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[发明专利]鼎状四胺芘及制备方法、鼎状四胺芘薄膜修饰的电极及制备方法-CN201710954211.2有效
发明人：钟羽武;唐健洪;邵将洋 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C07D213/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种鼎状四胺芘及制备方法、鼎状四胺芘薄膜修饰的电极及制备方法，属于电极表面修饰材料技术领域，解决了现有技术中界面修饰方法采用的桥联分子体系合成难、稳定性差以及表面吸附效率低的问题。该鼎状四胺芘，具有如下结构，采用1,3,6,8‑四溴芘与二芳胺衍生物在钯催化剂的催化下发生偶联反应制得。本发明提供的鼎状四胺芘可用于修饰电极。
鼎状四胺制备电极修饰薄膜电极表面修饰材料表面吸附界面修饰偶联反应桥联分子修饰电极钯催化剂二芳胺可用催化合成

[发明专利]一种星状四胺芘化合物、制备方法及其应用-CN202010238451.4有效
发明人：钟羽武;孙天歌;龚忠亮 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C07C217/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种星状四胺芘化合物、制备方法及其应用，属于热致变色发光材料技术领域，解决了现有技术中荧光材料温度检测中量子产率低的问题。一种星状四胺芘化合物，分子式为C120H94N4O8；星状四胺芘化合物的制备方法包括：步骤1：制备(4’‑(双(4‑甲氧基苯基)氨基)‑(1,1’‑联苯基)‑4‑基)硼酸；步骤2：制备星状四胺芘化合物。星状四胺芘化合物应用于荧光温度检测。本发明中的星状四胺芘化合物具有高量子产率，温度响应具有宽泛的检测范围以及高的灵敏度和准确性，可作为良好的荧光温度计。
一种星状四胺芘化合物制备方法及其应用

[发明专利]一种咔唑基四胺芘空穴传输材料及其在钙钛矿太阳能电池中的应用-CN201711372263.5有效
发明人：钟羽武;邵将洋;李冬梅;孟庆波 -专利权人：中国科学院化学研究所;中国科学院物理研究所
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C07D209/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种咔唑基四胺芘空穴传输材料及制备与应用。该咔唑基四胺芘空穴传输材料的结构通式如式I和式II所示。
一种咔唑基四胺芘空穴传输材料及其钙钛矿太阳能电池中的应用

[发明专利]包含芳香族胺取代的芘化合物-CN201910791416.2在审
发明人：赵春亮;王峥;叶丹;邝志远;夏传军 -专利权人：北京夏禾科技有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C07C211/61 文献下载
摘要：公开了一种包含芳香族胺取代的芘化合物。所述化合物是在以芘为核心的芳胺结构中，在一个芳胺结构中同时引入具有特定的邻位取代的基团和芴基基团，从而获得新型的芳香胺芘的化合物。这些新型的芳香胺芘化合物在有机发光器件中用作发光材料时，能提供更好的器件性能。还公开了一种电致发光器件和化合物配方。
包含芳香族取代化合物

[发明专利]一类含芘柔性荧光标识物及其制备方法-CN201910686570.3有效
发明人：赵晓燕;张帅;汪称意 -专利权人：常州大学
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：具体涉及一类含芘柔性荧光标识物及其制备方法。本发明先合成了一种含芘荧光基团二胺单体，并且通过改变含芘二胺单体，六氟二胺与醚酐之间的摩尔比，合成了一系列含芘聚酰亚胺。通过静电纺丝工艺，将含芘荧光基团聚酰亚胺纺制成柔性荧光纤维膜，该纤维膜具有优异的光学稳定性，为开发其在防伪印刷、安全识别和光学成像等领域的应用提供了思路和手段。
一类柔性荧光标识及其制备方法

