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[发明专利]一种硅碳负极材料及其应用-CN202310710446.2有效
发明人：钟应声;刘娇;张浩;韩定宏;徐晓晴;江柯成 -专利权人：江苏正力新能电池技术有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅碳负极材料及其应用。本发明所述负极材料由里到外依次包括多孔碳基体、嵌硅层、硅包覆杂化层、碳包覆杂化层；硅嵌入所述多孔碳基体表面孔隙中形成嵌硅层，得到表面包裹嵌硅层的多孔碳基体；所述嵌硅层表面包裹硅包覆杂化层，所述硅包覆杂化层表面包裹碳包覆杂化层；所述硅包覆杂化层与所述碳包覆杂化层含有含锂一维碳材料。本发明通过含锂一维碳材料嵌入硅层、含碳气体沉积的碳层中，形成硅包覆杂化层、碳包覆杂化层，增加硅碳连接点，硅颗粒之间的分离程度降低，Li+传输距离变短，同时缩短电子扩散路径，最终提升了硅碳负极材料的电化学反应动力学，降低电池内阻。
一种负极材料及其应用

[发明专利]一种单层/双层包覆硅氧化物复合负极材料及其制备方法-CN201711142093.1有效
发明人：柳听前;刘灿;刘丰;邵乐强;程君 -专利权人：力信（江苏）能源科技有限责任公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种单层/双层包覆硅氧化物复合负极材料及其制备方法。该单层包覆硅氧化物复合负极材料，单层包覆硅氧化物复合负极材料为具有核壳结构的两层复合材料，内核为硅氧前驱体，外层为钛酸锂层，硅氧前驱体为硅均匀弥散分布于二氧化硅形成的材料。该双层包覆硅氧化物复合负极材料，双层包覆硅氧化物复合负极材料为具有核壳结构的三层复合材料，内核为硅氧前躯体，中间层为钛酸锂层，最外层为包覆在钛酸锂层外表面的碳层。上述双层包覆硅氧化物复合负极材料，由于为三层结构，内核为硅氧前驱体，中间层为钛酸锂层，最外层为碳层，能够较好地缓冲硅氧化物的体积效应，使双层包覆硅氧化物复合负极材料具有高的比容量和优异的循环性能。
一种单层双层包覆硅氧化物复合负极材料及其制备方法

[发明专利]一种碳纳米层包覆硅负极材料及其制备和应用-CN201711339205.2有效
发明人：王素力;戚甫来;孙公权 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子负极材料技术领域，具体涉及一种碳纳米层包覆硅负极材料及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：A、制备碳前体；B、制备碳硅前体；C、制备碳纳米层包覆硅负极材料。制备的碳硅负极材料为多孔碳包覆纳米硅的纳米片结构，包覆的硅纳米粒子分布于碳层表面。包覆结构极大的降低了硅的体积膨胀；高孔隙率的多孔结构有效的缓解了硅膨胀对电极结构影响；并且碳纳米层提供了较好的导电网络。本发明包覆方法简便，原料来源广泛，价格低廉，工艺条件易控制，操作成本低，极具工业化前景。相比现行的包覆方法，具有包覆层均匀，包覆速率快等优点。本发明的碳纳米层包覆硅负极材料比容量高，循环性能和倍率性能优良。
一种纳米层包覆硅负极材料及其制备应用

[发明专利]一种自填充包覆硅基复合材料、其制备方法及其应用-CN202110641324.3在审
发明人：郑安华;余德馨;仰韻霖 -专利权人：广东凯金新能源科技股份有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明涉及电池负极材料领域，特别是涉及一种自填充包覆硅基复合材料，所述自填充包覆硅基复合材料由纳米硅层、填充层和表面修饰层构成；所述纳米硅层中纳米硅的粒度D50为＜200nm；所述填充层为碳填充层，其填充于纳米硅之间；本发明提供一种具有高首效、低膨胀和长循环等优点的自填充包覆硅基复合材料；本发明还提供一种自填充包覆硅基复合材料的制备方法及其应用，其工艺简单易行，产品性能稳定，具有良好的应用前景。
一种填充包覆硅基复合材料制备方法及其应用

