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[发明专利]一种无铅高储能铁电材料及其应用-CN201510614167.1有效
发明人：高志鹏;张涛;韩旭;刘高旻;刘雨生;贺红亮 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铅高储能铁电材料及其应用，目的在于解决现有的铁电陶瓷主要为强污染的PZT体系材料，而鲜有其他可用于高压换能的铁电材料的问题。该无铅高储能铁电材料的化学式为(1‑x)(Bi0.5Na0.5)TiO3‑xBiAlO3，x为0.01~0.09。本发明的无铅高储能铁电材料在直流外电场的作用下能极化储存电荷能量，而极化后在高压冲击作用下，能释放出发大电流的脉冲信号。本发明开发一种新的铁电陶瓷材料的储能应用，对于冲击放电材料的认知是全新的拓展，具有重要的意义和较好的应用前景。
一种无铅高储能铁电材料及其应用

[发明专利]一种缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷及其制备方法-CN202310189031.5在审
发明人：郭艳艳;张左;樊奕;胡海威 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷，该陶瓷的化学式为AgNbxTa0.1O0.5+2.5x本发明还公开一种缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷制备方法。本发明提供的一种缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷及其制备方法，通过在铌位掺杂10％Ta5+的基础上，减少Nb5+的含量，制备出的高储能铌酸银基陶瓷兼具高储能密度(6.1J/cm3)、高储能效率(62％)、高击穿电场(317kV/cm)、高极化强度(54μC/cm2)的优势，能够降低掺杂离子的掺杂量，减少材料浪费，同时能够显著提高反铁电陶瓷储能性能。
一种缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷及其制备方法

[发明专利]钛酸锶铋基无铅弛豫铁电薄膜、制备方法及应用-CN202211085287.3有效
发明人：罗进;周晋锋;吕忆农;刘云飞 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供一种钛酸锶铋基无铅弛豫铁电薄膜、制备方法及其应用，通过溶胶‑凝胶法在钛酸锶铋基中引入钛酸钡铁电材料，提高材料的介电常数以及致密度，进而提高材料的储能性能，在此基础上，结合引入Mn元素，使得材料的击穿场强提升，使材料的P‑E曲线变得纤细，大大提高了钛酸锶铋基无铅弛豫铁电薄膜的储能密度和储能效率，在不同电场下都能保持高储能密度和高储能效率。
钛酸锶铋基无铅弛豫铁电薄膜制备方法应用

[发明专利]一种无铅弛豫铁电高储能密度陶瓷材料及其制备方法-CN202211407274.3有效
发明人：陈骏;祁核;刘观富;张智飞 -专利权人：北京科技大学广州新材料研究院
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供一种无铅弛豫铁电高储能密度陶瓷材料及其制备方法，属于功能陶瓷材料技术领域，所述无铅弛豫铁电高储能密度陶瓷材料的化学通式为[(1‑x)NaNbO3‑xBa:Sub>和Mn掺杂进NaNbO3基体中，NaNbO3陶瓷由(反)铁电体转变为弛豫铁电体且晶粒得到细化，使得所制备的无铅弛豫铁电高储能密度陶瓷材料的剩余极化大幅度减小以及击穿场强得到大幅度提高，得到大储能密度和高储能效率的陶瓷材料。
一种无铅弛豫铁电高储能密度陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种无铅高熵铁电薄膜及其制备方法和应用-CN202211625444.5在审
发明人：郑广平;杨文韬 -专利权人：佛山仙湖实验室
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明属于薄膜材料技术领域，公开了一种无铅高熵铁电薄膜及其制备方法和应用。本发明利用溶胶凝胶法制备厚度可控的无铅高熵铁电薄膜，溶胶凝胶法具有工艺简单，设备要求低，生产成本低，成膜效率和均匀性好的优点，可适用大面积制膜；而且溶胶凝胶法制备的材料对化学组分的比例易控制，可通过分子结构工程对材料进行设计，特别适合制备无铅高熵铁电薄膜多组元材料。本发明制得的无铅高熵铁电薄膜，具有超高击穿场强和良好的温度稳定性，其所能承受的击穿电场强度可大于8MV/cm，储能密度可达5.88J/cm3，储能效率可达93％，可在‑55‑200℃条件下正常工作，并具有较大介电常数和较小介电损耗。
一种无铅高熵铁电薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷及其制备方法-CN201510301633.0有效
发明人：袁昌来;周星星;冯琴;杨涛;周昌荣;许积文;黎清宁;陈国华 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er，Y先采用传统粉体合成技术合成Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3粉体，然后采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷本发明制备的具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度介于0.5~1.5 J/cm3之间。
一种具有高储能密度 rex ba0 06 bi0 47 na0 xti1 xrxo3

