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[发明专利]一种高性能鞋底鞋垫的3D打印工艺-CN201810609626.0有效
发明人：周遂新;卢庆全;鄢鹏 -专利权人：东莞市站胜模具有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： B29C64/165 文献下载
摘要：本发明公开一种高性能鞋底鞋垫的3D打印工艺，其采用石墨烯改性TPU粉末作为基材，并通过3DP工艺按照设计的鞋底或鞋垫模型打印出石墨烯改性TPU鞋底或石墨烯改性TPU鞋垫。可以同时达到耐磨止滑、除臭杀菌、导电导热等效果，由于石墨烯改性TPU具有良好的导电性，可以实现智能鞋底鞋垫的开发设计与生产；由于石墨烯改性TPU具有良好的导电性，可以实现智能鞋底鞋垫的开发设计与生产；3DP工艺不需要或只需要在较低温度下就可实现鞋底鞋垫的3D打印，该3DP工艺的打印效率可达SLS工艺的3‑4倍，加热能耗降低为SLS工艺的1/3‑1/2，材料没有损耗，利用率为100％，成本降低。
一种性能鞋底鞋垫打印工艺

[发明专利]一种处理氯化钛渣的零排放工艺-CN201810364367.X有效
发明人：王肖虎;毛焱明;肖维溢;张永良;王志高;唐义;丁邦超;万立;彭跃峰;王政强;彭文博 -专利权人：宜宾天原海丰和泰有限公司;江苏久吾高科技股份有限公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： B09B3/00 文献下载
摘要：本发明属于钛白粉后处理领域，具体公开一种处理氯化钛渣的零排放工艺，该工艺包括以下步骤：(1)碱浸；(2)固液分离；(3)二次沉淀；(4)微滤/超滤膜过滤；(5)一次膜净化；(6)膜浓缩；(7)二次膜净化；本专利工艺中以处理氯化钛渣中的重金属离子杂质和回收氯离子为目的，将固体废渣转化为无害的固体回用于建筑材料砖瓦、水泥等，再通过膜分离集成工艺浓缩净化为氯碱工业用淡盐水使用，通过本工艺的实施，不仅回收利用了氯化钛渣中的有价资源，更重要的是完全彻底地处理了对环保污染严重的氯化钛渣，突破了氯化法固体废渣难处理的瓶颈，使得氯化法生产钛白粉工艺向着更环保的方向迈进了重要一步，具有明显的先进性。
一种处理氯化排放工艺

[发明专利]一种草酸二甲酯合成工艺中副产物的回收方法及回收系统-CN201810755263.1有效
发明人：王佳助;姚斐;丁继叶 -专利权人：高化学(江苏)化工新材料有限责任公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C07C31/04 文献下载
摘要：本发明公开一种草酸二甲酯合成工艺中副产物的回收方法，以铜基催化剂作为反应催化剂，对草酸二甲酯合成副产物中的碳酸二甲酯、甲酸甲酯进行酯加氢反应，进而使其全部转化为甲醇，再对甲醇换热冷却，使其循环回用于草酸二甲酯合成步骤中该方法省去了草酸二甲酯合成工艺中副产物的精馏精制步骤，简化了工艺流程，降低设备投资和原料投入，是一种高效清洁的回收反应工艺。此外，本发明还公开了一种用于草酸二甲酯合成工艺中副产物回收的回收系统，该种草酸二甲酯合成工艺中副产物回收系统的设备简单，且能够实现甲醇的转化回收利用，同时本系统的热量回收利用率高，符合节能环保的理念。
一种草酸二甲合成工艺副产物回收方法系统

[发明专利]超高强韧性中锰相变诱发塑性钢及其制备方法-CN201811049467.X有效
发明人：黄兴民;王彦华;张雷;郭远博 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： C22C38/04 文献下载
摘要：材料制备工艺一：熔炼、锻造、热轧，然后进行两相区退火+低温回火工艺；制备工艺二：熔炼、锻造、热轧、冷轧，然后进行两相区退火+低温回火工艺，低温回火工艺能够消除应力，提高奥氏体稳定性。本发明利用简单、可行性高的热处理工艺得到高强、高韧的先进钢种，强塑积可达到75GPa·％，满足第三代先进高强钢的性能要求；同时，本发明适当提高C含量(接近0.4wt.％)，目的是通过元素配分提高室温下奥氏体含量
低温回火相变诱发塑性钢超高强韧性两相区退火熔炼制备热轧锻造奥氏体稳定性材料制备工艺贵重合金元素热处理工艺重量百分比消除应力性能要求制备工艺钢种奥氏体第三代高强钢强塑积冷轧保证

