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[实用新型]多基岛埋入多圈引脚无源器件封装结构-CN201120479940.5有效
发明人：王新潮;梁志忠;谢洁人;吴昊 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多基岛埋入多圈引脚无源器件封装结构，它包括外引脚（1），所述外引脚（1）设置有多圈，所述外引脚（1）正面通过多层电镀方式形成内引脚（3），所述内引脚（3）与内引脚（3）之间通过多层电镀方式形成内基岛（2），所述内基岛（2）正面设置有芯片（4），所述芯片（4）正面与内引脚（3）正面之间用金属线（5）连接，所述内引脚（3）与内引脚（3）之间跨接有无源器件（10），所述外引脚（1）的背面设置有第二金属层
多基岛埋入引脚无源器件封装结构

[实用新型]多基岛埋入多圈引脚无源器件球栅阵列封装结构-CN201120486252.1有效
发明人：王新潮;梁志忠;谢洁人;吴昊 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多基岛埋入多圈引脚无源器件球栅阵列封装结构，它包括外引脚（1），所述外引脚（1）设置有多圈，所述外引脚（1）正面通过多层电镀方式形成内引脚（3），所述内引脚（3）与内引脚（3）之间通过多层电镀方式形成内基岛（2），所述内基岛（2）正面设置有芯片（4），所述芯片（4）正面与内引脚（3）正面之间用金属线（5）连接，所述内引脚（3）与内引脚（3）之间跨接有无源器件（10），所述外引脚（1）的背面设置有锡球（9）
多基岛埋入引脚无源器件阵列封装结构

[实用新型]多基岛埋入多圈引脚静电释放圈封装结构-CN201120479943.9有效
发明人：王新潮;梁志忠;谢洁人;吴昊 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多基岛埋入多圈引脚静电释放圈封装结构，它包括外引脚（1）和外静电释放圈（2），所述外引脚（1）设置有多圈，所述外引脚（1）正面通过多层电镀方式形成内引脚（4），所述外静电释放圈（2）内部通过多层电镀方式形成内基岛（3），所述内基岛（3）正面设置有芯片（6），所述芯片（6）正面与内引脚（4）正面之间以及芯片（6）正面与芯片（6）正面之间用金属线（7）连接，所述外引脚（1）和外静电释放圈（2）的背面设置有第二金属层
多基岛埋入引脚静电释放封装结构

[发明专利]电子元器件平面凸点式超薄封装基板及其制作方法-CN200610039919.7有效
发明人：梁志忠;王新潮;于燮康;谢洁人;陶玉娟;闻荣福 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2006-04-12 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子元器件平面凸点式超薄封装基板及其制作方法，包括基岛(1)和引脚(2)，其特征在于引脚(2)呈凸点状分布于基板正面，凸点与凸点之间有金属薄层(3)连结，基岛(1)低于凸点状的引脚平面分布于基板正面；在后续封装时形成的单个电子元器件封装体内，基岛(1)的数量有一个或多个，引脚(2)排列在基岛的一侧或两侧或三侧，或围在基岛(1)的周围形成一圈或多圈引脚的结构。
电子元器件平面凸点式超薄封装及其制作方法

[实用新型]电子元器件平面凸点式超薄封装基板-CN200620072875.3无效
发明人：梁志忠;王新潮;于燮康;谢洁人;陶玉娟;闻荣福 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2006-04-13 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电子元器件平面凸点式超薄封装基板，包括基岛(1)和引脚(2)，其特征在于引脚(2)呈凸点状分布于基板正面，凸点与凸点之间有金属薄层(3)连结，基岛(1)低于凸点状的引脚平面分布于基板正面；在后续封装时形成的单个电子元器件封装体内，基岛(1)的数量有一个或多个，引脚(2)排列在基岛的一侧或两侧或三侧，或围在基岛(1)的周围形成一圈或多圈引脚的结构。
电子元器件平面凸点式超薄封装

