专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]多位校形式侧U弹片冲压成型结构-CN202221821577.5有效
  • 张清勇 - 昆山腾科机械制造有限公司
  • 2022-07-15 - 2023-02-10 - B21D35/00
  • 本实用新型多位校形式侧U弹片冲压成型结构,包括下位U折弯工位、对应下位U折弯工位设置的上位U折弯工位、以及对应下位U折弯工位、上位U折弯工位的U折弯校正工位;下位U折弯工位形成对应侧U部下部U的折弯成型冲压结构;上位U折弯工位形成对应侧U部上部U的折弯成型冲压结构;下位U折弯工位配合上位U折弯工位形成侧U部的粗胚U部成型结构,配合U折弯校正工位的精准侧U部校正结构,形成多位校正式侧U部高质量成型模具。
  • 多位校形式弹片冲压成型结构
  • [发明专利]NLDMOS器件及形成方法-CN202310946027.9在审
  • 令海阳 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2023-07-28 - 2023-10-13 - H01L29/06
  • 本发明提供了一种NLDMOS器件,包括:依次位于衬底内的N埋层和N埋层上的外延层;位于外延层内的第一P阱区、N漂移区和第一N阱区,N漂移区位于第一P阱区的两侧;第一N阱区位于N漂移区的远离第一P阱区的一侧;位于外延层内的P漂移区,P漂移区位于第一N阱区的远离N漂移区的一侧;位于外延层内的P隔离层,P隔离层两边分别与P漂移区接触,P隔离层的上表面与第一N阱区、N漂移区和第一P阱区均接触;位于P漂移区内的第二P阱区;其中,第一N阱区与N漂移区以及P漂移区均有一定的距离,且N漂移区的离子浓度越大,第一N阱区与N漂移区之间的距离越大。
  • nldmos器件形成方法
  • [发明专利]一种用于箱柱与箱梁的连接装置-CN202010302821.6在审
  • 董云霏;王融;赵咏梅 - 哈尔滨锅炉厂有限责任公司
  • 2020-04-17 - 2020-08-04 - F22B37/24
  • 本发明提供了一种箱柱和箱梁的连接装置,属于锅炉钢结构领域。本发明一种箱柱和箱梁的连接装置的箱柱、箱柱连接板、箱梁和箱梁连接板,箱柱和箱柱连接板均为竖直放置,箱柱柱身上焊接有箱柱连接板,且箱柱柱身上的两个箱柱连接板对称设置,箱梁的端部焊接箱梁连接板,箱柱连接板和箱梁连接板之间通过螺栓连接固定;箱柱和箱梁的连接装置还包括连接垫板,在箱柱和箱梁的连接重合处放置连接垫板调节制造公差。本发明一种箱柱和箱梁的连接装置,既能满足梁的强度要求,又能节约成本,方便加工制造、运输及安装。
  • 一种用于箱型柱箱型梁连接装置
  • [发明专利]采用P衬底的半导体激光器及其制备方法-CN202210134222.7有效
  • 刘振武;仲莉;马骁宇;刘素平;熊聪 - 中国科学院半导体研究所
  • 2022-02-14 - 2023-07-28 - H01S5/02
  • 本发明公开了一种采用P衬底的半导体激光器,包括:P衬底;在P衬底上依次外延生长有P缓冲层、P传输层、P限制层;在P限制层上形成有P波导层;在P波导层上形成有有源层;在有源层上形成有N波导层,N波导层的厚度大于P波导层的厚度;在N波导层上形成叠层结构,叠层结构包括依次形成的N限制层、N缓冲层、N欧姆接触层;其中,从叠层结构表面对叠层结构进行刻蚀以形成脊波导,使脊波导相对于P波导层更靠近N波导层。本发明提供的激光器,通过设计脊波导相对于P波导层更靠近N波导层,使得脊波导距离光场更近,从而对光场有更好的反馈。
  • 采用衬底半导体激光器及其制备方法
  • [实用新型]一种粉末冶金填料模具-CN201420210581.7有效
  • 杨明雄 - 标旗磁电产品(佛冈)有限公司
  • 2014-04-28 - 2014-09-10 - B22F3/03
  • 本实用新型公开了一种粉末冶金填料模具,包括腔、上模和下模,上模和下模分别装配于腔的上方和下方,并能在腔内滑动,上模底部、腔内壁与下模的顶部构成填料模腔,所述腔为断差腔,包括上段腔和下段腔,上段腔为倒锥形,下段腔为直通,上段腔的尺寸大于或等于下段腔。所述下段腔的直通的横截面为多边形、圆形或椭圆形等任意形状。本实用新型通过改变型腔,将原来直通腔改为上下两段的断差腔,上段腔比下段腔大,增加了填料面积,腔上段的四周粉料能有效补偿刮料板刮料所产生的不良影响,下段腔与原来直通腔功能相同,与上下模配合完成毛坯成型
