“场发射性能”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果2634031个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]平面式场发射三极结构及其制备方法-CN200610085259.6无效
发明人：雷威;张晓兵;娄朝刚 -专利权人：东南大学
申请日： 2006-06-07 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H05B33/02 文献下载
摘要：平面式场发射三极结构及其制备方法涉及场致发射显示器件中三极结构的设计及其制备方法，在阴极玻璃基板(1)上设有数据电极(2)，在数据电极(2)上设有与之垂直的横条状介质层(3)，该介质层(3)上设有行扫描电极(4)，在行扫描电极(4)上设有与数据电极(2)并行的连接电极(5)，在连接电极(5)与行扫描电极(4)之间的间隙处设有具有一定电阻特性的场发射材料(6)；在阴极玻璃基板(1)或介质层(3)上设有支撑体(7)，在支撑体(7)上设有阳极玻璃基板(8)，在阳极玻璃基板(8)的下表面设有阳极电极(10)，在阳极电极(10)的下表面设有荧光粉层(11)，本发明发射性能优良，制备工艺简单和成本低廉。
平面发射三极结构及其制备方法

[发明专利]电子源-CN201680046423.4在审
发明人：勇-霍·亚历克斯·庄;银英·肖李;刘学峰;约翰·费尔登 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：至少一个场发射体制备于所述硅衬底的所述第二表面上以增强电子的发射。为防止硅的氧化，使用使氧化及缺陷最小化的过程来将薄的连续硼层直接安置于所述场发射体的输出表面上。所述场发射体可呈现例如棱锥及圆形晶须的各种形状。一或若干任选栅极层可放置于场发射体尖端处或放置成略低于所述场发射体尖端的高度以实现对发射电流的快速准确控制及高发射电流。所述场发射体可经p型掺杂且经配置以在反向偏置模式中操作，或所述场发射体可经n型掺杂。
电子

[发明专利]一种适用于人工材料电磁防护性能测试的屏蔽效能测试系统与方法-CN202110629299.7在审
发明人：秦风;高原;严志洋;钟受洪 -专利权人：中国工程物理研究院应用电子学研究所
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于人工材料电磁防护性能测试的屏蔽效能测试系统与方法，所述系统中，同步控制器分别与强场激励种子信号源、连续波种子信号源和强电磁脉冲源连接；强场激励种子信号源、强电磁脉冲源和发射天线一依次连接；连续波种子信号源、前置功率放大器、环形器和发射天线二依次连接；接收天线、大功率滤波模块和信号采集模块依次连接；屏蔽暗箱具有人工材料测试窗口；接收天线设置在屏蔽暗箱内；发射天线一和发射天线二均设置在屏蔽暗箱外本发明可实现不同强电磁脉冲环境激励下人工材料电磁屏蔽效能测试，有效解决了人工材料电磁防护性能难以有效测试的问题。
一种适用于人工材料电磁防护性能测试屏蔽效能系统方法

[发明专利]晶体管控制纳米管场发射显示阵列及其实现方法-CN200310109479.4无效
发明人：张继华;杨文伟;董业民;王曦;于伟东;冯涛 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2003-12-17 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： H01J31/12 文献下载
摘要：本发明涉及了一种将晶体管和碳纳米管场发射显示阵列集成在一起的结构，以及实现这种结构的方法。其特征在于将晶体管的漏同时作为碳纳米管场发射显示阵列的阴极，再在该漏上制作碳纳米管场发射显示阵列，以达到利用晶体管优良的电流控制特性来控制碳纳米管场发射显示阵列发射电流的目的。制备晶体管控制碳纳米管场发射显示阵列的方法，依次包括在基板上形成晶体管，然后在晶体管漏沉积发射阵列栅绝缘层和发射阵列的栅电极并刻蚀栅孔，最后沉积碳纳米管。采用本发明提供的方法所制作的场发射显示阵列能够使场发射显示器的发射电流稳定、均匀显示，并且发射电流可由晶体管精确控制。
晶体管控制纳米发射显示阵列及其实现方法

