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[发明专利]抛光浆料和通过使用抛光浆料抛光基板的方法-CN201910183579.2有效
发明人：赵玹辰;裵俊和;秋秉权;曹雨辰;朴珍亨 -专利权人：三星显示有限公司;优备材料有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及抛光浆料和使用抛光浆料抛光基板的方法。抛光浆料包括研磨材料、第一氧化物抛光促进剂、第一氮化物抛光抑制剂和第二氮化物抛光抑制剂。该第一氧化物抛光促进剂包括聚合物类氧化物抛光促进剂。该第一氮化物抛光抑制剂包括阴离子氮化物抛光抑制剂。该第二氮化物抛光抑制剂包括选自阳离子氮化物抛光抑制剂和非离子氮化物抛光抑制剂中的至少一种。
抛光浆料通过使用方法

[实用新型]抛光设备-CN202122531966.6有效
发明人：高晨翔 -专利权人：东莞溪河精密技术有限公司;广东长盈精密技术有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种抛光设备，包括机台以及设于所述机台上的载物台、第一抛光轮、第二抛光轮及抛光驱动机构，所述载物台用于承载待抛光物料，所述第一抛光轮的轴线与所述载物台平行，所述第二抛光轮的轴线与所述载物台垂直，所述抛光驱动机构用于驱动所述第一抛光轮与所述第二抛光轮同步转动；所述第一抛光轮转动时可对承载在所述载物台上的待抛光物料的正面进行抛光；所述第二抛光轮转动时可对承载在所述载物台上的待抛光物料的侧面进行抛光该抛光设备通过抛光驱动机构使第一抛光轮与第二抛光轮对承载在所述载物台上的待抛光物料的正面及侧面同时进行抛光，达到提升抛光效率的目的。
抛光设备

[实用新型]一种清洗抛光设备-CN201420585810.3有效
发明人：安德鲁·詹姆斯·巴克利 -专利权人：葳玛机械（新西兰）有限公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： A23N12/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种清洗抛光设备，所提供的清洗抛光设备包括机架(1)、清洗抛光滚筒(2)、螺旋输送器(10)和第三驱动装置；清洗抛光滚筒(2)设置在机架(1)上；螺旋输送器(10)设置在清洗抛光滚筒(2)内，用于将清洗抛光物自清洗抛光滚筒(2)的清洗抛光物入口(24)向清洗抛光物出口(21)输送；第三驱动装置用于驱动螺旋输送器(10)。本实用新型提供的清洗抛光设备在背景技术所述的清洗抛光设备的基础之上进行改进，螺旋输送器起到辅助输送清洗抛光物的目的，能够避免个别清洗抛光物长时间被困在清洗抛光滚筒中的情况发生，进而能够避免清洗抛光物被损坏的情况发生
一种清洗抛光设备

[发明专利]半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法-CN202180083215.2在审
发明人：朴韩址;韩德洙;权璋国;洪承哲 -专利权人： SK恩普士有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光用组合物的半导体器件的制造方法，具体地，涉及可用于抛光非晶质碳膜(ACL，Amorphous carbon layer)的抛光组合物，所述抛光组合物可以对非晶质碳膜表现出高抛光速率，并且在45℃以上不出现抛光速率降低的问题，长时间储存稳定性增加，并能防止抛光工艺中产生的碳残留物(Carbon residue)吸附在半导体基板上，还能防止抛光垫的污染。此外，本发明还能够提供一种适用半导体工艺用抛光组合物的半导体器件的制造方法。
半导体工艺抛光组合制备方法以及适用半导体器件制造

[发明专利]抛光浆料组合物-CN202111553199.7在审
发明人：黄珍淑;孔铉九;金伦秀 -专利权人：凯斯科技股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛光浆料组合物。所述抛光浆料组合物包括：抛光粒子；包括疏水性氨基酸的第一抛光抑制剂；以及包括环状聚合物的第二抛光抑制剂，并且所述第一抛光抑制剂与所述第二抛光抑制剂不同。根据本发明的抛光浆料组合物作为用于抛光半导体晶片的浆料组合物，可以改善图案的突出段差及晶片的平坦度。
抛光浆料组合

