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[发明专利]一种紧凑型D-D中子发生器-CN201510775032.3在审
发明人：姚泽恩;王俊润;张宇;韦铮;徐大鹏;卢小龙 -专利权人：兰州大学
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H05H3/06 文献下载
摘要：本发明包括：真空腔体、离子源系统、束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统及真空泵系统，其中由离子源产生的离子束流被引出、加速并与靶系统上的氘靶发生D-D聚变核反应放出中子，其真空腔体的两端分别用离子源阳极法兰和第二法兰与离子源系统和束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统实现联接，真空腔体与离子源阳极法兰和高压馈入系统法兰间通过 “O”型圈实现密封，所述的离子源为双等离子源，其内通有D气体。本发明中子产额可大于1×10⁸ s^-1量级，并可以很方便地更换离子源或靶片等系统及其它的内设部件，同时大大降低了使用的成本。
一种紧凑型中子发生器

[实用新型]一种双位多靶离子束沉积装置-CN202020108027.3有效
发明人：王燕丽;王昕涛 -专利权人：东莞市鑫钛极真空科技有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本实用新型公开一种双位多靶离子束沉积装置，包括机架、真空镀膜室、激光器、主离子源、辅离子源、旋转靶座和基片架，真空镀膜室装设于机架上，主离子源、旋转靶座和基片架均设于真空镀膜室内，基片架夹设有基片，主离子源和旋转靶座均为两个，一个旋转靶座上安装有四种不同的靶材，基片架的中心线与两旋转靶座的中心线相互重叠，两主离子源分设于基片架的两侧，主离子源的发射口对准旋转靶座，辅离子源设置于真空镀膜室下方，辅离子源的发射口对准基片，真空镀膜室设有石英窗
一种双位多靶离子束沉积装置

[发明专利]一种双喷雾微量样品检测电离源-CN202211612523.2在审
发明人：许国旺;李杭;胡学森;石先哲;陆欣;王婷 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：本发明提供一种双喷雾微量样品检测电离源。本发明包括喷雾电离源支撑外罩，所述喷雾电离源支撑外罩与质谱检测器相连，所述喷雾电离源支撑外罩上安装有衍生化试剂电喷雾离子源和纳升电喷雾离子源，所述衍生化试剂电喷雾离子源用于通过电喷雾的方式将衍生化试剂离子化为液滴，所述纳升电喷雾离子源用于将待测样品离子化，经过与衍生化液滴反应，进入到质谱检测器进行充分反应，所述衍生化试剂电喷雾喷针与质谱检测器进样口存在一个预设的倾斜的角度，所述衍生化试剂电喷雾离子源和纳升电喷雾离子源均具备自身位置调节的三轴位置调节器本发明提供一个对电离效率观察的一体化装置，可以实现两路电喷雾离子源的交叉进样。
一种喷雾微量样品检测电离

[发明专利]离子源-CN201110175674.1无效
发明人：马军;刘立秋;颜毅坚;徐翔;张伟;张亦扬 -专利权人：武汉矽感科技有限公司
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01J49/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子源，该离子源包括：电源、能够产生离子的放电体和离子引出电极，放电体的高压端连接电源，低压端通过限流电阻R1接地，离子引出电极的一端通过分压电阻R3连接所述放电体的高压端，另一端通过分压电阻本发明所述的离子源，通过增加离子引出电极、以及离子引出电极和放电体之间的引出电压，使得该离子源产生的离子能够被有效引出，同时又不影响离子源放电的稳定性。
离子源

[实用新型]离子源-CN201120221033.0有效
发明人：马军;刘立秋;颜毅坚;徐翔;张伟;张亦扬 -专利权人：武汉矽感科技有限公司
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01J49/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种离子源，该离子源包括：电源、能够产生离子的放电体和离子引出电极，放电体的高压端连接电源，低压端通过限流电阻R1接地，离子引出电极的一端通过分压电阻R3连接所述放电体的高压端，另一端通过分压电阻本实用新型所述的离子源，通过增加离子引出电极、以及离子引出电极和放电体之间的引出电压，使得该离子源产生的离子能够被有效引出，同时又不影响离子源放电的稳定性。
离子源

[发明专利]蚀刻氮化铝或氧化铝以产生铝离子束-CN202180068072.8在审
发明人：尼尔·科尔文;奈尔·巴森;徐晓 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：提供了离子注入系统101、离子源108和方法，其中离子源配置为电离铝基离子源材料113、112并形成离子束112和包括非导电材料的副产物。蚀刻剂气体混合物具有预确定含量的氟和与离子源流体连通的稀有气体。预确定含量的氟与预确定的健康安全水平相关联，所述健康安全水平例如为氟的最大含量的约20％。铝基离子源材料可以是陶瓷构件，例如推斥极轴、屏蔽件或所述离子源内的其他部件。
蚀刻氮化氧化铝产生离子束

[发明专利]一种多离子源飞行时间质谱仪-CN201310582870.X有效
发明人：丁航宇 -专利权人：苏州美实特质谱仪器有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01J49/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种多离子源飞行时间质谱仪；所述质谱仪是直线型或反射式，包括至少两个离子源，真空系统，在所述真空系统内有与所述离子源数量相等的离子加速区、离子自由飞行区、与所述离子源数量相等的离子探测器，还包括与所述离子加速区连接的第一工作电源；所述离子源中产生的离子经过所述离子加速区，在第一工作电源提供的高压脉冲电压下，被加速运动到离子自由飞行区，通过质量分析后被相应离子探测器检测到；解决了一个质谱仪在某一时刻，只能对一个离子源产生的样品离子进行质谱分析的问题
一种离子源飞行时间质谱仪

