材料及其制备方法-CN200980137196.6有效
发明人： T·汉拉兹;J·R·恩斯特伦 -专利权人：康奈尔研究基金会股份有限公司
申请日： 2009-08-10 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/0384 文献下载
摘要：本发明揭示一种纳米结构的复合材料，该复合材料包含在晶体半导体基质中的半导体纳米晶体。合适的纳米晶体包括硅、锗和硅‑锗合金，以及铅盐如PbS、PbSe和PbTe。合适的晶体半导体基质材料包括Si和硅‑锗合金。本发明还揭示一种制备纳米结构的复合材料的方法。本发明还揭示包含纳米结构的复合材料的装置。
机体相多结材料及其制备方法

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