[发明专利]N-酰基芘胺的制备方法以及1-羟基芘的制备方法-CN202011568973.7有效
发明人：张立猛;冯鹏;张欢 -专利权人：江苏广域化学有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C07C231/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种N‑酰基芘胺的制备方法以及1‑羟基芘的制备方法。该制备方法包括：将C2～C10的含α‑H的硝基化合物和芘在固体超强酸以及第一溶剂中进行反应，得到N‑酰基芘胺。的含α‑H的硝基化合物的α‑H更容易被拔掉，从而使C2～C10的含α‑H的硝基化合物的α‑C与芘的1‑位上的C相连，进而经过一步反应就得到N‑乙酰基芘胺，再以此制备方法得到的N‑乙酰基芘胺为原料来合成1‑羟基芘。
酰基芘胺制备方法以及羟基

[发明专利]一种含双芳胺-芘结构的二胺化合物及其制备方法、一种聚酰胺和一种聚酰亚胺及其应用-CN201910328513.8有效
发明人：陈春海;阎志华;苏凯欣;周宏伟;王大明;赵晓刚 -专利权人：吉林大学
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C07C217/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种含双芳胺‑芘结构的二胺化合物及其制备方法、一种聚酰胺和一种聚酰亚胺及其应用，属于电控荧光技术领域。本发明提供的含双芳胺‑芘结构的二胺化合物名称为二(4‑氨基苯基)‑二(4'‑甲氧基苯基)‑1,6‑二氨基芘，具有式Ⅰ所示结构。本发明将二苯胺和芘结合起来，构筑了“双芳胺‑芘”结构，如式Ⅰ所示的化合物。在由该化合物制备的材料中，推电子基团的二苯胺可作为芘的助色团增强材料的荧光强度；扭曲的二苯胺可减弱堆积效应，增强材料的溶解性和固态荧光，并加快电控荧光的响应速度；而且，在二苯胺的对位引入推电子的甲氧基取代基
一种含双芳胺结构化合物及其制备方法聚酰胺聚酰亚胺应用

[发明专利]包含芳香族胺取代的芘类有机电致发光材料-CN201910787989.8在审
发明人：赵春亮;王峥;叶丹;张少博;邝志远;夏传军 -专利权人：北京夏禾科技有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C07C211/61 文献下载
摘要：公开了一种包含芳香族胺取代的芘类有机电致发光材料。所述材料是以芘为核心的芳胺结构中，引入不对称的结构因素，同时在芳香胺结构中引入具有特定的邻位取代的基团和芴基基团。这些新型的芳香胺芘化合物在有机发光器件中用作发光材料时，能提供更好的器件性能。还公开了一种电致发光器件和化合物配方。
包含芳香族取代有机电致发光材料

[发明专利]一种基于芘的噻吩多环有机半导体材料的合成-CN201510578865.0在审
发明人：黄学斌;赵菲阳 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： C07D487/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于芘的噻吩多环有机半导体材料的合成，属于光电转换材料领域。/sub>N₂S₂,结构式如下：将芘和液溴反应得1,3,6,8-四溴芘；将其和1-辛炔反应得产物然后在氢气环境下用钯/碳催化反应得1,3,6,8-四辛烷芘；将其用三氯化钌催化，调整高碘酸钠用量可分别得四酮和二酮；将邻苯二胺和氯化亚砜然后和液溴反应得4,7-二溴-2,1,3-苯并噻二唑；将噻吩和上述噻二唑反应得一种苯并噻二唑；将邻苯二胺和对甲苯磺酰氯然后和液溴反应，接着和浓硫酸反应，再与二氯亚砜反应得5,6-二溴-2,1,3-苯并噻二唑；同上反应得另一种苯并噻二唑；将噻二唑产物开环反应得两种邻苯二胺产物；将上述四酮和二酮分别和上述两种邻苯二胺反应，得所述化合物。
一种基于噻吩有机半导体材料合成

[发明专利]芘甲基胺盐酸盐非共价修饰的石墨烯及其制备和应用-CN201811531339.9在审
发明人：宋娜;侯兴双;丁鹏;施利毅 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司;上海大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明提供了芘甲基胺盐酸盐非共价修饰的石墨烯及其制备和应用。所述方法包括使用芘甲基胺盐酸盐对石墨烯表面进行修饰的步骤，其中，芘甲基胺盐酸盐与石墨烯的质量比为(1‑4)：1。
甲基盐酸共价修饰石墨及其制备应用