[发明专利]半导体元器件平面凸点式超薄封装基板及其制作方法-CN200610039918.2有效
发明人：梁志忠;王新潮;于燮康;谢洁人;陶玉娟;闻荣福 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2006-04-12 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体元器件平面凸点式超薄封装基板及其制作方法，包括基岛(1)和引脚(2)，其特征在于引脚(2)呈凸点状分布于基板正面，凸点与凸点之间有金属薄层(3)连结，基岛(1)低于凸点状的引脚(2)平面分布于基板正面，引脚的正面设有金属层(4)；在后续封装时形成的单个半导体元器件封装体内，基岛(1)的数量有一个或多个，引脚(2)排列在基岛的一侧或两侧或三侧，或围在基岛的周围形成一圈或多圈引脚的结构
半导体元器件平面凸点式超薄封装及其制作方法

[实用新型]一种耐冲击性引线框架-CN202023287301.7有效
发明人：廖邦雄;孔朝玉;缪正华 -专利权人：广东杰信半导体材料股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提供一种耐冲击性引线框架，包括基岛，所述基岛包括用于放置芯片的芯片区及位于所述芯片区之外的空白区，所述空白区设置有基岛锁孔，所述基岛的边缘精压形成有压边；两个座柱，所述座柱与所述基岛连接，两个所述座柱分别设置于所述基岛的左右两侧；第一类型引脚，所述第一类型引脚和所述基岛连接；第二类型引脚，所述第二类型引脚与所述基岛间隔设置；所述第一类型引脚设置于所述基岛的上端，所述第二类型引脚设置于所述基岛的下端。
一种冲击引线框架

[实用新型]无基岛多圈脚封装结构-CN201020182655.2有效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-04-30 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种无基岛多圈脚封装结构，包括引脚(2)、不导电粘结物质(6)、芯片(7)、金属线(8)和有填料塑封料(9)，所述引脚(2)设置有多圈，所述引脚(2)正面延伸到后续需装芯片的区域旁边，在所述引脚
无基岛多圈脚封装结构

[发明专利]基岛露出型及埋入型基岛引线框结构及其先刻后镀方法-CN201010163638.9有效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种基岛露出型及埋入型基岛引线框结构及其先刻后镀方法，包括基岛(1)和引脚(2)，所述基岛(1)有二组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第二基岛(1.2)，在所述第一基岛(1.1)、第二基岛(1.2)和引脚(2)的正面设置有第一金属层(4)，在所述第一基岛(1.1)和引脚(2)的背面设置有第二金属层(5)，在所述引脚(2)外围的区域、引脚与基岛之间的区域、第一基岛与第二基岛之间的区域、第二基岛(1.2)背面以及引脚与引脚之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3)，且使所述第一基岛(1.1)和引脚(2)背面尺寸小于第一基岛和引脚正面尺寸，形成上大下小的第一基岛和引脚结构。
露出埋入型基岛引线结构其先刻后镀方法

[实用新型]基岛露出型及埋入型基岛引线框结构-CN201020180589.5有效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基岛露出型及埋入型基岛引线框结构，包括基岛(1)和引脚(2)，所述基岛(1)有二组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第二基岛(1.2)，在所述第一基岛(1.1)、第二基岛(1.2)和引脚(2)的正面设置有第一金属层(4)，在所述第一基岛(1.1)和引脚(2)的背面设置有第二金属层(5)，在所述引脚(2)外围的区域、引脚与基岛之间的区域、第一基岛与第二基岛之间的区域以及第二基岛(1.2)背面嵌置有无填料的塑封料(3)，且使所述第一基岛(1.1)和引脚(2)背面尺寸小于第一基岛和引脚正面尺寸，形成上大下小的第一基岛和引脚结构。
露出埋入型基岛引线结构

[实用新型]下沉基岛露出型及埋入型基岛单圈引脚封装结构-CN201020184812.3有效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-05-05 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种下沉基岛露出型及埋入型基岛单圈引脚封装结构，包括基岛(1)、引脚(2)、导电或不导电粘结物质(6)、芯片(7)、金属线(8)和有填料塑封料(9)，所述基岛(1)有二组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第二基岛(1.2)，所述第一基岛(1.1)正面中央区域下沉，在所述引脚(2)外围的区域、引脚(2)与第一基岛(1.1)之间的区域、第二基岛(1.2)背面、第二基岛背面(1.2)与第一基岛(1.1)之间的区域以及第二基岛(1.2)背面与引脚(2)之间的区域嵌置无填料塑封料(3)，且使所述第一基岛(1.1)和引脚(2)背面尺寸小于第一基岛(1.1)和引脚(2)正面尺寸。
下沉露出埋入型基岛单圈引脚封装结构