  • 一种粉末冶金填料模具
  • [实用新型]一种GaAs激光电池的电极结构-CN201220038564.0有效
  • 宋婷 - 西安航谷微波光电科技有限公司
  • 2012-02-07 - 2012-09-26 - H01L31/0224
  • 本实用新型公开了一种GaAs激光电池的电极结构,包括n电极和p电极,p电极为双p电极,双p电极由两个p主电极通过其间纵向设置的p栅电极连接构成;所述n电极包括两条电极,两条n电极与p主电极中第1p主电极平行设置,两条n电极与p栅电极垂直设置;所述双n电极中第1n电极置于第1p主电极的外侧,双n电极中第2n电极置于双p主电极内侧第1p主电极间距的2/3处。本实用新型由于采取了在双p主电极的第1p主电极侧设置第1n电极,在距离第1p主电极2/3L处设置第2条n电极;因而,光生载流子由p主电极向n电极的传输距离减小,外延层薄层电阻也相应减小。
  • 一种gaas激光电池电极结构
  • [发明专利]塑料瓶周转箱拼装式成型模具-CN201710277998.3在审
  • 王金满 - 台州市黄岩汉威塑料模具有限公司
  • 2017-04-25 - 2017-07-04 - B29C45/26
  • 塑料瓶周转箱拼装式成型模具,包括模具上复板和下复板,上复板下安装腔板,腔板中安装腔镶块,所述的下复板上安装芯底板,芯底板上设置芯板和芯镶块,所述的芯板包括前芯板、后芯板、左芯板和右芯板,所述的芯镶块包括镶块底座和镶块芯体,镶块芯体拼装在镶块底座上,前芯板、后芯板、左芯板和右芯板包围在镶块底座和镶块芯体外围,并与腔镶块配合构成模腔,模腔中注塑周转箱,所述前芯板、后芯板、左芯板和右芯板上各设有外滑脱模机构和联动机构。
  • 塑料瓶周转拼装成型模具
  • [发明专利]恒流二极管结构及其形成方法-CN201610082313.5有效
  • 王英杰 - 成都士兰半导体制造有限公司
  • 2016-02-05 - 2018-12-11 - H01L29/861
  • 本发明提供了一种恒流二极管结构及其形成方法,在P衬底正面上形成P外延层,在P外延层中形成N基区,在N基区中形成P栅极区、N源区、N漏区、P发射区,并形成包围N基区的P隔离。本发明通过在P外延层中增设P发射区,所述P衬底、P外延层、N基区和P发射区组成PNP三极管,所述N源区、P栅极区、N基区、N漏区组成恒流二极管,使得其单位面积电流大幅提高,器件的温度稳定性和均匀性较好并且,所述恒流二极管结构增加了P外延层,有利于提高其耐压性能。
  • 二极管结构及其形成方法
  • [实用新型]恒流二极管结构-CN201620117311.0有效
  • 王英杰 - 杭州士兰集成电路有限公司
  • 2016-02-05 - 2016-07-06 - H01L29/861
  • 本实用新型提供了一种恒流二极管结构,在P衬底正面上形成P外延层,在P外延层中形成N基区,在N基区中形成P栅极区、N源区、N漏区、P发射区,并形成包围N基区的P隔离。本实用新型通过在P外延层中增设P发射区,所述P衬底、P外延层、N基区和P发射区组成PNP三极管,所述N源区、P栅极区、N基区、N漏区组成恒流二极管,使得其单位面积电流大幅提高,器件的温度稳定性和均匀性较好并且,所述恒流二极管结构增加了P外延层,有利于提高其耐压性能。
  • 二极管结构
  • [实用新型]塑料瓶周转箱拼装式成型模具-CN201720441519.2有效
  • 王金满 - 台州市黄岩汉威塑料模具有限公司
  • 2017-04-25 - 2018-03-13 - B29C45/26
  • 塑料瓶周转箱拼装式成型模具,包括模具上复板和下复板,上复板下安装腔板,腔板中安装腔镶块,所述的下复板上安装芯底板,芯底板上设置芯板和芯镶块,所述的芯板包括前芯板、后芯板、左芯板和右芯板,所述的芯镶块包括镶块底座和镶块芯体,镶块芯体拼装在镶块底座上,前芯板、后芯板、左芯板和右芯板包围在镶块底座和镶块芯体外围,并与腔镶块配合构成模腔,模腔中注塑周转箱,所述前芯板、后芯板、左芯板和右芯板上各设有外滑脱模机构和联动机构。
  • 塑料瓶周转拼装成型模具

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