“方阻均匀性”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8827806个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]改善方阻均匀性的石英舟-CN201620599396.0有效
发明人：徐义胜;黄浩;衡阳;郑旭然;刑国强 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：一种改善方阻均匀性的石英舟，该石英舟包括两个侧板，侧板上设置有套管，两个侧板之间通过槽棒连接，槽棒上沿其轴向对应于硅片间隔设置有槽齿；所述侧板、槽棒、套管及槽齿上均开设有通孔，其中：所述侧板、槽棒及套管上的通孔朝向石英舟内部设置本实用新型在石英舟实体材料部分增设通孔，增强了扩散炉管内反应气体的流动性，硅片方阻均匀性因而得到改善。
改善均匀石英

[实用新型]改善扩散方阻均匀性的扩散炉-CN201020547743.8无效
发明人：蒋文曲 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及扩散炉技术领域，特别是一种改善扩散方阻均匀性的扩散炉，它包括炉管，炉管上的进气口和尾气管，在进气口设置气流均匀分散器。由于现有扩散设备在扩散过程中，工艺气体直接从炉管尾进气口进入炉管，没有分散，造成炉管内气流不均匀，最终造成扩散后方阻均匀性较差。通过在炉尾进气口添加匀流器，可以有效地改善气流均匀性，最终达到方阻均匀性改善的效果。
改善扩散均匀

[发明专利]一种具有高均匀性的硼扩散方法-CN202210101940.4在审
发明人：林佳继;毛文龙;祁文杰;范伟;卢佳;梁笑 -专利权人：深圳市拉普拉斯能源技术有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高均匀性的硼扩散方法，通过不同压力与温度条件下的沉积，调整BC13在整管内的沉积分布，从而实现更好的均匀性。本发明的硼扩散方法，使得炉口炉尾区域硅片方阻较为均匀，使得炉管整体方阻均匀性得到提升。本发明的方法能够适用于大管径及大长度炉管，使整个炉管中硅片片内方阻与片间方阻均匀性提高。
一种具有均匀扩散方法

[发明专利]一种提高方阻均匀性的装置-CN201310240473.4无效
发明人：许文凤;郭兴刚;钱昆;贾静;吕高龙;陈龙;张满良;梁汉杰 -专利权人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高方阻均匀性的装置，包括位于扩散炉管内的进气球碗，所述进气球碗包括进气端、球碗部分和排气端，所述进气端和球碗部分相互连通，所述排气端呈U型，其一端端口封闭，另一端端口与所述球碗部分连接本发明的装置通过改变扩散炉管内进气球碗的结构，使待扩散物质在进气球碗中混合均匀再将混合均匀的待扩散物质均匀的喷洒到扩散炉管内，通过将待扩散物质在扩散炉管内的均匀性提高，从而实现了扩散方阻片的高均匀性，本发明的装置大大提高了方阻片内的均匀性，即使是高方阻片，方阻片内仍然可以保持高的均匀性。
一种提高均匀装置

[实用新型]一种提高方阻均匀性的装置-CN201320347662.7有效
发明人：许文凤;郭兴刚;钱昆;贾静;吕高龙;陈龙;张满良;梁汉杰 -专利权人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高方阻均匀性的装置，包括位于扩散炉管内的进气球碗，所述进气球碗包括进气端、球碗部分和排气端，所述进气端和球碗部分相互连通，所述排气端呈U型，其一端端口封闭，另一端端口与所述球碗部分连接本实用新型的装置通过改变扩散炉管内进气球碗的结构，使待扩散物质在进气球碗中混合均匀再将混合均匀的待扩散物质均匀的喷洒到扩散炉管内，通过将待扩散物质在扩散炉管内的均匀性提高，从而实现了扩散方阻片的高均匀性，本实用新型的装置大大提高了方阻片内的均匀性，即使是高方阻片，方阻片内仍然可以保持高的均匀性。
一种提高均匀装置

