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- [发明专利]PMOS晶体管的形成方法-CN201410603287.7有效
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涂火金
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中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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2014-10-30
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2018-09-07
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H01L21/336
- 一种PMOS晶体管的形成方法,对于源漏区的sigma形凹槽内的硅锗籽晶层形成阶段,在锗源气体流量逐渐增大的第一子阶段与流量平稳的第二子阶段之间增加流量逐渐减小的第五子阶段,第五子阶段的锗源气体初始流量与第一子阶段末尾流量相等;和/或对于体材料形成阶段,在气体流量逐渐增大的第三子阶段与流量平稳的第四子阶段之间增加流量逐渐减小的第六子阶段,第六子阶段的锗源气体初始流量与第三子阶段末尾流量相等。能避免第一子阶段与第二子阶段衔接处,和/或第三子阶段与第四子阶段衔接处的流量突变引起所形成的硅锗材料中锗含量突然增大,造成硅锗材料晶格不匹配,sigma形凹槽侧壁出现缺陷造成源漏区载流子进入沟道区引起漏电流
- pmos晶体管形成方法
- [发明专利]一种Demux驱动方法-CN201911314515.8有效
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谢建峰;熊克
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福建华佳彩有限公司
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2019-12-19
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2021-10-26
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G09G3/36
- 一种Demux驱动方法,包括如下步骤,在栅极驱动线的使能时域中,分为第一子像素的初次Demux驱动阶段,第二子像素的初次Demux驱动阶段,第三子像素的Demux驱动阶段,第一子像素的再次Demux驱动阶段,第二子像素的再次Demux驱动阶段,所述第一子像素的初次Demux驱动阶段和第一子像素的再次Demux驱动阶段分别位于第三子像素的Demux驱动阶段前后设置,所述第二子像素的初次Demux驱动阶段盒第二子像素的再次Demux驱动阶段分别位于第三子像素的Demux驱动阶段前后设置。区别于现有技术,上述技术方案将第三子像素的时域设置在其他子像素二次驱动的中间,从而保证了第三子像素有足够的充电时间,最终达到了解决子像素充电不足的问题。
- 一种demux驱动方法
- [发明专利]一种Demux驱动方法-CN202110328018.4在审
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谢建峰
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福建华佳彩有限公司
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2021-03-26
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2021-08-10
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G09G3/36
- 本发明提供一种Demux驱动方法,在栅极驱动线的开启时域中,分为第一子像素Demux驱动阶段,第二子像素Demux驱动阶段,第三子像素Demux驱动阶段;第一子像素Demux驱动阶段、第二子像素Demux驱动阶段和第三子像素Demux驱动阶段时间相同;在第一子像素Demux驱动阶段与第二子像素Demux驱动阶段之间设置有第一间隔时间,第二子像素Demux驱动阶段与第三子像素Demux驱动阶段之间设置有第二间隔时间上述技术方案将第三间隔时间置于栅极驱动线的开启时域之后,可以延长第三子像素的充电时间,从而延长第一子像素和第二子像素的充电时间,以此提高显示屏的充电率,优化显示屏的显示效果。
- 一种demux驱动方法
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