[发明专利]一种场发射折叠灯-CN201310106693.8有效
发明人：周明杰;梁艳馨 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01J61/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种场发射折叠灯，所述场发射折叠灯包括转轴、限位件和多个相同形状的场发射光源模块，多个所述场发射光源模块均呈弯板状、单面发光、沿所述转轴的轴向层叠设置，且转动连接于所述转轴，所述限位件固定于所述转轴且设于所述场发射光源模块的两端，以限位所述场发射光源模块，所述场发射光源模块包括发光的发光模块，所述发光模块包括相互堆叠设置且外接交流电的第一极板和第二极板，还包括隔离体架和气体电子源。所述场发射折叠灯有效降低了工艺难度和制备成本，光色可变、色温可调、出光均匀、光线柔和且发光面积较大，结构简单，应用灵活，可折叠，易于存储或运输。
一种发射折叠

[发明专利]场发射元件及其制备方法-CN200610061305.9有效
发明人：刘亮;姜开利;范守善;陈清龙;李锡福;陈杰良 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2006-06-23 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种场发射元件，该场发射元件包括一支撑体线材及一包覆在该支撑体线材外表面的碳纳米管场发射层。本发明还涉及一种场发射元件的制备方法，其包括以下步骤：提供一支撑体线材；在该支撑体线材外表面形成一碳纳米管场发射层；按照预定长度切割该外表面形成有碳纳米管场发射层的支撑体线材，并在切割后对其进行表面处理，形成场发射元件。
发射元件及其制备方法

[实用新型]固态雷达发射装置-CN03235740.0无效
发明人：石振华;石新智;周娟 -专利权人：武汉大学
申请日： 2003-03-10 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： G01S7/282 文献下载
摘要：本实用新型涉及的大功率固态雷达发射装置包括：增益控制电路、发射控制电路、线性放大电路和混合延时控制电路，增益控制电路的输入接雷达主机的射频信号、输出与线性放大电路的输入相连，线性放大电路的输出一路和发射天线相连本实用新型采用上述结构所形成的装置不仅体积小，而且性能稳定、故障率低，使用寿命长，与雷达主机配合，可探测250km海域的风场、浪场和流场以及低速移动目标。
固态雷达发射装置

[发明专利]场发射电极的制造方法-CN200480011331.X无效
发明人： T·J·温克;J·马拉 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2004-04-26 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明涉及场发射电极的制造方法，其中该电极包含场发射电极衬底(1)和排列在所述场发射电极衬底(1)上的多个发射体颗粒(2)，该方法包含步骤：将所述发射体颗粒(2)在载气流中分散成烟雾状发射体颗粒(2)；对所述发射体颗粒(2)充电；以及通过至少一个出口(14)将载气流中的所述带电发射体颗粒(2)引导向场发射电极衬底(1)，同时维持衬底(1)和靠近该出口的沉积电极(10)之间的电场，之后将所述带电发射体颗粒(2)沉积并粘附到所述场发射电极衬底(1)。
发射电极制造方法

[发明专利]场发射背光模块、显示装置及碗状反射结构的制作方法-CN201210067530.9有效
发明人：陈振彰;陈宗汉;郭志彻 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种场发射背光模块、显示装置及碗状反射结构的制作方法，其中，场发射背光模块包含基板与碗状反射结构体。基板上设置多个场发射光源。碗状反射结构体则由多个碗状反射结构与配置于其上的荧光层所构成。碗状反射结构面对场发射光源，而荧光层则配置于碗状发射结构上并位于碗状发射结构与场发射光源之间。
发射背光模块显示装置反射结构制作方法

[实用新型]一种场发射阴极和真空电子器件用电子源-CN201720530843.1有效
发明人：李兴辉;蔡军;冯进军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种场发射阴极和真空电子器件用电子源，该场发射阴极为无集成栅极尖锥阵列场发射阴极，包括导电基片和形成于基片上表面的场发射尖锥阵列；所述场发射阴极的发射材料为高熔点且低功函数的材料。本实用新型在基片上直接制备发射材料尖锥，仅依靠光刻、镀膜等微加工工艺，工艺简单、成本低，适用于任何适合蒸发镀膜的金属和非金属场发射材料。
一种发射阴极真空电子器件用电