[实用新型]用于改善硅片扩散方阻均匀性的装置-CN201621110679.0有效
发明人：任勇;杨祖佳;何悦;荆斌;王在发 -专利权人：尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于改善硅片扩散方阻均匀性的装置，所述的装置包括支撑框架和载片杆，所述的支撑框架包括相平行的上横梁和下横梁，以及垂直固定于上横梁和下横梁且相平行的左立柱和右立柱，所述的载片杆由平行设置的上载片杆和下载片杆组成采用该装置时，起到缓冲气流的作用，使以解决均匀性差及炉内方阻值波动的问题。
用于改善硅片扩散均匀装置

[实用新型]提高舟内方阻均匀性的石英舟-CN201721364853.9有效
发明人：袁华斌 -专利权人：常州亿晶光电科技有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提高舟内方阻均匀性的石英舟，通过在石英舟上新增与硅片大小、厚度均相等的石英固定隔板，有效解决了石英舟本身结构带来的边缘片扩散后方阻异常现象；通过新增可活动的，大小、厚度与硅片大小、厚度均相等的石英活动隔板，灵活有效解决因应力片、导片机掉片等异常导致不固定位置的新增边缘片扩散后方阻异常现象。
提高舟内方阻均匀石英

[实用新型]一种提升硅片扩散方阻均匀性的装置-CN201320765360.1有效
发明人：许文凤;闫新春;陈龙;郭兴刚;张满良;梁汉杰 -专利权人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提升硅片扩散方阻均匀性的装置，它包括：进气装置、石英管、排废管、匀流板和石英舟，所述的石英管上固设有进气装置，石英管的底部设有排废管，排废管的上部设有匀流板，匀流板的右部设有石英舟，该装置减少了硅片片内方阻梯度，提高扩散方阻的片内均匀性，并通过改善扩散后硅片方阻的均匀性，减小印刷烧结后接触电阻的大小，从而提升电池片效率。
一种提升硅片扩散均匀装置

[实用新型]改善选择发射极轻扩区方阻均匀性结构-CN201420191998.3有效
发明人：李艳 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善选择发射极轻扩区方阻均匀性结构，在相邻的腐蚀药液喷淋装置之间设置有去除残留在电池片上的腐蚀药液的组件。本实用新型在不影响正常工艺的同时，降低掩膜主电极中的方阻，从而改善轻扩区方阻的均匀性，最终提高了太阳能电池的转换效率。
改善选择发射极轻扩区方阻均匀结构

[发明专利]低方阻透明导电薄膜及其制备方法-CN201410835617.5有效
发明人：徐厚嘉;林晓辉;平财明;张永杰 -专利权人：上海蓝沛新材料科技股份有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种低方阻透明导电薄膜及其制备方法，其中，所述低方阻导电薄膜至少包括：透明基材；位于所述透明基材上的具有沟槽的粘接层；位于所述沟槽内的金属化物质；位于所述粘接层及所述金属化物质上的高分子导电层本发明的低方阻透明导电薄膜，结构简单，环保高效，且成本较低，方阻可低至10Ω/□以下，导电性、调色更均匀，可广泛应用在触控式面板、液晶显示器、太阳能电池、LED等屏幕显示领域，也可应用于电磁波屏蔽材料中本发明的低方阻透明导电薄膜的制备方法，工艺简单，成本较低，且制备得到的透明导电薄膜的方阻更低，导电性、调色更均匀。
低方阻透明导电薄膜及其制备方法

[实用新型]一种选择性制绒晶硅太阳能电池-CN201520522567.5有效
发明人：方结彬;秦崇德;石强;黄玉平;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2015-07-18 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种选择性制绒晶硅太阳能电池，包括正电极、减反膜、N型发射极、P型硅、铝背场和背电极；所述减反膜、所述N型发射极、所述P型硅、所述铝背场和所述背电极依次层叠设置；所述N型发射极设有非均匀浓度的高方阻磷掺杂区域及均匀浓度的高方阻磷掺杂区域，正电极穿透减反膜与所述均匀浓度的高方阻磷掺杂区域相接形成欧姆接触。与现有技术相比，本实用新型由于N型发射极设有非均匀浓度的高方阻磷掺杂区域及均匀浓度的高方阻磷掺杂区域，正电极穿透减反膜与所述均匀浓度的高方阻磷掺杂区域相接形成欧姆接触，具有能明显减少硅片表面的少子复合区域
一种选择性制绒晶硅太阳能电池

