专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种涨机涨臂驱动装置-CN201420772310.0有效
  • 胡进;刘国赞 - 株洲南方机电制造有限公司
  • 2014-12-10 - 2015-04-15 - H02K15/04
  • 一种涨机涨臂驱动装置,包括涨臂,涨臂通过旋转轴安装在涨臂座上,并在涨时由涨臂旋转驱动装置带动绕旋转轴转动,实现涨臂绕旋转轴转动;涨臂座又安装在与固定床身和移动床身连线相垂直的导轨上,涨臂在涨时由涨臂平移驱动装置带动在导轨上移动;其特征在于,所述的涨臂旋转驱动装置和涨臂平移驱动装置都为伺服电机驱动系统,分别通过伺服电机带动涨臂旋转驱动装置和涨臂平移驱动装置实现涨臂绕旋转轴转动和涨臂在导轨上的平行移动。
  • 一种涨型机涨型臂驱动装置
  • [实用新型]一种用于∪管的喷码系统-CN201120372841.7有效
  • 丁昇;许涛;杨云良 - 威力盟电子(苏州)有限公司;威力盟电子股份有限公司
  • 2011-10-08 - 2012-07-04 - B41J3/407
  • 本实用新型公开了一种用于∪/∏管的喷码系统,用于对∪/∏管(5)进行喷码,其特征在于包括喷码装置(8)、伺服电机(1)以及∪/∏管固定架(4);所述伺服电机(1)用于控制∪/∏管固定架(4)旋转的旋转速度以及旋转角度;所述∪/∏管(5)包括第一管臂(51)、待喷码的第二管臂(52)以及用于连接第一管臂(51)和第二管臂(52)的中间臂(53);所述∪/∏管(5)固定于∪/∏管固定架(4)上且使第二管臂(52)的中心轴与∪/∏管固定架(4)的旋转轴在同一条直线上,该喷码系统实现了直接对∪/∏管进行环形喷码。
  • 一种用于系统
  • [实用新型]一种可调式低压控制柜-CN202022299181.6有效
  • 张丽军;汪枫洁;高娇娇;冀棚辉;王小川;张红涛 - 许昌智源科技有限公司
  • 2020-10-15 - 2021-06-22 - H02B1/30
  • 本实用新型涉及配电与用电技术领域,特别涉及一种可调式低压控制柜,包括柜体、Ⅰ风扇、Ⅱ风扇、Ⅰ直线滑块模组和Ⅱ直线滑块模组,所述柜体为空腔矩形体,空腔矩形体的一侧设置有柜门,且柜门与柜体一壁通过铰链相连;所述柜门Ⅰ壁内壁分别开设有Ⅰ直线滑块模组槽和Ⅱ直线滑块模组槽,且Ⅰ直线滑块模组槽内和Ⅱ直线滑块模组槽内分别安装有Ⅰ直线滑块模组和Ⅱ直线滑块模组,且Ⅰ直线滑块模组和Ⅱ直线滑块模组分别固定相连Ⅰ风扇和Ⅱ风扇;所述Ⅰ壁内壁对称一侧的Ⅱ内壁设置有若干个散风孔,且若干个散风孔分别贯穿于Ⅱ壁内壁。
  • 一种调式低压控制
  • [实用新型]高压油管接头结构-CN202122432327.4有效
  • 鲍晓振;恽文明 - 常州冠德机械有限公司
  • 2021-10-10 - 2022-03-18 - F16L43/02
  • 本实用新型属于高压油管连接技术领域,具体为高压油管接头结构,包括T管和L管,所述T管和L管的本体上均开设有L通孔,所述T管的L通孔和L管的L通孔相互连通,所述T管的本体外侧设置有外螺纹,所述L管的本体外侧套设有紧固螺母,所述紧固螺母与T管螺接,本装置将T管与L管相互连接,利用L管绕T管旋转,可以使得T管的横直管与L管的悬臂呈现出不同夹角,进而使得本装置对呈现出不同夹角的两根高压油管进行连接
  • 高压油管接头结构
  • [实用新型]十八益智拼盘-CN00252105.9无效
  • 高文山 - 高文山
  • 2000-11-21 - 2001-10-31 - A63F9/10
  • 本实用新型涉及一种十八益智拼盘,主要由一外盘及十八个拼板组成,而每一个拼板由复数个等腰直角三角形排列构成,该外盘具有一正四边形的槽面,且该槽面的总边长等于上述六个等腰直角三角形的底边,十八个拼板排放在外盘的槽面内;其中A拼板,B拼板,C拼板,D拼板,F拼板,G拼板,H拼板,I拼板,J拼板,K拼板,M拼板,Q拼板,R拼板,S拼板,V拼板,W拼板,X拼板,Z拼板。