[发明专利]高硅氧聚四氟乙烯覆膜滤布-CN202010262250.8在审
发明人：庞财清 -专利权人：台州市皓天产业用布股份有限公司
申请日： 2020-04-06 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： B01D39/08 文献下载
摘要：本发明属于过滤材料的技术领域，涉及一种高硅氧聚四氟乙烯覆膜滤布，包括基布、过滤层和覆膜层，所述基布为高硅氧玻纤基布，所述过滤层以高硅氧玻纤为经线，以高硅氧玻纤和聚四氟乙烯纤维为纬线，交叠穿插编织于基布外层，所述覆膜层加盖于过滤层的外层，上述梳理过后的基布、过滤层和覆膜层构成的纤维网，采用针刺法对其进行针刺处理，使高硅氧玻纤基布、高硅氧玻纤、聚四氟乙烯纤维和覆膜之间互相缠结，加固纤维网。本发明提供的高硅氧聚四氟乙烯覆膜滤布，强度高，耐高温性能好，过滤效果好。
高硅氧聚四氟乙烯覆膜滤布

[发明专利]一种高首效多元包覆硅基复合材料、其制备方法及其应用-CN202110641316.9有效
发明人：郑安华;余德馨;仰永军 -专利权人：广东凯金新能源科技股份有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明涉及电池负极材料领域，特别是涉及一种高首效多元包覆硅基复合材料，所述高首效多元包覆硅基复合材料由若干多元纳米硅和填充修饰层构成；所述多元纳米硅从内至外依次包括第一纳米硅层、纳米硅氧化层、第二纳米硅层及碳包覆层；所述填充修饰层为碳填充修饰层。本发明提供一种高首效多元包覆硅基复合材料、其制备方法及其应用，其工艺简单易行，产品性能稳定，具有良好的应用前景。
一种高首效多元包覆硅基复合材料制备方法及其应用

[发明专利]一种硅覆绝缘片薄膜-CN201810901615.X在审
发明人：刘珂 -专利权人：刘珂
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明属于硅晶片领域，具体涉及一种硅覆绝缘片薄膜。其特征在于通过在提供的高阻硅晶片上形成一层电介质材料（氧化硅），再于电介质材料层上形成一层非晶硅，转移一层氧化硅在非晶硅上，使氧化层上存在单晶硅，从而制备出具有非晶硅层的硅覆绝缘片。
一种绝缘薄膜

[发明专利]用于控制涂覆金刚石的硅的电子迁移率和平坦度的方法以及所形成的结构-CN200480018229.2有效
发明人： K·拉维 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-06-09 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：描述了形成应变硅器件的方法以及所形成的结构。所述方法包括：在基本平整的涂覆金刚石的硅晶片的第一侧和第二侧上形成多晶硅层，其中基本平整的涂覆金刚石的硅晶片的第二侧包括缺陷；将硅器件层键合至多晶硅层的第一侧；和从基本平整的涂覆金刚石的硅晶片的第二侧移除缺陷，其中在硅器件层中导致了拉应变，这增加了应变硅器件层的电子迁移率。
用于控制金刚石电子迁移率平坦方法以及形成结构

[发明专利]一种内壁涂覆硅纳米层材料的空心碳及其制备方法-CN201810871235.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：江曼
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池材料的技术领域，涉及一种内壁涂覆硅纳米层材料的空心碳，所述空心碳部分石墨化，所述硅纳米层由硅高温气化均匀涂覆在空心碳的内壁，所述空心碳的高温石墨化和硅的高温气化同步进行；本发明还提供了其制备方法，(1)将微米级或亚微米级硅颗粒的外表面包覆可转化为碳的材料，高温处理形成碳包覆，再对内部的硅颗粒进行化学刻蚀，形成碳包覆于硅的复合材料；(2)在2100‑3200摄氏度的条件下使包覆于碳内的硅气化，使硅蒸汽涂覆于空心碳内壁形成硅纳米层，同步使包覆的碳部分石墨化。本发明提供的内壁涂覆硅纳米层材料的空心碳，满足工业化应用的四个条件，首次放电比容量高，首次库伦效率高，循环性能高以及工业化成本低。
一种内壁涂覆硅纳米材料空心及其制备方法

[发明专利]用于产氢的复合材料-CN202010447271.7在审
发明人：郑尹玮;刘全璞;黄俊翰 -专利权人：硅力能股份有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C01B3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于产氢的复合材料，包括多个壳核结构，其中各壳核结构包括含硅核心层及包覆含硅核心层表面的壳层，且壳层包括包覆含硅核心层表面的亲水层以及包覆亲水层的碱性物质。
用于复合材料