[发明专利]一种新型扩散方法-CN202111359969.4在审
发明人：林佳继;祁文杰;梁笑;范伟;毛文龙;卢佳 -专利权人：深圳市拉普拉斯能源技术有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型扩散方法，在炉管进气端增加匀流装置，使得气体进入炉管后被均匀打散，避免气流直接对硅片进行冲击，改善了炉尾上中下的片间差异。本发明通源时在近出气口处补充氮气，稀释掺杂源，将气体混合并推动，改善了局部掺杂源的浓度差异，提高了硅片方阻均匀性，可以在不改变现有的排气结构下改善排气管进口位置片间的均匀性，且对其他舟内的方阻无影响，可实现单独调控区域方阻
一种新型扩散方法

[发明专利]双次扩散选择性发射结硅太阳能电池的扩散工艺-CN201010294742.1无效
发明人：王庆钱;张映斌;徐华浦 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及硅太阳能电池的技术领域，尤其是一种双次扩散选择性发射结硅太阳能电池的扩散工艺：将清洗好的硅片放入炉中，温度升温，向炉内通入氧气、氮气和三氯氧磷，进行扩散；停止通入三氯氧磷，继续通入氧气和氮气，本发明使通常在低表面浓度的情况下，方阻不均匀的情况，得到了很大的改善，解决了低浓度掺杂扩散工艺中，既要保证硅片表面低的浓度，又要保证良好的方阻均匀性的问题，轻掺杂扩散工艺表面浓度要求在1E20-5E20Atom/cm2，结深在0.2-0.35μm，采用通常的扩散工艺，其方阻均匀性在15％左右，而通过本发明的技术方案，其方阻均匀性在8％以内，通过太阳能电池片的验证，其电性能良率从95％提升至99.5％。
扩散选择性发射太阳能电池工艺

[发明专利]晶体硅太阳能电池的扩散工艺-CN201510162408.3有效
发明人：任常瑞;陈培良;杨立功;孙霞 -专利权人：常州时创能源科技有限公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，包括炉管扩散步骤，在炉管扩散之前，通过光照快速热处理，对硅片进行氧化处理，在硅片表面生成一层均匀的氧化膜。本发明晶体硅太阳能电池的扩散工艺，能在硅片制绒后、磷或硼原子沉积前形成一层均匀氧化层，从而提高扩散后p‑n结的均匀性，从而提升硅片方阻的片内和片间均匀性，有效提高电池效率；且当扩散方阻提升至90Ω/□以上时，方阻均匀性也能有效控制；同时，该均匀氧化层有效的保护了制绒绒面，防止硅片被空气中的颗粒或是人为接触形成污染；而且氧化过程中可以预清理掉制绒时添加剂带来的有机物残留。
晶体太阳能电池扩散工艺

[发明专利]一种提高方阻均匀性的发射极制备方法-CN201911328455.5在审
发明人：邱家梁;黄惜惜;周肃;黄国平;李菁楠 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高方阻均匀性的发射极制备方法，硅片预处理后在硅片表面沉积一层掺磷(硼)氧化硅层；PN结制备时，利用扩散炉不添加掺杂气源进行高温扩散。本发明通过在硅片表面沉积一层掺磷(硼)的氧化硅层，此过程中，形成的氧化硅层具有优异的均匀性，为后续步骤提供了更加均匀的前提，使用扩散炉进行高温扩散，不添加掺杂气源，利用均匀的掺磷(硼)氧化硅层，实现高均匀性方阻
一种提高均匀发射极制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条