[发明专利]抛光用组合物以及抛光方法-CN200710146854.0有效
发明人：野口直人;树神和利;庭野裕 -专利权人：福吉米股份有限公司
申请日： 2007-08-24 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供使用抛光用组合物进行抛光后，抛光对象表面的65nm或以上大小的LPD的数量可降低的抛光用组合物，以及使用该抛光用组合物的抛光方法。本发明的抛光用组合物中，抛光用组合物中的钠离子和乙酸离子其中之一的浓度为10ppb或以下。或者，抛光用组合物中的钠离子和乙酸离子的浓度分别为10ppb或以下。抛光用组合物优选含有羟乙基纤维素等水溶性高分子、氨等碱、以及胶体二氧化硅等磨粒。
抛光组合以及方法

[发明专利]半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法-CN202180083214.8在审
发明人：朴韩址;韩德洙;权璋国;洪承哲 -专利权人： SK恩普士有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光用组合物的半导体器件的制造方法，其中，就包含抛光颗粒、加速剂和稳定剂的本发明的抛光组合物而言，将抛光组合物在60℃以上长时间储存后，粒子间也不会发生凝集现象，故长时间储存稳定性优异；并且作为应用于非晶质碳膜(Amorphous carbon layer)的抛光工艺中的抛光组合物，能够表现出高抛光率，还能防止抛光工艺中产生的碳残留物(Carbon residue)吸附在半导体基板上，并能防止抛光垫的污染。此外，本发明还能够提供一种适用半导体工艺用抛光组合物的半导体器件的制造方法。
半导体工艺抛光组合制备方法以及适用半导体器件制造

[发明专利]抛光方法-CN201710439550.7在审
发明人：赵慧佳;路新春;沈攀 -专利权人：天津华海清科机电科技有限公司;清华大学
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种抛光方法，所述抛光方法包括将两片待抛光物的待抛光面对向放置并在两个待抛光面之间放入抛光液，使两个待抛光物相对移动进行抛光。根据本发明的抛光方法，通过使两个待抛光物相对移动有利于保证抛光过程的顺利进行，并且可同时抛光两个待抛光物的两个平面，由此，可以提高生产效率，减少耗材使用，降低成本。
抛光方法

[发明专利]一种医用储物盒外表面抛光装置-CN202111373428.7在审
发明人：夏雪豹 -专利权人：夏雪豹
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B24B9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛光装置，尤其涉及一种医用储物盒外表面抛光装置。本发明的技术问题为：提供一种提高抛光效率、方便抛光的医用储物盒外表面抛光装置。技术方案如下：一种医用储物盒外表面抛光装置，包括有底架、楔形下料台、物料提升夹紧机构和物料抛光机构，底架的左部设置有楔形下料台，底架的左部设有物料提升夹紧机构，物料提升夹紧机构的下部设置有物料抛光机构，物料抛光机构与底架的上表面固接。本发明通过物料提升夹紧机构完成对储物盒的夹紧固定，避免储物盒在抛光的过程中自行移动，给储物盒抛光造成不便；利用物料抛光机构工作方便对储物盒外表面的打磨抛光。
一种医用储物盒外表抛光装置

[发明专利]抛光组合物-CN02142015.7有效
发明人：大岛良晓;荻原敏也 -专利权人：花王株式会社
申请日： 2002-08-21 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：一种抛光组合物，它包含平均初级粒度为200纳米或更小的磨料、氧化剂、pK1为2或更小的酸和/或它的盐、和水，其中抛光组合物的酸值为20～0.2毫克KOH/克；一种减少基片上微小擦痕的方法，它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片；以及一种制造基片的方法，它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片。该抛光组合物适用于最后抛光记忆硬盘基片和抛光半导体元件。
抛光组合