[发明专利]一种盖板及其制作方法、显示面板及显示装置-CN201810912110.3有效
发明人：李伟;刘威 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明通过在第一衬底上通过构图工艺依次形成薄膜晶体管、光学传感器以及位于光学传感器上的第一电极，形成钝化层，在钝化层上通过构图工艺依次形成黑矩阵及贯穿钝化层的第一电极连接孔，在黑矩阵上通过构图工艺形成电极连接层，电极连接层包括同层设置的辅助阴极和第一电极连接线，且第一电极连接线通过第一电极连接孔与第一电极连接，通过构图工艺依次形成彩色滤光层、平坦层、支撑柱和第二电极。通过一次构图工艺形成辅助阴极和第一电极连接线，减小了制作工艺步骤，降低了制作成本，且辅助阴极和第一电极连接线同层设置，可节省盖板的占用空间。
一种盖板及其制作方法显示面板显示装置

[发明专利]提高双大马士革刻蚀次沟槽工艺窗口的方法-CN201810768565.2有效
发明人：俞春兰;张钱 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及提高双大马士革刻蚀次沟槽工艺窗口的方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括S1：在硅片上依次淀积底部刻蚀阻挡层、下层氧化物介质层、中间刻蚀阻挡层及上层氧化物介质层，并进行薄膜沉淀及孔洞刻蚀工艺，形成孔洞，之后进行光阻塞沉淀工艺，形成光阻塞；S2：进行所述光阻塞回刻；S3：涂光阻，进行光阻刻蚀，形成沟槽图形；S4：以所述光阻为掩膜，通过刻蚀工艺形成所述沟槽，刻蚀工艺完成后所述光阻塞高于所述中间刻蚀阻挡层的顶部，且在所述光阻塞的两侧形成突出阻塞；S5：光阻塞回刻，所述突出阻塞暴露；S6：刻蚀以去除所述突出阻塞；S7：去所述光阻及所述光阻塞；S8：进行所述底部刻蚀阻挡层刻蚀，以提高次沟槽的工艺窗口。
提高大马士革刻蚀沟槽工艺窗口方法

[发明专利]化学机械研磨设备工艺能力的监控方法-CN201810672949.4有效
发明人：崔冶青;黄然;邓建宁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械研磨设备工艺能力的监控方法，在所述晶圆的边缘上形成多个测试区域，然后在每个所述测试区域中形成沿着所述测试区域长度方向排布的金属线，对所述晶圆进行化学机械研磨工艺后，所述金属线的厚度也会随之改变，获取每个所述金属线的电阻分布图，由于所述金属线的截面宽度处处相等，所述金属线的电阻仅与所述金属线的厚度相关，可以根据所述电阻分布图可以反馈出所述化学机械研磨设备工艺能力的好坏，实现在线监控所述化学机械研磨设备工艺能力，当所述化学机械研磨设备工艺能力不满足控制要求时，可以及时的调整化学机械研磨设备的工艺参数，防止批量性不良品的产生，提高了晶圆的良率，从而降低了制造成本。
化学机械研磨设备工艺能力监控方法

[发明专利]加工半导体晶片的方法和覆盖半导体晶片的保护覆盖件-CN201710576245.2有效
发明人：弗朗西斯科·哈维尔·桑托斯罗德里格斯;罗兰德·鲁普 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：根据不同的实施方式，方法能够包括：加工半导体晶片(102，202)，所述半导体晶片具有第一主工艺侧(102t)和第二主工艺侧(102b)，所述第二主工艺侧与所述第一主工艺侧(102t)相对置；其中半导体晶片(102，202)在第一主工艺侧(102t)上具有至少一个电路区域(102s)，所述电路区域具有至少一个电子电路。形成至少部分地包围至少一个电路区域(102s)的加固结构(106)，所述加固结构加固半导体晶片(102，202)，其中加固结构(106)至少在至少一个电路区域(102s)的一部分之上具有留空部(106a)；从第二主工艺侧
加工半导体晶片方法覆盖保护

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201610531683.2有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的基底，所述第一区域和第二区域基底上具有第一氧化层；刻蚀工艺，所述刻蚀工艺刻蚀去除所述第一区域第一厚度的第一氧化层；在进行所述刻蚀工艺之后，对所述第一区域剩余的第一氧化层进行清洗工艺；交替进行所述刻蚀工艺以及所述清洗工艺，直至所述第一区域第一氧化层被去除；在所述第一区域的基底上形成第二氧化层，所述第二氧化层厚度与第一氧化层厚度不同。
半导体器件形成方法

[发明专利]同炉多带双金属带锯条在线全自动回火设备与工艺-CN201010297068.2有效
发明人：曹玉贵 -专利权人：曹玉贵
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C21D9/24 文献下载
摘要：同炉多带双金属带锯条在线全自动回火设备与工艺，它涉及一种回火设备与回火工艺。本发明解决了现有的双金属带锯条回火设备和工艺存在不能实现回火工艺在一条生产线上一次完成，回火工艺生产效率低，能源消耗大等问题。所述回火设备包括前回转装置、箱式回火炉和后回转装置。据测算箱式回火炉比罩式回火炉或井式回火炉耗能要降低60％以上，占地面积减少90％以上，解决了罩式回火炉或井式回火炉炉温内外、上下温场不均问题，锯条弯曲应力不均匀，锯条容易产生上翘问题，取消了箱式回火炉或井式回火炉回火需要多次倒带工序，解决了锯条回火工艺和质量难以控制的问题以及设备难以维修问题
炉多带双金属锯条在线全自动回火设备工艺