[发明专利]质量分析装置-CN201980097858.5在审
发明人：石黑浩二;吉成清美 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种能够防止试料长时间残留在离子源容器内部的质量分析装置。本发明的质量分析装置中，在离子源容器的内部除了供给离子源进行电离所用的第一气体之外，还供给沿着离子源容器的内壁朝向排气部流动的第二气体。
质量分析装置

[发明专利]离子源及其电极以及将待电离的气体导入离子源的方法-CN201010163498.5无效
发明人：托马斯·尤尔 -专利权人：西门子公司
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H05H7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于产生粒子束的离子源以及用于这种离子源的电极。本发明此外还涉及将待电离的气体导入这种离子源的方法。用于产生粒子束的离子源(2)包含等离子体腔(4)和延伸到所述等离子体腔(4)的电极(8)。待电离的气体经气体管道被导入离子源(2)中，其中所述气体管道(6)平行于所述电极(8)地沿电极(8)的全长延伸，从而使气体在等离子体腔(4)的输入端(34)附近从气体管道(6)流出。
离子源及其电极以及电离气体导入方法

[发明专利]具有对其他室部件最小腐蚀的快速清洁等离子限制环的设备、系统和方法-CN200780023237.X有效
发明人：埃里克·赫德森;安德烈亚斯·菲舍尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：公开一种用来从等离子限制环快速去除聚合物膜而对其他等离子蚀刻室零件造成最小腐蚀的设备。该设备包含中心组件、电极板、限制环栈、第一等离子源和第二等离子源。第一等离子源设置在该通道内并且沿着中心组件的外圆周，其中第一等离子源用以引导等离子至限制环栈的内圆周表面。远离该第一等离子源设置的第二等离子源用以在蚀刻室内的基片上执行处理操作。
具有其他部件最小腐蚀快速清洁等离子限制设备系统方法

[发明专利]撞击电离喷雾离子源或电喷雾电离离子源-CN201980031618.5在审
发明人：斯特万·巴伊奇 -专利权人：英国质谱公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01J49/04 文献下载
摘要：公开了一种撞击电离喷雾离子源或电喷雾电离离子源，所述撞击电离喷雾离子源或电喷雾电离离子源包括雾化器(30)，所述雾化器具有用于提供液体样品的第一导管(11)和用于提供雾化气体以雾化所述液体样品的第二导管所述离子源可以提供经雾化样品的一致和/或可预测的喷雾轮廓。
撞击电离喷雾离子源

[实用新型]一种离子源挡板-CN201420458073.0有效
发明人：韩滨;闫少健;付德春 -专利权人：宜昌后皇真空科技有限公司
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种离子源挡板装置，属于离子源技术改进领域。一种离子源挡板包括底板，两根旋转轴的一端穿过底板与气动阀机械连接，二根旋转轴分别固定一块不锈钢板。本实用新型优点在于，可保护离子源不受靶材污染，解决了离子源受靶材污染，影响再次镀膜效果的问题，方便使用，提高了产品质量和生产效率。
一种离子源挡板

[实用新型]单电荷态ECR离子源-CN99256174.4无效
发明人：刘占稳;张子民;丁俊章;赵玉彬;雷海亮;曹云;张雪珍;赵红卫;王义芳 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 1999-12-31 - 公布日： 2001-07-25 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单电荷态ECR离子源,包括微波窗、磁场、弧腔、等离子体电极、吸极、绝缘环和法拉第筒;磁铁部分为永磁体,在弧腔内设有双层水冷;在微波窗前设有微波产生及传输装置;本实用新型利用双层水冷弧腔来冷却永磁体可避免对永磁体的腐蚀,另用永磁体代替线包,可减少调节量、降低造价,另采用结构简单的微波产生及传输系统可大大降低成本。
电荷 ecr 离子源

[发明专利]一种阳极层离子源化学热处理装置及其应用-CN201710866317.7在审
发明人：唐光泽;马欣新 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：一种阳极层离子源化学热处理装置及其应用，本发明涉及化学热处理技术领域。本发明要解决现有装置存在离化率低，离子密度小，能量不可控的技术问题。该装置，包括4个阳极层离子源、4组真空加热体和工件台，其中4个阳极层离子源等间距均匀设置在真空室壁内，每组真空加热体设置在两个相邻阳极层离子源之间，真空室中间设置工件台。该装置应用于渗氮工艺的具体操作如下将工件装炉，抽真空，控制渗氮温度为400～600℃，通入前驱气体，调整气压为1～50Pa，开启阳极层离子源，控制阳极层离子源离子流为5～20A，进行渗氮处理，然后冷却，阳极层离子源发生装置具有离化率高，离子密度大，能量可控的技术特点。本发明装置用于化学热处理技术领域。
一种阳极离子源化学热处理装置及其应用

[实用新型]一种离子注入机的绝缘组件及离子注入机-CN202120644702.9有效
发明人：关春龙 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种离子注入机的绝缘组件及离子注入机，其中绝缘组件包括筒形离子源绝缘套管以及绝缘保护套，绝缘保护套为断面呈T型的空心套筒结构，绝缘保护套分为环形外沿和垂直于环形外沿的圆筒型插入部，圆筒型插入部插入离子源绝缘套管的内腔中并对离子源绝缘套管的内壁进行遮挡，环形外沿覆盖在离子源绝缘套管一侧的外表面上。本实用新型通过在原有离子源绝缘套管上增设一个易于拆装且成本低的绝缘保护套来进行防护，避免了离子注入产生的微小物质在离子源绝缘套管上附着，可有效延长离子源绝缘套管的使用寿命；增设的绝缘保护套采用活动插入式安装结构
一种离子注入绝缘组件