[发明专利]一种含杂芘结构的深棕色耐高温聚酰亚胺及其合成方法-CN202211227274.5有效
发明人：廉萌 -专利权人：潍坊科技学院
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明公开一种含杂芘结构的深棕色耐高温聚酰亚胺及其合成方法，所述深棕色耐高温聚酰亚胺通过将含杂芘结构的单体、二胺单体与酸酐单体反应形成；其中，所述含杂芘结构单体和二胺单体的总摩尔与酸酐单体的摩尔比为10:20‑20:10；所述含杂芘结构单体和二胺单体的摩尔比为1‑20:0或1:20‑20:1；所述含杂芘结构的单体为本发明首次通过加入含杂芘结构的单体与酸酐单体反应
一种含杂芘结构深棕色耐高温聚酰亚胺及其合成方法

[发明专利]芘胺型苯并噁嗪化合物及其制备方法-CN201310252688.8有效
发明人：徐日炜 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： C07D265/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种芘胺型苯并噁嗪化合物及其制备，所述制备方法包括：将含有酚羟基的酚类化合物、芘胺和醛类化合物经溶剂混合均匀后，升温至60～120℃进行回流，反应时间2～6小时，使反应混合物加热脱水成环而制备得到芘胺型苯并噁嗪化合物通过该制备方法得到的芘胺型苯并噁嗪化合物与碳材料（例如碳纳米管、石墨烯等）之间有良好的π-π相互作用，与碳材料具有良好的界面相容性能。
芘胺型苯化合物及其制备方法

[发明专利]一种噻吩桥联四胺芘空穴传输材料及其在钙钛矿太阳能电池中的应用-CN201810185852.0有效
发明人：钟羽武;邵将洋;胡劲松;葛倩庆 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C07D333/20 文献下载
摘要：本发明公开了一类噻吩桥联四胺芘空穴传输材料及制备方法与应用。所述噻吩桥联四胺芘空穴传输材料的结构式如式I所示。该类空穴传输材料具有噻吩桥联的三芳胺结构单元，其在有机溶剂中溶解性好及成膜性好，大的共轭平面结构可有效提升材料的空穴迁移率，且制备成本低。
一种噻吩桥联四胺芘空穴传输材料及其钙钛矿太阳能电池中的应用

[发明专利]一种四胺芘电聚合空穴传输材料及其在钙钛矿太阳能电池中的应用-CN202010268932.X有效
发明人：钟羽武;邵将洋;李冬梅;孟庆波 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C07D333/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种四胺芘电聚合空穴传输材料及其制备与其在太阳能电池中的应用。所述四胺芘的结构式如式I所示。该类化合物含有电化学活性的三芳胺结构单元，其在二氯甲烷等溶剂中可以电化学原位聚合成膜，该电聚合薄膜具有良好的空穴迁移率以及电子阻挡性能，且制备工艺简单、成本低。
一种四胺芘电聚合空穴传输材料及其钙钛矿太阳能电池中的应用

[发明专利]基于半芳香族聚酰亚胺基的高亮度室温磷光材料及其制备方法-CN202210791561.2在审
发明人：涂范霖;陈嘉苗;穆英啸;籍少敏;霍延平;赵经纬 -专利权人：广州青苗新材料科技有限公司;广东工业大学
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：旨在提供一种不仅具有高亮度，同时机械性能、耐热性能以及阻氧阻水性能优秀的温磷光材料；其技术方案是半芳香族聚酰亚胺粉末经掺杂有机分子进行旋涂和烘干后制备的；所述的有机小分子为6‑溴‑2‑氨基萘、1‑溴萘‑2‑胺、5‑溴萘‑1‑胺、1‑氨基‑2‑溴萘、1‑溴芘、3‑溴芘、4‑溴芘、1，6‑二溴芘、2，7‑二溴芘、1，8‑二溴芘的其中之一；属于室温磷光材料技术领域。
基于芳香族聚酰亚胺亮度室温磷光材料及其制备方法

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