[实用新型]下沉基岛露出型及埋入型基岛引线框结构-CN201020180632.8有效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种下沉基岛露出型及埋入型基岛引线框结构，所述结构包括基岛(1)和引脚(2)，基岛(1)有二组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第二基岛(1.2)，第一基岛(1.1)正面中央区域下沉，在第二基岛(1.2)和引脚(2)的正面设置有第一金属层(4)，第一基岛(1.1)和引脚(2)的背面设置有第二金属层(5)，在引脚(2)外围的区域、引脚(2)与第一基岛(1.1)之间的区域、第一基岛(1.1)与第二基岛(1.2)之间的区域、第二基岛(1.2)背面以及第二基岛(1.2)与引脚(2)之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3)，且使第一基岛和引脚背面尺寸小于第一基岛和引脚正面尺寸，形成上大下小的第一基岛和引脚结构
下沉露出埋入型基岛引线结构

[实用新型]下沉基岛露出型及多凸点基岛露出型单圈引脚封装结构-CN201020184843.9有效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-05-05 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种下沉基岛露出型及多凸点基岛露出型单圈引脚封装结构，包括基岛(1)、引脚(2)、导电或不导电粘结物质(6)、芯片(7)、金属线(8)和有填料塑封料(9)，所述基岛(1)有二组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第二基岛(1.2)，所述第一基岛(1.1)正面中央区域下沉，第二基岛(1.2)正面设置成多凸点状结构，在所述引脚(2)外围的区域、引脚(2)与第一基岛(1.1)之间的区域、第一基岛(1.1)与第二基岛(1.2)之间的区域以及第二基岛(1.2)与引脚(2)之间的区域嵌置无填料塑封料(3)，且使所述基岛(1)和引脚(2)背面尺寸小于基岛(1)和引脚(2)正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构
下沉露出多凸点基岛型单圈引脚封装结构

[实用新型]基岛露出型及下沉基岛露出型引线框结构-CN201020180598.4有效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基岛露出型及下沉基岛露出型引线框结构，包括基岛(1)和引脚(2)，所述基岛(1)有二组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第二基岛(1.2)，所述第二基岛(1.2)中央区域下沉，在所述第一基岛(1.1)和引脚(2)的正面设置有第一金属层(4)，在所述第一基岛(1.1)、第二基岛(1.2)和引脚(2)的背面设置有第二金属层(5)，在所述引脚(2)外围的区域、引脚(2)与第一基岛(1.1)之间的区域、第一基岛(1.1)与第二基岛(1.2)之间的区域以及第二基岛(1.2)与引脚(2)之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3)，所述无填料的塑封料(3)将所述基岛(1)与引脚(2)的下部连接成一体，且使所述基岛(1)和引脚(2)背面尺寸小于基岛(1)和引脚(2)正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构。
露出下沉引线结构

[实用新型]下沉基岛露出型及多凸点基岛露出型引线框结构-CN201020180619.2无效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种下沉基岛露出型及多凸点基岛露出型引线框结构，包括基岛(1)和引脚(2)，所述基岛(1)有二组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第二基岛(1.2)，第一基岛(1.1)正面中央区域下沉，第二基岛(1.2)正面设置成多凸点状结构，在第二基岛(1.2)和引脚(2)的正面设置有第一金属层(4)，在所述第一基岛(1.1)、第二基岛(1.2)和引脚(2)的背面设置有第二金属层(5)，在引脚(2)外围、引脚(2)与第一基岛(1.1)之间的区域、第一基岛(1.1)与第二基岛(1.2)之间的区域以及第二基岛(1.2)与引脚(2)之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3)，且使所述基岛(1)和引脚(2)背面尺寸小于基岛(1)和引脚(2)正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构。
下沉露出多凸点基岛引线结构

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