[发明专利]一种无铅反铁电体与聚合物共混的电介质材料制备方法-CN202010254663.1有效
发明人：汶飞;杨平安;李丽丽;吴薇;徐卓;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铅反铁电体与聚合物共混的电介质材料制备方法。本发明制备得到的电介质材料由聚合物和分散在聚合物中的无铅反铁电粒子——钛酸铋钠‑钛酸锶钡组成；所述的无铅反铁电粒子通过固相法合成。所述的无铅反铁电粒子通过加入偶联剂进行改性。采用流延法制备得到复合薄膜材料，其中无铅反铁电粒子的质量分数是1～50％，所得的薄膜厚度为5～30微米。本发明采用的反铁电粒子是无铅的，对环境和人体身体健康友好。本发明制备的复合薄膜材料击穿场强400MV/m，储能密度高达15.3J/cm3；是一种可用于电容器、大功率静电储能材料。
一种无铅反铁电体聚合物电介质材料制备方法

[发明专利]一种铌酸钠基无铅弛豫反铁电储能陶瓷电容器及其制备方法-CN202310230251.8在审
发明人：郭艳艳;樊奕;张左;胡海威;赵江 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钠基无铅弛豫反铁电储能陶瓷电容器，所述无铅弛豫反铁电储能陶瓷的化学式为(1‑x)[0.76NaNbO3‑0.24(Bi0.5本发明还公开一种铌酸钠基无铅弛豫反铁电储能陶瓷电容器制备方法。本发明提供的一种铌酸钠基无铅弛豫反铁电储能陶瓷电容器及其制备方法，通过在0.76NaNbO3‑0.24(Bi0.5NaCaZrO3来中和Na+和Bi3+的挥发，进一步的提高NN体系的反铁电性能，储能密度和储能效率，制备出的铌酸钠基无铅弛豫反铁电储能陶瓷电容器的极化强度为78μC/cm2，储能密度为2.4J/cm3，击穿场强为215kV
一种铌酸钠基无铅弛豫反铁电储能陶瓷电容器及其制备方法

[发明专利]一种铁电薄膜电容器及其制备方法-CN202110615418.3在审
发明人：唐振华;姚帝杰;李泽丽;胡松程;张莉;唐新桂;刘秋香 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及一种铁电薄膜电容器及其制备方法。本发明公开了一种铁电薄膜电容器，该铁电薄膜电容器中使用无铅、对环境友好的铁酸铋(BFO)掺杂的钛酸铋钠‑钛酸钡(NBT‑BT)薄膜，有利于后续电子器件的回收与再利用；该薄膜材料的使用使铁电薄膜电容器获得高的放电能量密度与储能效率，其储能性能表现出高温稳定性，通过充放电特性表明薄膜电容器具有更快的微秒放电和较大的介电强度，有望成为一种环保型无铅材料，可用于储能电容器的应用。
一种薄膜电容器及其制备方法