  • 十八益智拼盘
  • [发明专利]一种新型的高压槽栅MOS器件及其制备方法-CN202110566933.7在审
  • 陈利;陈彬;陈译 - 厦门芯一代集成电路有限公司
  • 2021-05-24 - 2021-08-10 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种新型的高压槽栅MOS器件及其制备方法,其包括:N重掺杂衬底,N轻掺杂缓冲区,P阱区,P重掺杂源极区,N轻掺杂区,P掺杂区,N重掺杂源极区,高K绝缘层,栅极多晶硅区;漏极电极设在N重掺杂衬底下表面,N重掺杂衬底上有N轻掺杂缓冲区,N轻掺杂缓冲区上有P阱区、N轻掺杂区和槽栅结构区,N轻掺杂区和槽栅结构区设在P阱区之间,N轻掺杂区上设P掺杂区,P掺杂区上设N重掺杂源极区;另一个P阱区上设N重掺杂源极区,在P阱区上设P重掺杂源极区;槽栅结构区包括高K绝缘层和栅极多晶硅区,栅极多晶硅区上设栅极电极,P重掺杂源极区和N重掺杂源极区上设源极电极。
  • 一种新型高压mos器件及其制备方法
  • [实用新型]一种新型的薄层层析缸-CN201820907201.3有效
  • 王兴壮;高强;郑保富 - 上海皓元医药股份有限公司
  • 2018-06-12 - 2018-12-28 - G01N30/95
  • 本实用新型公开了一种新型的薄层层析缸,包括缸盖、缸体、第一刺凸点、第二刺凸点、第三刺凸点、第四刺凸点、第五刺凸点、第六刺凸点、第七刺凸点和第八刺凸点,所述第一刺凸点、第二刺凸点、第三刺凸点和第四刺凸点设置于所述缸体的一侧面上,所述第五刺凸点、第六刺凸点、第七刺凸点和第八刺凸点设置于所述缸体的另一侧面上,所述第一刺凸点、第二刺凸点、第七刺凸点和第八刺凸点设置于所述缸体侧面的中间,所述第三刺凸点、第四刺凸点、第五刺凸点和第六刺凸点设置于所述缸体侧面的下方。本实用新型采用缸体内侧壁增加刺凸点,使得层析板安放位置增加,节约成本,提高了工作效率。
  • 刺型凸点缸体本实用新型薄层层析缸体侧面缸体内侧壁安放位置工作效率缸盖层析板节约
  • [实用新型]一字构造柱水泥模板组-CN201921444569.1有效
  • 郑振尧;张渤琪;宋文;王青涛;王文超 - 威海建设集团股份有限公司;威海利东建筑科技有限公司
  • 2019-09-02 - 2020-06-02 - E04G13/02
  • 本实用新型涉及一字构造柱水泥模板组砌,属于建筑领域。一字构造柱A1水泥模板、一字构造柱A2水泥模板和一字构造柱B水泥模板敞口端的对面一端居中设置有居中洞口,一字构造柱A2水泥模板沿长边方向居中靠下位置设有清扫口,水泥模板的某一外侧面设有对中线,并在其端部设置加强腋;在构造柱位置处砌筑设有清扫口的一字构造柱A2水泥模板,接着在其上砌筑一字构造柱B水泥模板,一字构造柱B水泥模板的敞口部位与一字构造柱A2水泥模板的敞口部位反向安装;在一字构造柱B水泥模板上接着砌筑一字构造柱A1水泥模板,此时的一字构造柱A1水泥模板的敞口方向与下面的一字构造柱A2水泥模板的敞口方向相同。
  • 字型构造水泥模板
  • [发明专利]环形半导体控制整流器组件-CN01110376.0无效
  • 俞大立 - 华邦电子股份有限公司
  • 2001-04-09 - 2004-09-01 - H01L23/60
  • 一种环形半导体控制整流器组件,具有建置于第一半导体基底上的至少一环形单元体。而环形单元体包括:一第二阱区、一第一掺杂区、一第二接触区、以及一第二掺杂区。第二阱区是位于第一半导体基底内,而第一掺杂区则位于第二阱区内。第二接触区位于第二阱区内,环绕第一掺杂区。第二掺杂区位于第一半导体基底内,环绕第二阱区。
  • 环形半导体控制整流器组件

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