专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种双极板的固化装置-CN201922141195.2有效
  • 宋阳阳;颜美聪;赵金华 - 惠州市海龙模具塑料制品有限公司
  • 2019-12-03 - 2020-07-03 - H01M8/0271
  • 阴极板夹板、阳极板夹板的四周,均设有夹紧,阴极板夹板、阳极板夹板的正面中部,均设有一个正面夹装,阴极板夹板、阳极板夹板的反面中部,均设有一个反面夹装。正面夹装的中部,设有反应固化,反应固化的两侧,分别连接一个分散固化,其中一个分散固化的另一侧,连接进口固化,另一个分散固化的另一侧,连接出口固化。阴极板夹板的反面夹装的中部,设有冷却固化。反面夹装的两端,分别设有定位凸台。本方案的结构设计合理、成本低、操作方便、固化质量好和效率高。
  • 一种极板固化装置
  • [实用新型]一种可调式手指固定手套-CN202020192021.9有效
  • 孙亚 - 嘉兴市第二医院
  • 2020-02-21 - 2020-11-03 - A41D19/015
  • 本实用新型公开了一种可调式手指固定手套,涉及手套领域,包括手掌,所述手掌的顶端设置有第一连接,所述第一连接的两侧上端均设置有第二连接,所述手掌的一侧下端设置有小指,所述手掌的另一侧下端设置有拇指,且所述小指与拇指均与第二连接的底端相连,所述手掌远离第一连接的一端连接有第三连接。本实用新型通过在手掌上设置的手掌、小指与拇指,使手掌无弹性并能固定住手指,该手套的小指与拇指能够将小指与拇指包裹并便于活动,方便调试与固定患者的部分手指,且透气孔与连接纤维使患者手指得到换气
  • 一种调式手指固定手套
  • [实用新型]一种养生枕-CN201922073531.4有效
  • 王伟;王泽林;黄玉妮 - 深圳市泽林嘉业科技有限公司
  • 2019-11-27 - 2020-06-23 - A47G9/10
  • 本实用新型公开一种养生枕,涉及枕头领域,包括仰睡、高侧睡、低侧睡和手扣,两个手扣之间为方形凹陷结构的枕头底;仰睡一端设置有颈托,另一端设置有下凹的后脑部;颈托中间设置有条形凸起结构的颈部按摩点,颈部按摩点两侧对称设置有弧形内凹结构的两个第一颈部按摩槽和两个第二颈部按摩槽;高侧睡上设置有内凹的高侧睡耳部舒缓,高侧睡耳部舒缓上开设有弧形的高侧睡耳部舒缓导气槽;低侧睡上设置有内凹的低侧睡耳部舒缓,低侧睡耳部舒缓上开设有弧形的低侧睡耳部舒缓导气槽。
  • 一种养生
  • [实用新型]VDMOS器件和电子电路-CN202220881295.8有效
  • 张薇;常东旭;刘刚 - 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
  • 2022-04-15 - 2022-08-02 - H01L29/78
  • 本实用新型公开一种VDMOS器件和电子电路,该VDMOS器件包括:半导体基片,包括层叠设置的衬底和外延层,半导体基片包括有源和限定有源的终端,其中有源的转角为倒角;位于终端的场限环,场限环包括位于外延层的注入,且注入环绕有源;位于外延层中的多个第一阱;位于第一阱中的第二阱,其中,第一阱和第二阱的掺杂类型相反;其中,在有源的转角区域,靠近有源边界的第一阱在衬底上的正投影具有多个边,多个边包括第一边,第一边与有源边界重合。该设置方式通过使靠近有源边界的第一阱中的第一边与有源边界重合,确保第一阱与第一个场限环的注入可以充分交叠,提高了转角区域击穿电场。
  • vdmos器件电子电路
  • [实用新型]半导体开关-CN201620652773.2有效
  • 赵恩海;董维胜;宋佩;邹庆华;谭婷 - 盐城市惠众新能源科技有限公司
  • 2016-06-27 - 2016-11-16 - H01L29/06
  • 其中,半导体开关的一实施例包括衬底层;第一掺杂、第二掺杂和第三掺杂,其中,所述第一掺杂、所述第二掺杂和所述第三掺杂区间隔扩散在所述衬底层,且所述衬底层的表面暴露出所述第一掺杂、所述第二掺杂和所述第三掺杂,当所述衬底层为P型半导体时,所述第一掺杂、所述第二掺杂和所述第三掺杂为N型半导体,当所述衬底层为N型半导体时,所述第一掺杂、所述第二掺杂和所述第三掺杂为P型半导体;第一氧化,位于间隔所述第一掺杂和所述第二掺杂的所述衬底层的表面,连接所述第一掺杂和所述第二掺杂;第二氧化,位于间隔所述第二掺杂和所述第三掺杂的所述衬底层的表面,连接所述第二掺杂和所述第三掺杂;栅电极,由位于所述第一氧化上的第一栅电极和位于所述第二氧化上的第二栅电极连接而成;第一漏电极,与所述第一掺杂连接;第二漏电极,和所述第三掺杂连接;源电极,与所述第二掺杂和所述衬底层连接。
  • 半导体开关

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