[发明专利]一种硅碳复合材料及其制备方法、锂离子电池-CN201310282184.0有效
发明人：刘三兵;翟丽娟 -专利权人：奇瑞汽车股份有限公司
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅碳复合材料及其制备方法、锂离子电池，该方法包括以下步骤：（1）在硅基材料上设置过渡层，得到过渡层包覆的硅基材料；（2）在过渡层包覆的硅基材料外包覆碳，得到碳-过渡层-硅基复合材料；（3）去掉过渡层，得到硅碳复合材料。上述制备方法通过在硅基材料外设置过渡层，再在过渡层外包覆碳，再去掉硅基材料与碳之间的过渡层得到的硅碳复合材料中的硅基与碳之间具有一定的孔隙。根据硅基材料在嵌锂时理论的微观体积膨胀大小来设置过渡层的厚度，可精确控制硅基与碳之间的孔隙大小，从而有效的减少了硅碳复合材料的体积效应，进一步提高了锂离子电池的循环性能。该硅碳复合材料中的碳提高了该材料的电导率和倍率性能。
一种复合材料及其制备方法锂离子电池

[发明专利]一种负极片及其制备方法和电池-CN202211673703.1在审
发明人：徐政和;房大维;姜峰;邱伟;李超磊;张洪岩;王晗 -专利权人：南方科技大学嘉兴研究院
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01M4/133 文献下载
摘要：本发明公开了一种负极片及其制备方法和电池，该负极片包括至少两层石墨烯层和夹设于相邻石墨烯层之间的硅碳复合层，硅碳复合层的材料包括石墨烯包覆硅颗粒。其中硅碳复合层通过采用石墨烯包覆硅颗粒，该材料的包覆结构可抑制硅颗粒的体积膨胀，隔绝电解液与硅颗粒直接接触；并且通过以上硅碳复合材料与夹设于相邻石墨烯层之间形成夹层结构，可减小硅膨胀的不均匀性，且石墨烯层可起到粘结和缓冲膨胀的作用，进一步减小材料的整体膨胀率，形成稳定的导电网络；由此，通过以上包覆结构和夹层结构的协同配合，可有效缓解硅颗粒的体积膨胀并提升硅材料的导电率，使负极片具有优异的导电性和循环稳定性，可提升电池的循环稳定性
一种负极及其制备方法电池

[发明专利]绝缘层上覆硅元件及其制造方法-CN200810170137.6无效
发明人：杨基正 -专利权人：新加坡商通益科技股份有限公司台湾分公司
申请日： 2008-10-13 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种绝缘层上覆硅元件及其制造方法，此绝缘层上覆硅元件包括绝缘层上覆硅基底、N型井区、栅极结构以及P型掺杂区。绝缘层上覆硅基底包括绝缘层以及配置于绝缘层上的P型掺杂硅层。N型井区配置于P型掺杂硅层中。栅极结构包括N型掺杂栅极以及配置于N型掺杂栅极与N型井区之间的栅介电层。P型掺杂区配置于栅极结构两侧的N型井区中。本发明使用N型掺杂栅极来作为P型绝缘层上覆硅金属氧化物半导体晶体管中的栅极，且可以进一步地于N型掺杂栅极下方配置N型淡掺杂区，因此能够有效地提升元件效能。
绝缘层上覆硅元件及其制造方法

[实用新型]一种抗脱壳的覆膜砂-CN201520114435.9有效
发明人：刘云飞;刘士平;刘晋飞;刘冀飞;韩箴;张慧慧 -专利权人：磁县三富铸造材料有限公司
申请日： 2015-02-21 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： B22C1/00 文献下载
摘要：一种抗脱壳的覆膜砂，覆膜砂整体为球形，包括球形的铸铁砂核，所述铸铁砂核外围包覆一层有机硅层，所述有机硅层外围包覆一层第一树脂层，第一树脂层外围包覆一层交联层，交联层外围包覆一层第二树脂层，所述第二树脂层的厚度小于第一树脂层
一种脱壳覆膜砂

[发明专利]电光晶体薄膜的制备方法、电光晶体薄膜及电光调制器-CN202010865266.8在审
发明人：张秀全;王金翠;刘桂银;李真宇;张涛;杨超 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本申请提供一种电光晶体薄膜的制备方法、电光晶体薄膜及电光调制器，其中，所述电光晶体薄膜的制备方法包括：准备绝缘体上硅结构，在绝缘体上硅结构的顶层硅上制备保护层前体；用刻蚀法对保护层前体和顶层硅进行刻蚀，形成保护层和硅波导层，其中刻蚀后在保护层和硅波导层中形成凹槽结构，凹槽结构的高度等于保护层厚度和硅波导层厚度之和；在凹槽结构内填充包覆隔离层，并对其进行平坦化，直至与保护层齐平；采用腐蚀的方式去除保护层，再沉积包覆隔离层，并对其平坦化；最后在包覆隔离层上制备功能薄膜层，得到电光晶体薄膜。采用前述的方案，通过保护层保护硅波导层，包覆隔离层厚度可控，表面平整，与功能薄膜层键合，不影响光信号的传播。
电光晶体薄膜制备方法调制器

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