[发明专利]一种高储能密度无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法-CN201710985083.8在审
发明人：周开珍 -专利权人：周开珍
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供一种高储能密度无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法，属于储能陶瓷技术领域。Li0.38Na0.12Si0.46Y0.72Nb0.3O3·xBi0.53Na0.44TiO3配料和进行球磨，球磨后进行造粒，接着在模具中压制成型，再经排胶处理后在1230‑1320℃下烧结，得到本发明的高储能密度无铅反铁电陶瓷材料本发明的制备方法简单，所得的无铅陶瓷材料的具有较高的储能密度和效率。
一种高储能密度无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高储能效率铁电聚合物基电介质薄膜、及其制备方法和用途-CN201710955078.2有效
发明人：曾一;林元华 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01G4/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种高储能效率铁电聚合物基电介质薄膜、及其制备方法和用途。本发明的铁电聚合物基电介质薄膜含有偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物P(VDF‑co‑HFP)和六方氮化硼h‑BN，其中，以体积百分比计，两者的配比为(100‑x)％P(VDF‑co‑HFP)–x％h‑BN，0<本发明的铁电聚合物基电介质薄膜具有高击穿场强、高储能密度以及高储能效率，且无铅环保、具有优异的储能性能，适用于高密度储能领域。
一种高储能效率聚合物电介质薄膜及其制备方法用途

[发明专利]一种低损耗高储能效率铁酸铋基无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法-CN202210355886.6有效
发明人：徐丹;余涛林;赵文杰;赵宏;段晓阳 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C04B35/40 文献下载
摘要：一种低损耗高储能效率铁酸铋基无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法，本发明涉及无铅铁电陶瓷材料领域，具体涉及一种低损耗高储能效率铁酸铋基无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法。本发明的铁酸铋基储能陶瓷材料，在电场强度E200kV/cm时，即可获得储能密度Wrec＝1～2J/cm3，储能效率η85本发明制备铁酸铋基陶瓷材料用于高能量密度和高功率输出的电子设备中。
一种损耗高储能效率铁酸铋基无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种铁电聚合物基电介质薄膜、及其制备方法和用途-CN201710938349.3在审
发明人：曾一;林元华 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电聚合物基电介质薄膜、及其制备方法和用途。本发明的铁电聚合物基电介质薄膜含有偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物P(VDF‑co‑HFP)和无机物AlOOH，其中，以体积百分比计，两者的配比为(100‑x)％P(VDF‑co‑HFP)–x％AlOOH，0&本发明的铁电聚合物基电介质薄膜具有高击穿场强、高储能密度以及高储能效率，且无铅环保、具有优异的储能性能，适用于高密度储能领域。
一种聚合物电介质薄膜及其制备方法用途

[发明专利]铌酸银基无铅反铁电储能陶瓷及其制备方法-CN201610844668.3有效
发明人：李敬锋;赵磊;刘庆 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提出了铌酸银基无铅反铁电储能陶瓷及其制备方法。其中，铌酸银基无铅反铁电储能陶瓷由下列通式所示的化学组成(AgNbO₃)(M_aO_b)_x，其中，M_{aO₃、Cu的氧化物为CuO及Fe的氧化物为Fe₃O₄，x表示M_aO_b占铌酸银无铅反铁电储能陶瓷的质量百分比该铌酸银基无铅反铁电储能陶瓷具有较高的储能性能，其中，AgNbO₃陶瓷的可释放能量密度可以达到1.50～1.70J/cm³，M_aO}
铌酸银基无铅反铁电储能陶瓷及其制备方法

[发明专利]高储能密度低钛锆酸铅基反铁电陶瓷及其制备方法-CN202010407991.0在审
发明人：郝喜红;孟祥俊;李雍;赵烨 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储能密度低钛锆酸铅基反铁电陶瓷及其制备方法，该低钛锆酸铅基反铁电陶瓷材料的化学组成通式为：(Pb0.94La0.04铅基反铁电陶瓷材料可以在1100‑1300℃温度范围内烧结，且本发明制备得到的低钛锆酸铅基反铁电陶瓷材料在室温条件下兼备高相变电场、高击穿电场、高极化强度的特点，并能够具有非常高的储能密度和储能效率，弥补了传统法制备锆酸铅基反铁电陶瓷材料相变电场低、击穿电场低、储能密度低的技术缺陷，拓宽了其在高功率储能材料领域的研发和应用。
高储能密度低钛锆酸铅基反铁电陶瓷及其制备方法

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