[发明专利]抛光设备-CN202111654395.3在审
发明人：邓海滨;王明忠;崔秀珍;黄猛进;郑振宇;魏军;宋坚雄;黄翔 -专利权人：咸宁南玻光电玻璃有限公司;清远南玻节能新材料有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： B24B21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛光设备，用于对辊轴类标的物进行表面抛光，包括：支架，承载所述标的物；导轨，固定在所述支架上；驱动机构，固定在所述支架上，用于驱动所述标的物转动；抛光机构，包括抛光架和位于所述抛光架上的抛光轮，所述抛光架设置于所述导轨上且沿所述导轨往返滑动，以带动所述抛光轮相对所述标的物移动；调节机构，位于所述抛光架上，以调节所述抛光轮相对于所述标的物的位置。上述抛光设备，无需人工操作，且大大提升抛光效率。
抛光设备

[发明专利]半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制备方法-CN202210858730.X在审
发明人：洪承哲;韩德洙;朴韩址;金圭勋;郑恩先;权璋国;李亨株 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用抛光组合物和半导体器件的制备方法。提供一种包括胺类抛光率增强剂的半导体工艺用抛光组合物，所述半导体工艺用抛光组合物包括抛光颗粒，所述抛光颗粒包括所述胺类抛光率增强剂。所述半导体工艺用抛光组合物在所述抛光颗粒的表面周围还包括胺类表面改性剂，并且基于整体组合物，所述胺类抛光率增强剂中的胺基的含量和所述胺类表面改性剂中的胺基的含量的和为0.0185重量％以上。所述半导体工艺用抛光组合物在掺硼多晶硅层的抛光中可以实现目标范围的抛光率和缺陷防止性能。
半导体工艺抛光组合以及半导体器件制备方法

[实用新型]一种防抖动金属加工用抛光装置-CN202320475370.5有效
发明人：张卫强 -专利权人：襄阳市三合力机电有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B24B29/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及金属加工技术领域，具体公开了防抖动金属加工用抛光装置，包括用于打磨抛光的工作台、设置在工作台上的承载部件和被抛光的抛光目标物以及处理抛光目标物的抛光组件；所述承载部件包括两个呈对称设置的导向板，所述导向板的底部开设有滑槽，且与导条适配，两个对称设置的导向板之间设置有承托条，所述承托条的顶部呈预设角度设置，用于与抛光目标物适配；本实用新型通过设置的工作台配合承载组件可以对抛光目标物进行承载，再利用抛光组件和定位组件之间的配合能够对抛光目标物的一端进行抵触，此时可以方便的对抛光目标物的内外壁进行同时打磨，以减少抛光时，抛光目标物出现抖动而造成抛光精度下降和损伤抛光组件的问题。
一种抖动金属工用抛光装置

[发明专利]化学机械抛光垫-CN200710109245.8有效
发明人： M·J·库尔普 -专利权人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2007-05-25 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： B24D3/00 文献下载
摘要：一种适于对半导体基板、光学基板和磁性基板中的至少一种进行平面化的抛光垫。所述抛光垫包括聚合物基体，所述聚合物基体具有顶部抛光表面；所述顶部抛光表面具有聚合物抛光粗糙结构，或者在用磨料进行精整的过程中形成聚合物抛光粗糙结构。所述聚合物抛光粗糙结构从所述聚合物基体延伸，是所述顶部抛光表面在抛光过程中可以与基板相接触的部分。所述聚合物抛光粗糙结构是由具有以下特征的聚合物材料制成的：所述聚合物材料整体极限抗张强度至少为6500psi(44.8兆帕)，整体撕裂强度至少为250磅/英寸(4.5×10³克/毫米
化学机械抛光

[发明专利]半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制造方法-CN202210454337.4在审
发明人：洪承哲;韩德洙;权璋国;朴韩址 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制造方法。本发明涉及半导体工艺用抛光组合物以及使用抛光组合物的基板抛光方法，其能够提高掺硼多晶硅膜的抛光率，提高抛光选择比，防止抛光工艺中可产生的晶片缺陷，并改善晶片表面的粗糙度。此外，本发明涉及制造使用半导体工艺用抛光组合物来抛光的基板的方法。
半导体工艺抛光组合以及半导体器件制造方法

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