[发明专利]具有表面功能层的复合材料构件及其VIMP制备方法-CN201010121191.9有效
发明人：肖加余;曾竟成;刘钧;江大志;杜刚;邢素丽;王春齐;杨孚标;彭超义;尹昌平;鞠苏 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： B32B27/04 文献下载
摘要：该VIMP制备方法是先采用树脂膜熔渗工艺在一真空浸渍模塑工艺成型用模具表面制备增强树脂膜，然后用覆盖有该增强树脂膜的成型用模具并通过真空浸渍模塑工艺制备得到复合材料构件。本发明的VIMP工艺结合了RFI工艺和VIMP工艺的双重优点，制得的复合材料构件表面质量更好、整体性更好、综合性能优异。
具有表面功能复合材料构件及其 vimp 制备方法

[发明专利]小压缩比条件下使用连铸坯生产特厚钢板的方法-CN201110302954.4有效
发明人：周平;王月香;麻衡;王建景;李文钱;杨建勋;张长宏 -专利权人：莱芜钢铁集团有限公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种小压缩比条件下使用连铸坯生产特厚钢板的工艺方法，所述方法包括：冶炼工艺：采用转炉冶炼，通过LF+RH精炼来添加微合金元素Nb和Ti，进行微合金化；采用全保护浇注，连铸坯下线缓冷48h以上；加热工艺：加热温度为1180～1220℃，加热参考时间按8-10min/cm以保证钢坯烧匀烧透，均热时间不少于40min；轧制工艺：采用双机架两阶段控轧工艺，粗轧机进行≥1000℃的完全再结晶轧制，待温厚度≥1.2倍成品厚度，精轧开轧温度控制在880-850℃，轧后钢板立即进行加速冷却，冷却速度在5～7℃/s，终冷温度控制在630～600℃之间；正火热处理工艺：正火处理温度为890-860℃，炉内保温时间为
压缩比条件下使用连铸坯生产钢板方法

[发明专利]薄规格高延伸率热轧酸洗610L汽车大梁钢带的生产工艺-CN201310234511.5有效
发明人：乔治明;陈礼斌;齐长发;刘丽萍;陈俊东;王云阁;马光宗;孙利顺;汪云辉;徐杰;冯慧霄 -专利权人：河北钢铁股份有限公司唐山分公司
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄规格高延伸率热轧酸洗汽车大梁钢带的生产工艺，属于汽车用钢生产工艺技术领域。技术方案是包括汽车大梁钢带的热轧生产工艺和酸洗工艺，热轧工艺包括加热、轧制、冷却等工序，酸洗工艺包括汽车大梁钢带在连续酸洗生产线上经过三段连续式盐酸酸洗，五段式水漂洗，酸洗出表面颜色为灰色或灰白色，表面有金属光泽的酸洗汽车大梁钢带
规格延伸热轧酸洗 610 汽车大梁生产工艺

[发明专利]一种纯羊毛气流纺工艺-CN201310229834.5有效
发明人：吴栋标 -专利权人：江阴兴吴呢绒科技有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： D02G3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种纯羊毛气流纺工艺。该工艺对羊毛加入抗静电剂、和毛油进行预处理，保证30~35%的高回潮率之外，以减少纺纱时摩擦产生的静电对纺纱的负面影响；且由于羊毛纤维强度低，完全的短羊毛进行气流纺易断线、纺得的纱线强度低，该工艺将短羊毛与一定的长羊毛混合以增强纱线强度除此之外，该工艺还针对纯羊毛的特点采用了优化的工艺参数，比如采用了低分梳转速、低纺杯转速、可减少对羊毛损伤的纺杯等，从而保证了纱线质量的稳定性。该工艺具有工序短、纺纱速度快、纱线条干均匀、毛羽较环锭纱少、耐磨损且生产成本低的优点。
一种羊毛气流工艺

[发明专利]具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型FD‑GOITFET及制备方法-CN201510556241.9有效
发明人：李妤晨 -专利权人：西安科技大学
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型FD‑GOI TFET及制备方法，该制备方法包括选取FD‑GOI衬底；采用刻蚀工艺形成浅沟槽隔离；采用光刻工艺形成漏区图形，采用离子注入工艺形成漏区；在衬底上表面形成源区沟槽；采用倾斜离子注入工艺向源区沟槽侧壁注入离子以形成薄层掺杂区；在源区沟槽内淀积锗材料，并同时进行原位掺杂形成源区；源区的掺杂浓度高于漏区的掺杂浓度；在衬底上表面形成栅界面层；在栅界面层表面生长栅介质层和前栅极层，采用干法刻蚀工艺形成前栅，在衬底下表面生长背栅极层，采用干法刻蚀工艺形成背栅；光刻引线窗口，淀积金属，光刻引线，形成源区、漏区、前栅和背栅的金属引线，形成具有突变隧穿结的PNIN/NPIP 型FD‑GOI
具有突变隧穿结 pnin npip fd goi tfet 制备方法