[发明专利]具密封装置之场发射显示器-CN02151934.X有效
发明人：陈杰良 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2002-11-05 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01J31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种具密封装置之场发射显示器，解决了因密封装置各部件之热膨胀系数不同而导致场发射显示器寿命及性能降低的问题。本发明具密封装置之场发射显示器包括：阴极板与阴极板相抵靠的缓冲层、形成于缓冲层上的电子发射端与该阴极板相对且覆有荧光层的阳极板和密封装置。该密封装置界定一密封的内部空间，且阴极板、缓冲层、电子发射端和阳极板收容于该内部空间。
密封装置发射显示器

[发明专利]具密封装置之场发射显示器-CN02152175.1有效
发明人：陈杰良 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2002-12-02 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01J29/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种具密封装置之场发射显示器，解决了因密封装置各部件之热膨胀系数不同而导致场发射显示器寿命及性能降低的问题。本发明具密封装置之场发射显示器包括：阴极板、与阴极板相抵靠的缓冲层、形成于缓冲层上的电子发射端、与该阴极板相对且覆有荧光层的阳极板和密封装置。该密封装置界定一密封的内部空间，且阴极板、缓冲层、电子发射端和阳极板收容于该内部空间。
密封装置发射显示器

[发明专利]一种浅沟槽场板SiGe HBT及其制作方法-CN202010579501.5有效
发明人：刘静;史一凡;刘纯 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽场板SiGe HBT，包括p型衬底，衬底上端设有n型埋层，埋层上端设有集电区，集电区中间隔设有浅沟槽隔离区，浅沟槽隔离区中有场板，集电区上端为p型SiGe基区，SiGe基区上设有n+多晶硅发射区，多晶硅发射区的相对两侧分别设有p+多晶硅外基区，集电区与外基区之间设有隔离氧化层，多晶硅发射区与多晶硅外基区间有侧墙，多晶硅外基区、多晶硅发射区、多晶硅发射区的引出端表面均设有硅化钛。本发明还公开了一种浅沟槽场板SiGe HBT的制作方法，本发明中的SiGe HBT能够提高器件电学性能，缓解基区扭结效应造成的器件高频应用时最大稳定增益较低的问题。
一种沟槽 sige hbt 及其制作方法

[实用新型]基于瞬变电磁法的一次场激励装置-CN201220113771.8有效
发明人：刘冀成 -专利权人：刘冀成
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： G01V3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于瞬变电磁法的一次场激励装置，包括用于产生瞬变电磁场的发射天线，所述发射天线由至少2个线圈构成的线圈阵列组成，所述线圈阵列产生的电磁场向设定区域汇聚。本实用新型将瞬变电磁法一次场发射天线由单一线圈改为多个线圈组成的线圈阵列，通过调整阵列中各个线圈的参数，使其产生的电磁场矢量叠加后汇聚到设定区域，大大改善了发射天线产生的电磁场的发散性，使一次场的覆盖范围受到了约束，提高了发射天线的汇聚性能。
基于电磁一次激励装置

[发明专利]场发射阴极装置及场发射器件-CN201210518136.2有效
发明人：柳鹏;张春海;周段亮;杜秉初;郭彩林;陈丕瑾;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：一种场发射阴极装置，包括：一阴极电极；一电子发射体，该电子发射体与所述阴极电极电连接；一电子引出极，该电子引出极通过一绝缘隔离层与所述阴极电极电绝缘且间隔设置，该电子引出极具有一通孔对应所述电子发射体；所述电子发射体包括多个子电子发射体，每个子电子发射体远离阴极电极的一端至电子引出极所述通孔的侧壁的最短距离基本一致。本发明还涉及利用所述场发射阴极装置的场发射器件。
发射阴极装置器件

首页
«上一页
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top